搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
第 1 到 5 筆結果,共 5 筆。
- 上一個
- 1
- 下一個
符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2005 | 應力對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應 Effects of Stress on MOS Devices with Ultra Thin Gate Oxides | Chien-Jui Hung; 洪劍睿 | 電子工程學研究所 |
2005 | 利用交直流陽極氧化補償技術改善超薄閘極氧化層品質 Quality Improvement in Ultra-Thin Gate Oxides by Direct-Current Superimposed With Alternating-Current Anodization (DAC-ANO) Compensation Technique | Yen-Ting Lin; 林彥廷 | 電子工程學研究所 |
2005 | 應用硝酸氧化及陽極氧化補償技術製作金氧半元件之奈米尺度高介電係數氧化鉿閘極介電層 Application of Chemical Oxidation in Nitric Acid and Anodic Oxidation Compensation Techniques on Preparing Nano-Scale High-k HfO2 Gate Dielectrics in MOS Devices | Chia-Hua Chang; 張嘉華 | 電子工程學研究所 |
2005 | 超薄閘極氧化層形變溫度施壓效應之研究 Investigation of Strain-Temperature Stress on Rapid Thermal Ultra-thin Gate Oxides | Chia-Wei Tung; 董佳衛 | 電子工程學研究所 |
2005 | 以陽極氧化補償技術改善快速熱氧化層品質 Improvement of Rapid Thermal Oxide Quality by Anodization Compensation Technology | Man-Wen Cheng; 鄭曼雯 | 電子工程學研究所 |