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| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 郭博成 | |
| dc.contributor.author | Shang-Lin Hsu | en |
| dc.contributor.author | 徐上林 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-13T00:13:21Z | - |
| dc.date.available | 2007-07-30 | |
| dc.date.copyright | 2007-07-30 | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.date.submitted | 2007-07-26 | |
| dc.identifier.citation | 參考文獻
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| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/28592 | - |
| dc.description.abstract | 摘要
本研究以直流磁控濺鍍的方式分別鍍製Pt底層於康寧玻璃基板上，並採用具有高磁晶異向性常數之Co3Pt薄膜為磁性記錄層，最後加入Pt保護層，以形成Pt/Co3Pt/Pt/Glass，或是不加入保護層的Co3Pt/Pt/Glass。探討不同底層厚度、Co3Pt磁性記錄層的厚度及退火溫度對Co3Pt薄膜之顯微結構及磁性質的影響。 經XRD及TEM微結構分析結果，Pt底層具有很強的(111)從優取向，經由磊晶作用能誘發Co3Pt磁性層之CoPt (002)從優取向，而Co3Pt薄膜也由水平轉為垂直磁異向性。經VSM磁性質分析結果發現，在退火後不加入Pt保護層之Co3Pt/Pt/Glass比有Pt保護層之Pt/Co3Pt/Pt/Glass薄膜之垂直磁異向性較好。我們將初鍍之Co3Pt (14 nm)/Pt (200 nm) /Glass薄膜經300℃退火後，可得到最佳的磁性質，其Hc⊥ 值為3800 Oe，Ms值為651 emu/cm3及S⊥ 值為0.923，具有應用於垂直磁記錄媒體之潛力。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | Abstract
Pt underlayer is deposited on the 1737 Corning glass by DC magnetron sputtering, then the Co3Pt film which possess high magnetocrystalline anisotropy is deposited on the Pt layer . In order to avoid oxidation, the Pt capped layer is deposited on the Co3Pt/Pt/Glass film as the protecting layer. In this study, we investigated the effects of Pt underlayer thickness and Co3Pt thickness on the microstructure and magnetic properties of Co3Pt/Pt/Glass film with or without Pt capped layer. From the microstructure analysis of XRD and TEM, it is found that the Pt underlayer possess (111) preferred orientation. The magnetic easy axis of Co3Pt film is transferred from in-plane to out-of-plane as Pt (111) under layer is added, due to the epitaxy between Pt (111) and CoPt (002) films. The M-H loops analysis of Co3Pt/Pt /Glass with or without Pt capped layer show that the Co3Pt/Pt/Glass films without Pt capped layer have much larger magnetic perpendicular anisotropy than that with Pt capped layer. After the Co3Pt (14 nm)/Pt (200 nm)/Glass film without Pt capped layer is annealed at 300℃ for 30 minutes, the Hc⊥, Ms , and S⊥ are 3800 Oe, 651 emu/cm3, and 0.923, respectively. It has significant potential to be applied as the perpendicular magnetic recording medium. | en |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-13T00:13:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-96-R94527064-1.pdf: 12744836 bytes, checksum: 7e6ac51eef323233e4d55dfb80d61e73 (MD5) Previous issue date: 2007 | en |
| dc.description.tableofcontents | 目 錄
