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| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 郭博成(Po-Cheng Kuo) | |
| dc.contributor.author | Tzn-Yun Huang | en |
| dc.contributor.author | 黃子芸 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-15T04:56:17Z | - |
| dc.date.available | 2011-08-02 | |
| dc.date.copyright | 2010-08-02 | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.date.submitted | 2010-07-28 | |
| dc.identifier.citation | 參考文獻
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| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/46165 | - |
| dc.description.abstract | 本研究以直流磁控濺鍍的方式於室溫鍍製CoPt、CoPt/ Ag、CoPt/ ZnOx、(CoPt/ ZnOx)n、(CoPt)y-(ZnOx)1-y及(CoPt)y-(ZnOx)1-y/ Ag(y=5~50 vol%)等薄膜，探討Ag、ZnOx底層、ZnOx添加物及製程參數對CoPt薄膜之顯微結構、磁性質及其易磁化軸方向的影響。
關於CoPt/ Ag薄膜的製作，Ag底層引入後有降低CoPt薄膜序化溫度的效果，序化溫度從單層CoPt薄膜的600~700℃降至500~600℃之間，並且Ag底層有促進CoPt薄膜垂直膜面磁異向性的效果。Co56.42Pt43.58 (20 nm)/ Ag (30 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後，具有較佳的垂直膜面磁性質，其垂直膜面矯頑磁力(Hc⊥)為17.6 kOe、平行膜面矯頑磁力(Hc//)為15.4 kOe、垂直膜面角形比(S⊥)為0.85、平行膜面角形比(S//)為0.51。 在CoPt/ ZnOx雙層薄膜方面，經調整製程參數後發現，當ZnOx濺鍍功率密度為2.81 watt/ cm2、厚度為30 nm時，會使20 nm的CoPt薄膜擁有最好的垂直膜面磁性質。(CoPt/ ZnOx)3多層薄膜經過700℃退火30分鐘後，會呈現垂直膜面磁異向性。 本研究同時利用ZnOx來製作具顆粒狀結構的CoPt薄膜，(CoPt)y-(ZnOx)1-y薄膜經過700℃退火30分鐘後，發現添加25 vol%的ZnOx會使薄膜序化度達到最好，此乃因ZnOx在高溫熱處理後，會留下孔洞和缺陷形成Co和Pt擴散的路徑，使CoPt薄膜更容易序化。之後將單層(CoPt)y-(ZnOx)1-y薄膜加上Ag底層，形成(CoPt)y-(ZnOx)1-y/ Ag雙層薄膜，在700℃退火30分鐘後，當ZnOx添加量為5 vol%時，因為造成CoPt晶粒之交互耦合作用下降，故Hc⊥值會上升，且由於ZnOx添加量較少，使CoPt薄膜與Ag底層之間的磊晶作用仍能保持，所以(CoPt)95(ZnOx)5/ Ag薄膜有最佳的垂直膜面磁異向性。當ZnOx添加量為50 vol%時，ZnOx會在CoPt和Ag的晶界析出，使CoPt與Ag被隔離並抑制晶粒成長，但50 vol%的ZnOx會使兩者之間的磊晶效果下降，因此此時薄膜的異向性呈現random。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | In this study, the CoPt, CoPt/ Ag, CoPt/ ZnOx, (CoPt/ ZnOx)n, (CoPt)y-(ZnOx)1-y, and (CoPt)y-(ZnOx)1-y/ Ag films were deposited on glass substrates at room temperature by dc magnetron sputtering. The effects of Ag underlayer, ZnOx underlayer, ZnOx addition, and process parameters on the microstructure, magnetic properties, and magnetic easy axis of the film were investigated.
