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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/35311
標題: | 多銦氮化銦鎵薄膜之電子傳輸特性 Electron transport in In-rich InxGa1-xN films |
作者: | Shih-Kai Lin 林士凱 |
指導教授: | 梁啟德(Chi-Te Liang) |
共同指導教授: | 張本秀(Pen-Hsiu Chang) |
關鍵字: | 氮化銦鎵, InGaN, |
出版年 : | 2005 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本論文主要是探討多銦氮化銦鎵薄膜InxGa1-xN (x = 1, 0.98, 0.92,
0.8, 0.7) 的電子傳輸性質。我們測量了大溫度範圍下氮化銦鎵的電子 傳輸特性。我們發現在實驗誤差範圍內,樣品的載子濃度在測量的溫 度範圍內幾乎與溫度無關,這是金屬的行為。此外我們利用van der Pauw 四點量測法計算樣品的電阻率。綜合電阻率與載子濃度的數據 顯示,我們的樣品隨著鎵的成分上升,有一個由金屬到半導體的轉 變。我們也計算了樣品的載子遷移率,載子遷移率在整個量測的溫度 範圍內,隨著鎵成分的升高而降低,這也印證了氮化銦的傳輸特性優 於氮化鎵。由於金屬電阻率在低溫下遵守Bloch T5 定理,對於銦濃 度大於等於92% 的樣品,我們檢查了它們的電阻率與Bloch T5 定 理的符合程度。分析的結果顯示高銦成分的樣品的電阻率非常符合 Bloch T5 定理,從而進一步的支持了高銦濃度的氮化銦鎵薄膜傳輸特 性與金屬十分類似。 This thesis focuses on electron transport properties in InxGa1−xN (x =1, 0.98, 0.92, 0.8, 0.7) thin films. We have performed transport measurements on InxGa1−xN thin films over a wide temperature range. We observed that within experimental error, the carrier densities are temperature independent. Besides, the resistivities, combined with the carrier densities, show a tendency of transition from metal to semiconductor with increasing Ga composition. The calculated mobility shows that for metallic like samples (InxGa1−xN with x ≥0.92), the dominant scattering mechanism is the imperfection scattering over the whole temperature range. We also showed that Bloch T5 curves fit very well the resistivities of samples InxGa1−xN with x =1, 0.98, 0.92, once again supporting that very high In composition InxGa1−xN films can be considered as degenerate electron systems in which the Fermi level is much higher than conduction-band bottom over the whole measurement range. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/35311 |
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顯示於系所單位: | 物理學系 |
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