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NTU Theses and Dissertations Repository
瀏覽 的方式: 作者 胡振國
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2014
p型與n型超薄金氧半電容元件電流穿隧行為之比較與探討
Investigation of Current Tunneling Behavior for p- and n-type MOS Capacitors with Ultra-thin Oxides
Han-Wei Lu; 呂涵薇
電子工程學研究所
2011
以直交流陽極氧化補償技術改善金氧半結構之氧化鋁及氧化鉿介電層品質
Quality Improvement in Al2O3 and HfO2 Dielectrics in MOS Structures by Direct-Current Superimposed With Alternating-Current Anodization (DAC-ANO) Compensation Technique
Hsiang-Yao Chiang; 姜翔耀
電子工程學研究所
2012
以硝酸氧化金屬鉿技術製備氧化鉿/二氧化矽堆疊結構之介電層的穩定度分析
Reliability of HfO2/ SiO2 Stacked Structure with Dielectrics Prepared by Nitric Acid Oxidation of Hafnium Metal
Chin-Sheng Chang; 張錦昇
電子工程學研究所
2007
以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術備製金氧半元件中超薄氧化鋁高介電常數閘極介電層之特性研究
Investigation of Ultra-thin Al2O3 High-k Gate Dielectrics Prepared by Shadow Evaporation of Aluminum Followed by Nitric Acid Oxidation for MOS Device
Jung-Chin Chiang; 江榮進
電子工程學研究所
2010
以陽極氧化技術在矽及碳化矽基板上備製超薄閘極介電層之研究
Investigation of Anodic Oxidation Technique for the Preparation of Ultra-thin Gate Dielectrics on Si and SiC Substrates
Kai-Chieh Chuang; 莊凱傑
電子工程學研究所
2009
低溫製程高介電係數閘極介電層之金氧半元件特性研究
Characterizations of Metal-Oxide-Semiconductor Devices with High-k Gate Dielectrics Formed by Low Temperature Processes
Chia-Hua Chang; 張嘉華
電子工程學研究所
2008
具不同邊界摻雜濃度突波抑制器二極體之模擬、製程與量測
Simulation, Process and Measurement for TVS (Transient Voltage Suppressor) Diodes with Different Doping Concentrations in Edge
Wang Hai-Ning; 汪海寧
電子工程學研究所
2022
具超厚薄氧化層之鋁/二氧化矽/p型矽金氧半穿隧結構研究
Study on Al/SiO2/Si(p) Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Structures with Ultra-High-Low Oxides
林冠文; Kuan-Wun Lin
電子工程學研究所
2006
利用伸張形變下之溫度處理改善乾氧生長氧化層之金氧半電容元件特性
Quality Improvement of MOS Capacitors with Oxides Growth in Dry O2 by External Tensile-Temperature Stress Treatment
Chien Kung; 龔鍵
電子工程學研究所
2006
去耦電漿氮化閘極氧化層之元件特性
The Characteristics of MOS Devices with Nitrided Gate Oxide by Decoupling Plasma Nitridation
Shian-Hau Liao; 廖顯皜
電子工程學研究所
2023
同心圓金氧半穿隧二極體耦合效應在光傳感中的應用
Applications of Concentric MIS(p) Tunnel Diode Coupling Effect on Photo Sensing
林郁芹; Yu-Cin Lin
電子工程學研究所
2012
堆疊高介電常數材料在金氧半元件之應用技術
Application Technique of Stacking High-k Dielectric Materials on MOS Device
Che-Yu Yang; 楊哲育
電子工程學研究所
2023
多階態開路電壓和短路電流感測金氧半耦合元件及誘導式軟性崩潰操作技術
Multi-State Open-Circuit Voltage and Short-Circuit Current Sensing in MIS Coupling Devices and Induced Soft Breakdown Operation Technology
陳舜啓; Shun-Chi Chen
電子工程學研究所
2014
定電壓應力操作對超薄氧化層金氧半電容元件之電特性影響分析及其元件應用
Effect of Constant Voltage Stress Treatments on the Electrical Characterization and Device Application of MOS Capacitor with Ultra-Thin Oxide
Tzu-Yu Chen; 陳姿妤
電子工程學研究所
2007
形變溫度施壓處理對超薄閘極氧化層金氧半元件 特性影響之研究
Investigation of Strain-Temperature Stress Effects on the Characteristics of MOS Capacitors with Ultra-thin Gate Oxides
Wei-Ting Chen; 陳偉庭
電子工程學研究所
2020
氧化層局部薄化對具同心環閘極控制電荷耦合金氧半穿隧二極體特性影響之探討
Characterization of Oxide Local Thinning Effects on Charge-Coupled MIS(p) Tunnel Diodes with Concentric Gate
Tzu-Hao Chiang; 江子豪
電子工程學研究所
2023
氧化層電荷對金氧半穿隧二極體在反轉區之電流及電容特性之影響
Impact of Oxide Charges on the Current and Capacitance Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Tunneling Diode in Inversion Region
陳冠竹; Kuan-Chu Chen
電子工程學研究所
2015
氧化鋁/鋁/二氧化矽介電堆疊金氧半電容元件中兩態電流現象
Two-State Current Phenomenon in MOS Device with Al2O3/Al/SiO2 Dielectric Stack Structure
Ching-Kai Kao; 高靖凱
電子工程學研究所
2023
氧化鋁鈍化層對金屬絕緣層半導體穿隧二極體的影響與其在感光應用之研究
Effect of Al2O3 Passivation (AOP) on the Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Tunnel Diodes and Its Application on Light Sensing
林彥瑜; Yen-Yu Lin
電子工程學研究所
2006
浸水處理後金氧半電容元件氧化層與矽界面特性受氫影響之研究
Study of the Hydrogen Effect on Si-SiO2 Interface Property for MOS Capacitor after Water Immersion
Pi-Hung Chen; 陳碧紅
電子工程學研究所