透過雷射奈米焊接技術改善奈米銀線膜之導電性質

Abstract

柔性光電元件是目前光電元件的發展趨勢，由於傳統的透明導電氧化物（TCO）無法承受彎曲和拉伸，因此需要發展新型的可撓式透明導電膜。奈米銀線膜是其中表現良好的一種，但是其性能距離商業化應用仍有差距。本研究中我們在保證柔性基底不被損壞的前提下，利用雷射奈米焊接技術提高奈米銀線膜的導電性和機械性質。在雷射光照下奈米銀線交疊處因其微小的間隙產生了局部的強光場，其能量足以焊接奈米銀線，使散亂的銀線形成了一張聯結緊固的網狀結構，其導電性和耐拉伸耐撓曲的特性都得到了提高。 奈米銀線膜是在基材上均勻塗佈一層奈米銀線而形成的，因其良好的透光性，和銀線導電性可應用於光電元件的透明導電膜，根據文獻得知奈米銀線膜之導電性及穿透率兩者關係相互限制，而加強奈米銀線間的連接可以有效的提升導電率。故在本研究中，我們將奈米銀線透過抽氣過濾法(Vacuum Filtration)轉移到可撓式基材(PET)上，並利用雷射奈米焊接技術在以不影響穿透率的情形下，提高導電性，相較於利用脈衝雷射進行加工，本研究所使用的連續雷射提供一個更為穩定的方法來達到焊接效果，其成本更為便宜，成效高於脈衝雷射，且又可以避免奈米銀線被高能的脈衝雷射直接熔化變成銀點，破壞了奈米銀線膜之結構。 雷射奈米焊接技術主要透過調整三個參數進行探討，分別為雷射功率、掃描速率及掃描次數，在調整雷射功率的部分，發現雷射功率的提升，有助於片電阻的下降，而調整掃描速率的快慢，直接影響了雷射光斑的滯留時間，不僅造成可撓式基材的損毀，也影響了奈米銀線所接收到的總能量，最後，隨著掃描次數的增加，片電阻值隨之下降，奈米銀線膜在第一次掃描時片電阻大幅降低，但繼續掃描後，片電阻降低的幅度變平緩了，達到一個臨界點。本實驗有系統地對於雷射功率、掃描速率及掃描次數等參數進行調整，找到最佳條件來提升奈米銀線之導電性能，透過雷射焊接技術成功將初始片電阻約為30 Ω/□的可撓式奈米銀線膜降到12 Ω/□，且穿透率維持在92%(λ= 550nm)。通過掃描式電子顯微鏡觀察了奈米銀線重疊處有焊接的現象，並通過拉伸及彎曲試驗來顯示了可撓式奈米銀線膜的機械性能。最後，我們以 COMSOL 5.3a 進行模擬驗證，於奈米銀線上方施加一電場，證實奈米銀線交疊處會產生局部強電場，表示在銀線交疊處有焊接的可能性。

Silver nanowire networks has promising potential to substitute ITO. Currently, it has been widely applied for flexible transparent conducting electrodes because of its excellent electrical conductivity. However, electrical conductivity and transmittance are constrained by each other. In this work, we transfer silver nanowire onto flexible substrate, and process it by continuous wave laser (λ = 532nm) scanning system to improve the conductivity, and get less change of the transmittance. The laser-welding process is expected to be the fastest and the most efficient way to fabricate flexible transparent conducting electrodes. We adjust the laser power, scanning speed, and scanning number to attain the best benefits. Our results present Ag NWs/PET film having a sheet resistance of 12 Ω/□ and a transmittance (λ= 550nm) of 92 %. We observe a phenomenon of the silver nanowire melted at the junction by scanning electron microscope, and show the mechanical properties of the silver nanowire network by bending and stretching test. Finally, we perform electromagnetic simulation to verify the strong electrical field focused on the junction.