The ordering temperature of CoPt films could be reduced from 600~700℃ to 500~600℃ as Ag underlayer was introduced. The introduction of Ag underlayer could promote the out-of-plane magnetic properties of CoPt films.The out-of-plane coercivity, in-plane coercivity, out-of-plane squareness and in-plane squareness values of Co56.42Pt43.58 (20 nm)/ Ag (30 nm) film which annealed at 700℃ for 30 minutes are 17.6 kOe, 15.4 kOe, 0.85 and 0.51, respectively. The CoPt/ ZnOx multilayer with ZnOx sputtering power density, 2.81 watt/ cm2, showed out-of-plane magnetic anisotropy after annealing at 700℃ for 30 minutes, and (CoPt/ ZnOx)3 multilayer also presented the out-of-plane magnetic anisotropy after annealing at 700℃ for 30 minutes. The ZnO target and the CoPt target were co-sputtered to form the granular CoPt films. The high ordering of (CoPt)75-(ZnOx)25 film could be obtained after annealing at 700℃ for 30 min. It suggests that ZnOx additives would leave vacancies and defects after annealing, which provides the diffusion path of Co and Pt atoms and improves the ordering of CoPt films. Finally, the 30 nm-Ag layer was introduced under the (CoPt)y-(ZnOx)1-y film and then annealed at 700℃ for 30 min. The larger out-of-plane coercivity of (CoPt)95-(ZnOx)5/ Ag film could be obtained because of the decrease of the exchange coupling. Besides, the ZnOx would precipitate at the grain boundaries of CoPt and Ag layers as the content of ZnOx additive increased to 50 vol%, which could isolate the CoPt and Ag grains and inhibit the grain growth of CoPt. ZnOx would reduce the epitaxial effect between CoPt and Ag layers and lead (CoPt)50-(ZnOx)50/ Ag film to the random orientation. | en |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-15T04:56:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-99-R97527026-1.pdf: 14545287 bytes, checksum: eae1587ec7d348bede5babb3ab20f385 (MD5) Previous issue date: 2010 | en |
| dc.description.tableofcontents | 誌謝 I
摘要 III Abstract V 圖目錄 X 表目錄 XVIII 第一章 前言 1 第二章 理論基礎與文獻回顧 5 2- 1 理論基礎 5 2-1-1 基本磁記錄原理 5 2-1-2水平磁記錄的極限 6 2-1-3 垂直磁記錄 7 2-1-4 顆粒尺寸與矯頑磁力的關係 7 2-1-5 磁記錄材料 8 2-1-6 CoPt序化度的計算 9 2-1-7顆粒狀磁性薄膜 10 2-2 文獻回顧 11 2-2-1 CoPt薄膜 11 ( 1 ) 單層CoPt薄膜 11 ( 2 ) 添加第三元素於單層CoPt薄膜 12 ( 3 ) 添加底層的CoPt薄膜 14 ( 4 ) 多層CoPt薄膜 15 2-2-2 顆粒狀磁性薄膜 16 2-3 研究方向 17 第三章 實驗方法 22 3-1 實驗流程 22 3-2 靶材選取 23 3-2-1 陶瓷靶材 23 3-2-2 金屬靶材 23 3- 3基板選取與基板清洗 23 3-3-1基板選取 23 3-3-2 基板清洗 23 3-4實驗裝置及薄膜製備 24 3-4-1實驗裝置 24 3-4-2薄膜濺鍍 25 3-4-3 退火步驟 26 3-5磁性質分析 26 3-6 EPMA之化學組成分析 27 3-7 AFM厚度及表面形貌分析 27 3-8微結構分析 28 3-8-1 X光繞射分析 28 3-8-2 TEM微結構及成分分析 28 第四章 實驗結果與討論 40 4-1 CoPt單層合金薄膜 40 4-1-1 CoPt合金成分對微結構的影響 40 4-1-2 單層CoPt薄膜的磁性質分析 41 4-1-3 單層CoPt薄膜的TEM微結構分析 42 4-2 Ag底層對CoPt合金薄膜的影響 42 4-2-1 Ag底層之製備 43 4-2-2 Ag底層對CoPt合金薄膜微結構的影響 44 4-2-3 Ag底層對CoPt合金薄膜磁性質與TEM微結構的影響 45 4-3 ZnOx底層對CoPt合金薄膜的影響 46 4-3-1 ZnOx底層之製備 47 4-3-2 ZnOx底層之微結構 47 4-3-3 ZnOx底層對CoPt合金薄膜微結構的影響 