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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2009 | 使用0.5V絕緣體上矽金氧半動態臨限電壓技術設計低功率系統應用 0.5V SOI DTMOS Technique for Design Optimization of Low-Power System Applications | Chih-Hsiang Lin; 林志祥 | 電子工程學研究所 |
2009 | 60奈米部分解離絕緣體上N型矽金氧半元件閘極穿隧漏電流行為分析 Gate Direct Tunneling Leakage Behavior Analysis of 60nm PD SOI NMOS Device | Hung-Jin Hung; 洪弘晉 | 電子工程學研究所 |
2009 | 利用SPICE雙載子電晶體/金氧半元件模型方法建立40奈米部分解離絕緣體上N型矽金氧半元件浮動基體效應產生的崩潰與突增行為 Modeling the Floating-Body-Effect-Related Breakdown and the Kink Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device Via SPICE BJT/MOS Model Approach | Jhih-Siang Su; 蘇稚翔 | 電子工程學研究所 |
2009 | 60奈米部分解離絕緣體上矽N型金氧半元件二次效應
探討與閘極穿隧電流影響電容分析 Second Order Effect of 60nm PD SOI NMOS and Gate Tunneling Current Related Capacitance Behavior | " Lu,Jun-Yi"; 呂俊毅 | 電子工程學研究所 |
2009 | 使用0.5V多重臨界電壓技術單相位時序(TSPC)動態邏輯電路於乘法器設計 0.5V MTCMOS Technique TSPC Dynamic Logic Circuit using for a Multiplier Design | Chun-Yuan Chien; 錢群元 | 電子工程學研究所 |