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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/41047
Title: | 應用於微波與毫米波倍頻器之研製 Design of Doubler for Microwave and Millimeter-wave Applications |
Authors: | Jhih-Yu Huang 黃智宇 |
Advisor: | 林坤佑(Kun-You Lin) |
Keyword: | 微波,毫米波,倍頻器,微波單晶積體電路, Microwave,Millimeter-wave,doubler,MMIC, |
Publication Year : | 2008 |
Degree: | 碩士 |
Abstract: | 在微波與毫米波頻段,高頻的振盪信號是不容易實現的,其相位雜音和可調範圍往往都會受限於寄生效應,因此藉由設計一個低頻的壓控振盪器串接倍頻器的方式,可以提高設計振盪器的彈性且也會有較好的相位雜音。而近年來因半導體製程的研發與進步,產生了相當多由主動式元件組成的倍頻器架構,因此利用主動元件去設計特性好的二倍頻器,是一個相當值得探討的主題。
本論文的主題在於利用0.18微米互補式金氧半導體製程和0.35微米矽鍺互補金屬氧化半導體製程設計,設計出寬頻且特性良好的二倍頻器。論文主要可以分成兩大部分,第一部份介紹二倍頻器的功能,基本設計原理和設計架構考量。第二部份討論寬頻分佈式倍頻器的原理,本論文提出三個寬頻的分佈式二倍頻器,並說明其架構及設計的原理。第一個電路使用台積電0.18微米互補式金氧半導體製程,成功的實現一個輸出頻率為14至24 GHz 的寬頻分佈式二倍頻器。第二個電路也是使用台積電0.18微米互補式金氧半導體製程,為了去降低其所需的輸入功率、較好的轉換損耗和較好的基頻抑制,成功的實現一個18~26 GHz的電流再利用分佈式二倍頻器。最後一個電路是利用台積電0.35微米矽鍺互補金屬氧化半導體去設計一個平衡分佈式倍頻器,此架構平衡式二倍頻器有寬頻的基頻抑制效果,不需要額外的濾波器去抑制基頻信號。又因為被動的平衡不平衡轉換器需要較多的輸入功率,因此實現一個4~20 GHz使用主動平衡不平衡轉換器的平衡分佈式二倍頻器。 |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/41047 |
Fulltext Rights: | 有償授權 |
Appears in Collections: | 電信工程學研究所 |
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