48 4-3-4 ZnOx底層對CoPt合金薄膜磁性質與TEM 微結構的影響 49 4-4 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜之顯微結構與磁性質研究 50 4-4-1 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜之製備 50 4-4-2 (CoPt /ZnOx)n多層薄膜的微結構 50 4-4-3 (CoPt /ZnOx)n多層薄膜的磁性質 51 4-4-4 (CoPt /ZnOx)n多層薄膜的TEM微結構 52 4-5 最佳垂直膜面磁性質之膜層結構與製程條件 53 4-6 (CoPt)1-y-(ZnOx)y顆粒狀薄膜的製作 53 4-6-1 (CoPt)1-y(ZnOx)y合金薄膜之顯微結構與磁性質研究 54 4-6-1-1 ZnOx的體積分率對(CoPt)1-y(ZnOx)y合金薄膜微結構的影響 54 4-6-1-2 ZnOx的體積分率對(CoPt)1-y-(ZnOx)y合金薄膜磁性質與TEM微結構的影響 55 4- 7 (CoPt)1-y(ZnOx)y/ Ag雙層薄膜之顯微結構與磁性質研究 56 4-7-1 ZnOx的體積分率對(CoPt)1-y(ZnOx)y/ Ag合金薄膜微結構的影響 56 4-6-2 ZnOx的體積分率對(CoPt)1-y(ZnOx)y / Ag(30 nm)合金薄膜磁性質和TEM微結構的影響 57 第五章 結論 123 參考文獻 125 圖目錄 圖1 - 1 第一顆硬碟RAMAC的照片[ 5 ]。 3 圖1 - 2 硬碟記錄密度的成長曲線圖[ 6 ]。 3 （areal density = bits per inch along the track × track per inch radially on the disk） 3 圖1 - 3 2005年東芝推出之垂直記錄1.8吋40Gb(左)/80Gb(右)硬碟[ 7 ]。 4 圖1 - 4 2009年日立推出記錄容量為2TB的3.5吋硬碟(型號：7k2000)[ 8 ]。 4 圖2 - 1 水平與垂直磁記錄示意圖：（a）為水平磁記錄，（b）為垂直磁記錄[ 60 ]。 18 圖2 - 2 磁記錄系統各種要求之間的競爭示意圖[ 61 ]。 18 圖2 - 3 本質矯頑磁力與顆粒尺寸的關係圖[ 10 ]。 19 圖2 - 4 CoCrPt-SiO2顆粒膜微結構示意圖[ 29 ]。 20 圖2 - 5 Co-Pt二元合金相圖。 20 圖2 - 6 CoPt合金主要的三種結構[ 61 ]。 21 圖3 - 1 實驗流程圖。 22 圖3 - 2 靶材位置示意圖。 31 圖3 - 3 高真空濺鍍系統外觀之照片。 31 圖3 - 4 腔體內部橫截面示意圖。 32 圖3 - 5 Lake Shore Model 7407型VSM照片。 32 圖3 - 6 VSM量測系統示意圖。 33 圖3 - 7 1737康寧玻璃基板的VSM背景訊號。 33 圖3 - 8 MPMS® SQUID VSM system with EverCool™ 34 圖3 - 9 JEOL JXA-8200型EPMA照片。 34 圖3 - 10 電子探測微分析儀示意圖。 35 圖3 - 11 Nanopics 2100/NPX200型原子力顯微鏡儀器裝置圖 35 圖3 - 12 簡易的AFM量測原理。 36 圖3 - 13 XRD儀器裝置圖 36 圖3 - 14 XRD量測原理。 37 圖3 - 15 Philips Tecnai F20型TEM照片。 37 圖3 - 16 EDS量測系統示意圖。 38 圖3 - 17 EDS的分析結果。 38 圖3 - 18 穿透式電子顯微鏡平面影像（plane-view）之試片製作簡易流程示意圖：(a）完整膜層橫截面示意圖，（b）利用Ar離子束由下往上減薄試片，（c）利用Ar離子束由上往下減薄試片，（d）最後TEM觀察的位置。 39 圖3 - 19 TEM試片膜面對貼之橫截面照片。 （膜層結構為：SiNx 20 nm / TbCo 90 nm / SiNx 10 nm / SiO2 2 nm / Si substrate） 39 圖4 - 1 不同合金成分的單層CoPt薄膜於室溫初鍍的X-ray繞射圖。 61 圖4 - 2 不同合金成分的單層CoPt薄膜於500℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 61 圖4 - 3 不同合金成分的單層CoPt薄膜於600℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 62 圖4 - 4 不同合金成分的單層CoPt薄膜於700℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 62 圖4 - 5 在不同的退火溫度退火30分鐘後，單層CoPt薄膜之Co原子百分比與矯頑磁力的關係。 63 圖4 - 6 在不同的退火溫度退火30分鐘後，單層CoPt薄膜之Co原子百分比與垂直膜面矯頑磁力的關係。 63 圖4 - 7 在不同的退火溫度退火30分鐘後，單層CoPt薄膜之Co原子百分比與平行膜面矯頑磁力的關係。 64 圖4 - 8 在不同的退火溫度退火30分鐘後，單層CoPt薄膜之Co原子百分比與垂直膜面角形比的關係。 64 圖4 - 9 在不同的退火溫度退火30分鐘後，單層CoPt薄膜之Co原子百分比與平行膜面角形比的關係。 65 圖4 - 10 在700℃退火30分鐘，單層CoPt薄膜之Co原子百分比與垂直及平行膜面角形比的關係。 65 圖4 - 11 單層Co56.42Pt43.58薄膜在700℃退火30分鐘之磁滯曲線圖。 66 圖4 - 12 20 nm單層Co56.42Pt43.58薄膜在700℃退火30分鐘後，不同倍率的TEM plane-view影像：(a) 低倍率影像，(b) 高倍率影像。 66 圖4 - 13 Ag塊材的JCPDS card。 