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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/56430
Title: | 利用金屬層降低直通矽晶連通柱至元件耦合雜訊之設計 Design of Reducing TSV-to-Device Coupling Noise Using Metal Layers |
Authors: | Ming-Kai Kang 康明凱 |
Advisor: | 吳瑞北 |
Keyword: | 基板效應,三維積體電路,直通矽晶連通柱, Body effect,Three-dimensional integrated circuit (3D-IC),Through-silicon-via (TSV), |
Publication Year : | 2014 |
Degree: | 碩士 |
Abstract: | 三維積體電路使用直通矽晶連通柱作為電氣連結,而訊號通過直通矽晶連通柱時,對其他直通矽晶連通柱和周遭的電路造成雜訊擾動,因此,減低雜訊擾動是一項重要的議題。
本論文提出使用金屬層用以降低直通矽晶連通柱對元件的耦合雜訊,對於不同的直通矽晶連通柱至元件的距離、不同的金屬層覆蓋比例以及不同的鄰近金屬層間距,觀察其耦合雜訊的變化。 耦合雜訊對於元件的基板電壓之擾動,造成元件的基板效應,從而對臨界電壓造成影響。本論文將耦合雜訊造成的元件基板電壓改變,求得因基板效應所造成之飽和區電流變動百分比。 最後提出設計曲線,可以確定飽和區電流變動百分比以及金屬層覆蓋比例,選擇適當的直通矽晶連通柱至元件的距離及鄰近金屬層間距。 |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/56430 |
Fulltext Rights: | 有償授權 |
Appears in Collections: | 電信工程學研究所 |
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