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NTU Theses and Dissertations Repository
瀏覽 的方式: 作者 胡振國(Jenn-Gwo Hwu)
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2013
p 與n 基板超薄閘極氧化層金氧半結構元件之深空乏現象與氧化層不均勻現象探討
Investigation of the Deep Depletion Behavior and Oxide Charge Non-Uniformity Effect in MOS (p) and MOS (n) Devices with Ultra-Thin Oxides
Yu-Ching Liao; 廖禹晴
電子工程學研究所
2006
P型與N型金氧半電容元件於超薄氧化層之電特性比較及應用
Comparison of the Electrical Characteristics of MOS Capacitors with Ultra-thin Oxides Grown on P- and N-type Si Substrates
Shu-Jau Chang; 張書照
電子工程學研究所
2018
不均勻結構金氧半穿隧二極體之雙態特性與暫態行為
Two-State Characteristics and Transient Behavior in Metal-Insulator-Semiconductor Tunnel Diode with Structural Non-Uniformity
Chia-Te Lin; 林家德
電子工程學研究所
2019
不對稱之電場耦合效應對超薄氧化層金氧半元件之電特性影響與其相關應用
The Asymmetric Coupling Effect on the I-V Characteristic of Ultrathin-Oxide MIS Devices and Its Applications
Yu-Hsuan Chen; 陳昱諠
電子工程學研究所
2009
以伸張應力及直流疊加交流之陽極氧化法成長超薄閘極氧化層
Ultra-thin Gate Oxides Prepared by Tensile-Stress and Direct-Current Superimposed with Alternating-Current Cathode Anodization
Chia-Jui Lee; 李佳叡
電子工程學研究所
2007
以伸張應力陽極氧化技術成長高品質超薄氧化層
High Quality Ultra-thin Gate Oxides Prepared by Tensile-Stress Anodization Technique
Chih-Ching Wang; 王志慶
電子工程學研究所
2014
以硝酸氧化備製中堆疊高介電常數氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件特性研究
Investigation of HfO2 High-k Gate Dielectrics in Tandem Structure Fabricated by Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Xing-You Lin; 林星佑
電子工程學研究所
2008
以純水陽極氧化法製備金氧半太陽能電池 之效率及穩定度研究
Efficiency and Stability of MOS Solar Cells prepared by Anodization in DI water
Ting-Chang Chuang; 莊庭彰
電子工程學研究所
2009
以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術低溫製備高介電係數氧化鋁閘極介電層
Al2O3 High-k Gate Dielectrics Fabricated by Shadow Evaporation and Nitric Acid Oxidation under Low Temperature Process for MOS Devices
Ching-Hang Chen; 陳慶航
電子工程學研究所
2005
以陽極氧化及硝酸氧化技術備製金氧半元件中氧化鋁高介電常數閘極介電層及其特性之研究
Process Development and Characterization of Al2O3 High-k Gate Dielectrics Prepared by Anodization and Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Szu-Wei Huang; 黃思維
電子工程學研究所
2005
以陽極氧化補償技術改善快速熱氧化層品質
Improvement of Rapid Thermal Oxide Quality by Anodization Compensation Technology
Man-Wen Cheng; 鄭曼雯
電子工程學研究所
2010
以高頻電容及溫度電壓施壓法檢測超薄氧化層特性
Characterization of Ultrathin Oxides by High-Frequency C-V Analysis and Temperature-Voltage Stress Method
Hao-Peng Lin; 林豪鵬
電子工程學研究所
2008
伸張應力對快速熱成長超薄閘極氧化層金氧半電容元件之效應
Effect of Tensile-stress on MOS Capacitors with Rapid Thermal Ultra-Thin Gate Oxides
Chien-Yu Liu; 劉建語
電子工程學研究所
2008
伸張應力對超薄閘極氧化層金氧半電容元件之影響
Effect of Tensile Stress on MOS Capacitors with Ultra-thin Gate Oxide
Hsing-Lin Chen; 陳星霖
電子工程學研究所
2007
使用電容量測曲線的低散逸因子區域來決定超薄閘極氧化層的厚度
Determination of Ultrathin Gate Oxide Thickness (<2.0 nm) Using Low Dissipation Factor Regions of C-V Measurements
Po-Kai Chang; 張博凱
電子工程學研究所
2014
側向擴散電流對超薄氧化層金氧半元件之反轉區電流特性影響與其相關應用
Effect of Lateral Diffusion Current in Inversion I-V Characteristic of MOS Devices with Ultrathin Oxide and Its Applications
Yen-Kai Lin; 林彥愷
電子工程學研究所
2017
側壁鈍化金屬閘極對金氧半穿隧二極體邊際場效之影響與其相關應用
Effect of Sidewall Passivated Metal Gate on Fringing Field of MIS Tunnel Diode and Its Application
Chia-Ju Chou; 周佳儒
電子工程學研究所
2018
具環繞閘金氧半穿隧二極體結構之研究
Study of MIS(p) Tunneling Diode Structures with Surrounding MIS(P) Gate
Hung-Yu Chen; 陳虹宇
電子工程學研究所
2005
利用交直流陽極氧化補償技術改善超薄閘極氧化層品質
Quality Improvement in Ultra-Thin Gate Oxides by Direct-Current Superimposed With Alternating-Current Anodization (DAC-ANO) Compensation Technique
Yen-Ting Lin; 林彥廷
電子工程學研究所
2010
利用伸張應力陽極氧化生長技術及真空退火處理改善 超薄氧化層品質
Improvement in Ultra-thin Oxide Quality by Tensile-Stress Anodization Technique and Vacuum Anneal Treatment
Yu-Jen Lee; 李祐任
電子工程學研究所