67 圖4 - 14 不同厚度的初鍍CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜之X-ray繞射圖： (a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 69 圖4 - 15 不同厚度的CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜於500℃退火30分鐘之X-ray繞射圖：(a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 71 圖4 - 16 不同厚度的CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜於600℃退火30分鐘之X-ray繞射圖：(a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 73 圖4 - 17 不同厚度的CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜於700℃退火30分鐘之X-ray繞射圖： (a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81。 75 圖4 - 18 CoxPt1-x/ Ag (30 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後，CoPt厚度與I001/ I002比值的關係圖。 76 圖4 - 19 CoxPt1-x/ Ag (30 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後，CoPt厚度與I001/ I111比值的關係圖。 76 圖4 - 20 在不同的退火溫度退火30分鐘後，CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜之CoPt厚度與垂直膜面矯頑磁力Hc⊥的關係圖： (a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 78 圖4 - 21 在不同的退火溫度退火30分鐘後，CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜之CoPt厚度與平行膜面矯頑磁力Hc//的關係圖： (a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 80 圖4 - 22 在不同的退火溫度退火30分鐘後，CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜之CoPt厚度與垂直膜面角形比S⊥的關係圖： (a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 82 圖4 - 23在不同的退火溫度退火30分鐘後，CoxPt1-x (10~50 nm)/ Ag (30 nm)薄膜之CoPt厚度與平行膜面角形比S//的關係圖： (a) Co52.59Pt47.51 (b) Co56.42Pt43.58 (c) Co58.19Pt41.81 。 84 圖4 - 24 Co56.42Pt43.58 (20 nm)/ Ag (30 nm)薄膜經過700℃退火30分鐘後的磁滯曲線。 84 圖4 - 25 CoPt (20 nm)/ Ag (30 nm)薄膜於700℃退火30分鐘之TEM plane-view明視野影像圖。 85 圖4 - 26 ZnO的三種晶體結構：(a) rocksalt (B1)、(b) zinc blende (B3)、(c) wurtzite (B4)。 85 圖4 - 27 Wurtzite ZnO結構示意圖：a代表basal plane上的晶格常數，c在basal direction上，b為最相近兩原子之間的距離。 86 圖4 - 28 ZnO塊材的JCPDS card。 86 圖4 - 29不同濺鍍功率密度鍍製的單層ZnOx薄膜在室溫初鍍之X-ray繞射圖。 87 圖4 - 30 ZnO二元相圖 87 圖4 - 31 不同濺鍍功率密度鍍製的單層ZnOx薄膜於400℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 88 圖4 - 32 不同濺鍍功率密度鍍製的單層ZnOx薄膜於500℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 88 圖4 - 33 不同濺鍍功率密度鍍製的單層ZnOx薄膜於600℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 89 圖4 - 34 不同濺鍍功率密度鍍製的單層ZnOx薄膜於700℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 89 圖4 - 35 CoPt/ ZnOx雙層薄膜於室溫初鍍之X-ray繞射圖。 90 圖4 - 36 CoPt/ ZnOx雙層薄膜於400℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 90 圖4 - 37 CoPt/ ZnOx雙層薄膜於500℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 91 圖4 - 38 CoPt/ ZnOx雙層薄膜於600℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 91 圖4 - 39 CoPt/ ZnOx雙層薄膜於700℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 92 圖4 - 40 在不同的ZnOx濺鍍功率密度之下，CoPt/ ZnOx雙層薄膜於400℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) 1.97 watt/ cm2、(b) 2.81 watt/ cm2、(c) 3.85watt/ cm2、(d) 5.53 watt/ cm2、(e) 7.40 watt/ cm2。 93 圖4 - 41 在不同的ZnOx濺鍍功率密度之下，CoPt/ ZnOx雙層薄膜於500℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) 1.97 watt/ cm2、(b) 2.81 watt/ cm2、(c) 3.85watt/ cm2、(d) 5.53 watt/ cm2、(e) 7.40 watt/ cm2。 94 圖4 - 42 在不同的ZnOx濺鍍功率密度之下，CoPt/ ZnOx雙層薄膜於600℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) 1.97 watt/ cm2、(b) 2.81 watt/ cm2、(c) 3.85watt/ cm2、(d) 5.53 watt/ cm2、(e) 7.40 watt/ cm2。 