口試委員會審定書…………………………………………………......I 誌謝…………………………………………………………………….II 中文摘要 III 英文摘要 IV 目錄 V 圖目錄 IX 表目錄 XVII 第一章、前言 1 第二章、理論基礎與文獻回顧 3 2-1 理論基礎 3 2-1-1 磁記錄的挑戰 3 2-1-2 垂直磁記錄 3 2-1-3 磁異向性 4 2-1-4 Co3Pt合金的優點 5 2-1-5 Co3Pt合金薄膜產生垂直磁異向性的方法 7 2-1-6 稀土-過渡合金 7 2-1-7 混合記錄媒體 9 2-2 文獻回顧 9 2-3 研究方向 17 第三章、實驗流程與分析方法 28 3-1 實驗流程圖 28 3-2 基板製備 29 3-2-1 基板選取 29 3-2-2 基板清洗 29 3-3 靶材選取 30 3-3-1 底層靶材 30 3-3-2 磁性層靶材 30 3-4 實驗裝置與薄膜製備 30 3-4-1 實驗裝置 30 3-4-2 Co-Pt及Tb-Co薄膜濺鍍 31 3-4-3 熱處理 32 3-5 試片分析 32 3-5-1 薄膜組成分析 32 3-5-2 AFM膜厚測定 32 3-5-3 XRD結構分析 33 3-5-4 TEM微結構觀察 33 3-5-5 VSM磁性量測 35 3-5-6 歐傑電子光譜(AES) 35 3-5-7 ESCA表面分析 35 第四章、實驗結果與討論 42 4-1 Pt/Co3Pt/Glass薄膜之製作 42 4-1-1退火溫度對Pt/Co3Pt/Glass薄膜之磁性質影響 42 4-1-2退火溫度對Pt/Co3Pt/Glass薄膜之微結構影響 43 4-2 Pt/Co3Pt/Pt/Glass薄膜之製作 43 4-2-1 Pt底層厚度對有保護層之Pt/Co3Pt/Pt/Glass薄膜磁性質之影響 43 4-2-2 Pt底層厚度對有保護層之Pt/Co3Pt/Pt/Glass薄膜微結構之影響 50 4-2-3 退火溫度對有保護層之Pt/Co3Pt/Pt/Glass與無保護層之Co3Pt/Pt/Glass薄膜之影響比較 52 4-2-3-a 退火溫度對Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜之影響比較 52 4-2-3-b 退火溫度對Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜之影響比較 54 4-2-3-c 退火溫度對Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜之影響比較 56 4-2-3-d 退火溫度對Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜之影響比較 58 4-2-4 有保護層之Pt/Co3Pt/Pt/Glass與無保護層之Co3Pt/Pt/Glass薄膜之比較 ………………………………………………………………………………60 4-2-4-a VSM磁性質分析 60 4-2-4-b XRD微結構分析 62 4-2-4-c HRTEM橫截面顯微結構及成份分析 62 4-2-4-d AES元素縱深分佈 64 4-2-4-e XPS表面及縱深成份分析 65 4-3 Co3Pt/Pt/Glass薄膜之製作 67 4-3-1 Co3Pt磁性層厚度對Co3Pt/Pt/Glass薄膜磁性質之影響 67 4-3-2 Co3Pt磁性層厚度對Co3Pt/Pt/Glass薄膜微結構之影響 73 4-3-3 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜之磁性質與微結構 74 4-4 SiNx/TbCo/Co3Pt/Glass雙層薄膜之磁性質研究 77 4-4-1初鍍單層TbCo薄膜之磁性質 77 4-4-2 SiNx/TbCo/Co3Pt/Glass薄膜之磁性質 78 第五章、結論 136 參考文獻 138 圖目錄 圖2-1水平與垂直磁記錄系統剖面圖。 18 圖2-2 (a)為水平及垂直兩種記錄方式的磁化轉換情形。 (b)為水平記錄薄膜與垂直記錄薄膜磁化過渡區的比較。 18 圖2-3 本質矯頑磁力與磁性顆粒大小的關係。 19 圖2-4 在不同底層下Co-Pt薄膜之Ku值和Pt含量之關係。 21 圖2-5各種硬磁材料之Ku值與Ms2的關係。 21 圖2-6 Co3Pt(α)與Pt(β)間形成半整合性的介面(semi-coherent interface)示意圖。23 圖2-7 Co3Pt磁性層與Pt底層之磊晶示意圖。 23 圖2-8 CoPt相圖。 24 圖2-9 非晶質RE-TM二元合金薄膜之居里溫度和過渡金屬含量x的關係。24 圖2-10雙層薄膜媒體在熱磁記錄的示意圖。 25 圖2-11 TbFeCo薄膜中Co、Fe及Tb之subnetwork的Magnetization 與溫度的關係。 25 圖2-12 (a)熱寫磁讀雙層記錄媒體的膜層結構示意圖。(b)熱寫磁讀雙層記錄媒體的讀出層和記錄層之Ms及Hc溫度的關係圖。 26 圖2-13 (a) FI/FI雙層磁性薄膜磁矩示意圖。(b) FI/FI與FM/AFM雙層薄膜在界面處磁矩偶合示意圖。 27 圖3-1 實驗流程圖 28 圖3-2 靶材裝置示意圖。 37 圖3-3 水冷式真空磁控濺鍍系統。 37 圖3-4 Co3Pt薄膜之EDX的X射線能量散佈光譜圖。 38 圖3-5 AFM量測薄膜厚度圖。 38 圖3-6 AFM之3-D立體影像圖。 39 圖3-7 X光繞射儀之基本原理示意圖。 39 圖3-8 VSM儀器設備圖。 40 圖3-9 AES電子能位示意圖。 40 圖3-10 歐傑電子元素縱深分佈分析原理示意圖。 41 圖3-11 ESCA光電子發生原理之示意圖。 41 圖4-1 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Glass薄膜在(a)初鍍以及經(b)275℃、(c)300℃及(d)350℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。 80 圖4-2 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其頑磁力Hc以 及飽和磁化量Ms與退火溫度之關係。…………………………………...80 圖4-3 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其角型比S與退火溫度之關係。……………………………………………………………….81 圖4-4 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Glass薄膜(a)初鍍及與(b)275℃、(c) 300℃及(d)350℃退火30min後所測量XRD圖形。 81 圖4-5初鍍之不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜所測量 的水平及垂直膜面磁滯曲線，其中Pt 之厚度分別為(a)t=0nm、(b)t=20nm、(c)t=50nm、 (d)t=100nm、(e)t=150nm及(f)t=200nm。………………….82 圖4-6初鍍之不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜頑磁力 Hc以及飽和磁化量Ms與Pt底層厚度關係。…………………………...83 圖4-7初鍍之不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜角型比 S與Pt底層厚度關係。……………………………………………………83 圖4-8不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)薄膜經275℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，其中Pt 之厚度分別為(a)t=0nm、 (b)t=20nm、(c)t=50nm、(d)t=100nm、(e)t=150nm及(f)t=200nm。 