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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/77723
標題: | 複合型圖案化藍寶石基板之高性能氮化鎵類蕭特基二極體 High performance GaN-based schottky diodes with multi-patterned sapphire substrates |
作者: | Jheng-Yan Liu 劉正硯 |
指導教授: | 管傑雄(Chieh-Hsiung Kuan) |
關鍵字: | 氮化鎵,複合型圖案化藍寶石基板,濕式蝕刻,電子束微影,蕭特基二極體, GaN,Multi-patterned Sapphire Substrates,Wet-Etching,Electron-Beam Lithography,Schottky diode, |
出版年 : | 2017 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 在此篇論文中,我們應用了電子束實驗室之複合型圖案化藍寶石基板(multi-patterned sapphire substrates)之技術,一方面藉由改變圖案參數,來減少氮化鎵薄膜之穿隧差排密度(threading dislocation density)與缺陷密度(defect density)。另一方面,藉由不同缺陷密度的試片,以針對蕭特基二極體電性表現的影響加以探討。
在最後階段,我們將無結構之試片與複合型圖案之試片做一比較,可知我們利用此技術將缺陷密度降低一個數量級後,其蕭特基能障高提升約0.2eV、崩潰電壓提升約40V。 In this thesis, we apply the technology of multi-patterned sapphire substrate to reduce defect density. By using different period pattern, we got different test chip with different defect density. Then we analysis the relationship between defect density and electrical properties. In the final stage, we compare the region w/o patterned substrate and the region with patterned substrate. Then we found that: when we reduce defect density about one order by this tech, the schottky barrier height and breakdown voltage will be promote about 0.2eV、40V respectively. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/77723 |
DOI: | 10.6342/NTU201702688 |
全文授權: | 未授權 |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
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