95 圖4 - 43 在不同的ZnOx濺鍍功率密度之下，CoPt/ ZnOx雙層薄膜於700℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) 1.97 watt/ cm2、(b) 2.81 watt/ cm2、(c) 3.85watt/ cm2、(d) 5.53 watt/ cm2、(e) 7.40 watt/ cm2。 96 圖4 - 44 CoPt/ ZnOx(1.97 watt/ cm2)雙層薄膜在700℃退火30分鐘之TEM plane-view明視野影像圖。 97 圖4 - 45 CoPt/ ZnOx(2.81 watt/ cm2)雙層薄膜在700℃退火30分鐘之TEM plane-view明視野影像圖。 97 圖4 - 46 (CoPt/ ZnOx)n (n=3、5、7、9)之多層薄膜結構示意圖。 98 圖4 - 47 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於室溫初鍍之X-ray繞射圖。 98 圖4 - 48 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於400℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 99 圖4 - 49 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於500℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 99 圖4 - 50 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於600℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 100 圖4 - 51 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於700℃退火30分鐘之X-ray繞射圖。 100 圖4 - 52 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於400℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) n=3、(b) n=5、(c) n=7、(d) n=9。 101 圖4 - 53 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於500℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) n=3、(b) n=5、(c) n=7、(d) n=9。 102 圖4 - 54 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於600℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) n=3、(b) n=5、(c) n=7、(d) n=9。 103 圖4 - 55 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於700℃退火30分鐘之磁滯曲線圖：(a) n=3、(b) n=5、(c) n=7、(d) n=9。 104 圖4 - 56 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於700℃退火30分鐘之薄膜層數與矯頑磁力Hc的關係圖。 105 圖4 - 57 (CoPt/ ZnOx)n多層薄膜於700℃退火30分鐘之薄膜層數與角形比S的關係圖。 105 圖4 - 58 (CoPt/ ZnOx)3多層薄膜於700℃退火30分鐘之TEM plane-view明視野影像圖。 106 圖4 - 59 (CoPt/ ZnOx)9多層薄膜於700℃退火30分鐘之TEM plane-view明視野影像圖。 106 圖4 - 60 CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜的膜層結構示意圖。 107 圖4 - 61 CoPt-ZnOx (20 nm)/ Ag (30 nm)的膜層結構示意圖。 108 圖4 - 62 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜於室溫初鍍的X-ray繞射圖。 108 圖4 - 63 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜於600℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 109 圖4 - 64 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 109 圖4 - 65 CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與I001/ I002比值的關係圖。 110 圖4 - 66 CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與Hc的關係圖。 110 圖4 - 67 CoPt-ZnOx (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與S的關係圖。 111 圖4 - 68 (CoPt)95(ZnOx)5 (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後的磁滯曲線。 111 圖4 - 69 (CoPt)95(ZnOx)5 (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後的TEM plane-view明視野影像圖。 112 圖4 - 70 (CoPt)75(ZnOx)25 (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後的磁滯曲線。 112 圖4 - 71 (CoPt)50(ZnOx)50 (20 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後的磁滯曲線。 