84 圖4-9不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經275℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Pt底層厚度關係。…………………85 圖4-10不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經275℃退火後之角型比S與Pt底層厚度關係。 85 圖4-11不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經300℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，其中Pt 之厚度分別為(a)t=0nm、 (b)t=20nm、(c)t=50nm、(d)t=100nm、(e)t=150nm及(f)t=200nm。 86 圖4-12不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經300℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Pt底層厚度關係。………………87 圖4-13不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經300 ℃退火後之角型比S與Pt底層厚度關係。 87 圖4-14不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經350℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，其中Pt之厚度分別為(a)t=0nm、(b)t=20nm、(c)t=50nm、(d)t=100nm、(e)t=150nm及(f)t=200nm。 88 圖4-15不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經350 ℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量M與Pt底層厚度關係。………89 圖4-16不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經350 ℃退火後之角型比S與Pt底層厚度關係。………………………………89 圖4-17不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經375℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，其中Pt 之厚度分別為(a)t=0nm、 (b)t=20nm、(c)t=50nm、(d)t=100nm、(e)t=150nm及(f)t=200nm。 90 圖4-18不同底層Pt厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經375℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Pt底層厚度關係。……………..91 圖4-19不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass薄膜經375℃退火後之角型比S與Pt底層厚度關係。……………………………………..91 圖4-20不同Pt底層厚度之Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(t nm)/Glass在(a)初鍍、(b)275℃、(c)300℃、(d)350℃及(e)375℃溫度退火30min後之XRD圖形。…92 圖4-21 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。…………………………………………………………………………93 圖4-22 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與退火溫度關 係。……………………………………….……….........…………………..94 圖4-23 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其角型比S與退火溫度之關係。…………………………………………………..94 圖4-24 Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300 ℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量XRD圖形。…………….95 圖4-25 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。…………………………………………………………………………96 圖4-26 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與退火溫度之關係。………………………..97 圖4-27 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min 後其角型比S與退火溫度之關係。………………………………………97 圖4- 28 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量XRD圖形。 98 圖4-29 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後之TEM橫截面明視野影像。 99 圖4-30為圖4-29 圓圈區域放大所得的TEM橫截面明視野影像。 99 圖4-31為圖4-30 圓圈區域放大所得的TEM橫截面明視野影像。…………….100 圖4-32為Pt 底層與Co3Pt磁性層界面局部放大所得的TEM橫截面明視野影像。 100 圖4-33 Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。…….101 圖4-34 Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與退火溫度之關係。 102 圖4-35 Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其角型 比S與退火溫度之關係。……………………………………………….102 圖4- 36 Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量XRD圖形。………………………...103 圖4-37 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。…….104 圖4-38 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與退火溫度之關係。………………………………….105 圖4-39 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其角型 比S與退火溫度之關係。