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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2009 | 使用0.5V絕緣體上矽金氧半動態臨限電壓技術設計低功率系統應用 0.5V SOI DTMOS Technique for Design Optimization of Low-Power System Applications | Chih-Hsiang Lin; 林志祥 | 電子工程學研究所 |
2009 | 60奈米部分解離絕緣體上N型矽金氧半元件閘極穿隧漏電流行為分析 Gate Direct Tunneling Leakage Behavior Analysis of 60nm PD SOI NMOS Device | Hung-Jin Hung; 洪弘晉 | 電子工程學研究所 |
2009 | 利用SPICE雙載子電晶體/金氧半元件模型方法建立40奈米部分解離絕緣體上N型矽金氧半元件浮動基體效應產生的崩潰與突增行為 Modeling the Floating-Body-Effect-Related Breakdown and the Kink Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device Via SPICE BJT/MOS Model Approach | Jhih-Siang Su; 蘇稚翔 | 電子工程學研究所 |
2008 | 奈米部分解離絕緣體上矽金氧半元件之關閉暫態分析 Turn-off transient analysis of PD SOI NMOS device | Kai-Wei Lin; 林楷煒 | 電子工程學研究所 |