113 圖4 - 72 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於室溫初鍍的X-ray繞射圖。 113 圖4 - 73 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx / Ag薄膜於400℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 114 圖4 - 74 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於500℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 114 圖4 - 75 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於600℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 115 圖4 - 76 不同ZnOx體積百分比的CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於700℃退火30分鐘的X-ray繞射圖。 115 圖4 - 77 CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於不同溫度退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與垂直膜面矯頑磁力Hc⊥的關係圖。 116 圖4 - 78 (CoPt)95(ZnOx)5/ Ag薄膜於700℃退火30分鐘後之TEM plane-view明視野影像圖。 116 圖4 - 79 (CoPt)75(ZnOx)25/ Ag薄膜於700℃退火30分鐘後之TEM plane-view明視野影像圖：(a) 低倍率影像、(b) 高倍率影像。 117 圖4 - 80 (CoPt)75(ZnOx)25/ Ag薄膜之EDS分析結果(CoPt)。 118 圖4 - 81 (CoPt)75(ZnOx)25/ Ag薄膜之EDS分析結果(Ag)。 118 圖4 - 82 (CoPt)50(ZnOx)50/ Ag薄膜於700℃退火30分鐘後之TEM plane-view明視野影像圖。 119 圖4 - 83 (CoPt)50(ZnOx)50/ Ag薄膜之EDS分析結果(CoPt)。 119 圖4 - 84 (CoPt)50(ZnOx)50/ Ag薄膜之EDS分析結果(Ag)。 120 圖4 - 85 CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於不同溫度退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與平行膜面矯頑磁力Hc//的關係圖。 120 圖4 - 86 CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於600℃與700℃退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與矯頑磁力Hc的關係圖。 121 圖4 - 87 CoPt-ZnOx/ Ag薄膜於700℃退火30分鐘後，ZnOx體積百分比與角形比的關係圖。 121 圖4 - 88 (CoPt)95(ZnOx)5(20 nm)/ Ag (30 nm)薄膜於700℃退火30分鐘後的磁滯曲線圖。 122 表目錄 表2 – 1 各種磁性材料的本質磁性質。……………………………………………...19 表3 – 1 製程參數表。…………………………………………………………………25 表4 - 1 於700℃退火30分鐘後，不同底層與膜層結構之CoPt薄膜性質比較。 ……………………………………………………………………………….107 表4 - 2在700℃退火30分鐘後，不同膜層的磁性質比較。……………………..122 | |
| dc.language.iso | zh-TW | |
| dc.subject | ZnO | zh_TW |
| dc.subject | 垂直記錄 | zh_TW |
| dc.subject | CoPt | zh_TW |
| dc.subject | 顆粒狀薄膜 | zh_TW |
| dc.subject | CoPt | en |
| dc.subject | magnetron sputtering | en |
| dc.subject | granular CoPt films | en |
| dc.subject | ZnO | en |
| dc.title | CoPt-ZnOx/ Ag複合磁記錄薄膜之顯微結構與磁性質研究 | zh_TW |
| dc.title | Microstructures and magnetic properties of CoPt-ZnOx/ Ag composite magnetic recording thin films | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 98-2 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 黃暉理,陳勝吉 | |
| dc.subject.keyword | 垂直記錄,CoPt,ZnO,顆粒狀薄膜, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | magnetron sputtering,CoPt,ZnO,granular CoPt films, | en |
| dc.relation.page | 129 | |
| dc.rights.note | 有償授權 | |
| dc.date.accepted | 2010-07-30 | |
| dc.contributor.author-college | 工學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 材料科學與工程學研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 材料科學與工程學系 | |
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|---|---|---|---|
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