……………………………………………….105 圖4-40 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜(a)初鍍與經(b)275℃、(c)300℃、(d) 350℃及(e)375℃退火30min後所測量XRD圖形。 106 圖4-41初鍍膜經300℃退火後之VSM磁滯曲線， (a)Pt(5nm)/Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass，(b)Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass， (c)Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass，d)Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass。 …………………………………………………………………………….106 圖4-42初鍍膜經不同溫度退火30min後其垂直方向頑磁力Hc⊥與退火溫度之關係(a)磁性層Co3Pt(21nm)(b)磁性層Co3Pt(14nm)。………………… 107 圖4-43初鍍膜經300℃退火後之XRD曲線圖， (a)Pt(5nm)/Co3Pt (21nm)/Pt(100nm)/Glass，(b)Co3Pt(21nm)/Pt(100nm)/Glass， (c)Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass，(d)Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass。…………………………………….107 圖4-44 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後之TEM橫 截面明視野影像。 ………………………………………………………108 圖4-45為圖4-44圓圈區域放大所得的TEM橫截面明視野影像。 108 圖4-46為圖4-45圓圈區域放大所得的TEM橫截面明視野影像。 109 圖4-47為圖4-46圓圈區域放大所得的高解析晶格影像。 109 圖4-48為圖4-47高解析晶格影像選擇A、B、C、D及E區域分別作EDS成分分析之結果。 110 圖4-49 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後之縱深成份分佈示意圖。 111 圖4-50為初鍍Co3Pt (14 nm)/Pt (100 nm)薄膜之歐傑元素縱深分析圖。………111 圖4-51 Ellingham Diagram。……………………………………………………….112 圖4-52 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後之歐傑元素縱深分析圖。 113 圖4-53 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後之歐傑元素縱深分析圖。………………………………………………………….113 圖4-54 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜及經300℃退火30min之ESCA縱深光電子訊號圖 ，其中(a)初鍍試片分析氧元素能量範圍(b)300 ℃退火後分析氧元素能量範圍(c)初鍍試片分析鈷元素能量範圍(d) 300 ℃退火後分析鈷元素能量範圍……………………………………………………………..114 圖4-55 Pt(5nm)/Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後之ESCA 縱深光電子訊號圖 ，其中 (a)分析氧元素之能量範圍(b)分析鈷元素之能 量範圍。………………………………………………………………….115 圖4-56初鍍之不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass所測量的水 平及垂直膜面磁滯曲線，Co3Pt之厚度分別為(a)t=7nm、(b)t=14nm、(c)t=18nm、(d)t=21nm及(e)t=28nm。…………………………………115 圖4-57初鍍之不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Co3Pt磁性層厚度關係。 116 圖4-58初鍍之不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass 之角型比S與Co3Pt磁性層厚度關係。………………………………..116 圖4-59不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經275℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，Co3Pt之厚度分別為(a)t=7nm、(b)t=14nm、(c)t=18nm、(d)t=21nm及(e)t=28nm。 117 圖4-60不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經275℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Co3Pt磁性層厚度關係。 118 圖4-61不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經275℃退火後之角型比S與Co3Pt磁性層厚度關係。 118 圖4-62不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，Co3Pt之厚度分別為(a)t=7nm、(b)t=14nm、(c)t=18nm、(d)t=21nm及(e)t=28nm。…………………….119 圖4-63不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Co3Pt磁性層厚度關係。……….120 圖4-64不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經300℃退火後之角型比S與Co3Pt磁性層厚度關係。 120 圖4-65不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經350℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，Co3Pt之厚度分別為(a)t=7nm、 (b)t=14nm、(c)t=18nm、(d)t=21nm及(e)t=28nm。 121 圖4-66不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經350℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Co3Pt磁性層厚度關係。………..122 圖4-67不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經350℃退火後之角型比S與Co3Pt磁性層厚度關係。 122 圖4-68不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經375℃退火後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線，Co3Pt之厚度分別為(a)t=7nm、 (b)t=14nm、(c)t=18nm、(d)t=21nm及(e)t=28nm。…………………….123 圖4-69不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經375℃退火後之頑磁力Hc以及飽和磁化量Ms與Co3Pt磁性層厚度關係。 124 圖4-70不同磁性層Co3Pt厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜經375℃退火後之角型比S與Co3Pt磁性層厚度關係。 124 圖4-71不同Co3Pt磁性層厚度之Co3Pt(t nm)/Pt(100nm)/Glass薄膜在(a)初鍍及經 (b)275℃、(c)300℃、(d)350℃及(e)375℃溫度退火30min後之XRD圖形。 ……………………………………………………………………………….125 圖4-72 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜在(a)初鍍及經(b)275℃、(c)300℃、(d)350℃，(e)375℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。 126 圖4-73 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其頑磁 力Hc以及飽和磁化量Ms與退火溫度之關係。………………………127 圖4-74 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜經不同溫度退火30min後其角型比S與退火溫度之關係。 127 圖4-75 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜在(a)初鍍與經(b)275℃、(c) 300℃、(d) 350℃及(e) 375℃退火30min後所測量的XRD圖形。 128 圖4-76 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)薄膜經300℃退火30min後之TEM橫截面明視野 影像。……………………………………………………………………..129 圖4-77為圖4-76 圓圈區域放大所得的TEM橫截面明視野影像。…………..129 圖4-78 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後發現有柱狀氧化物之TEM橫截面明視野影像。 130 圖4-79為圖4-78 圓圈局部放大所得的TEM橫截面明視野影像。 130 圖4-80為圖4-79 高解析晶格影像選擇柱狀氧化物區域作EDS成分分析之結果。 131 圖4-81 單層Tb30Co70(85nm)薄膜之水平及垂直膜面之磁滯曲線。……………132 圖4-82 SiNxTbCo/Co3Pt/Pt/Glass薄膜示意圖。……………………………..132 圖4-83 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass/Glass薄膜經300℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。………………………………………………133 圖4-84 Co3Pt(14nm)/Pt(100nm)/Glass/Glass薄膜經300℃退火30min後疊上TbCo所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。……………………………………133 圖4-85單層TbCo和Co3Pt/Pt(100nm)薄膜以及TbCo/Co3Pt/Pt(100nm)薄膜垂直膜面磁滯曲線之比較圖。………………………………………………134 圖4-86 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。………………………………………………………134 圖4-87 Co3Pt(14nm)/Pt(200nm)/Glass薄膜經300℃退火30min後疊上TbCo所測量的水平及垂直膜面磁滯曲線。………………………………………….135 圖4-88 單層TbCo和Co3Pt/Pt(200nm)薄膜以及TbCo/Co3Pt/Pt(200nm)薄膜垂直膜面磁滯曲線之比較圖。………………………………………………….135 表目錄 表2-1 鈷合金、L10鐵磁性材料與稀土-過渡(RE-TM)磁性材料的磁性質。…20 表2-2 Pt之JCPDS卡。 22 表3-1 製程參數表 31 | |
| dc.language.iso | zh-TW | |
| dc.subject | 磊晶作用 | zh_TW |
| dc.subject | Co3Pt薄膜 | zh_TW |
| dc.subject | Co3Pt film | en |
| dc.subject | epitaxy | en |
| dc.title | Co3Pt合金薄膜之顯微結構與磁性質研究 | zh_TW |
| dc.title | Study of microstructures and magnetic properties of
Co3Pt alloy thin film | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 95-2 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 許仁華,姚永德,張慶瑞 | |
| dc.subject.keyword | Co3Pt薄膜,磊晶作用, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | Co3Pt film,epitaxy, | en |
| dc.relation.page | 141 | |
| dc.rights.note | 有償授權 | |
| dc.date.accepted | 2007-07-28 | |
| dc.contributor.author-college | 工學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 材料科學與工程學研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 材料科學與工程學系 | |
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