隔離技術及外加機械應力效應矽鍺功率放大器

Abstract

在本論文中，我們將介紹幾種用於雙功率放大器間的隔離技術，再者將介紹經由外加雙軸機械應力而造成矽鍺異質接面電晶體電路的遷移率增加效應還有外加應力時所使用的設備及機構，最後我們將使用可調整式的匹配電路來解決因為外加應力時由於直流電流增加所造成的阻抗偏移效應。對於雙功率放大器隔離度設計而言，其第一次的雷射切割後等效的耦合效應量為-27.2 dB、第二次雷射切割後為-29.25 dB、其只開啟上部功率放大器、上下部同時開啟及下部功率放大器大於上部10dBm時的第一次的雷射切割後EVM分別為：11.4 dBm、8.9 dBm、及7.8 dBm，而第二次的雷射切割後EVM分別為：15 dBm、13.9 dBm及9.8 dBm。其只開啟上半部功率放大器時，18.6 dB的線性增益、25.3 dBm的1dB壓縮點功率及16.7 ％的壓縮點增加效益。在外加機械應力設計方面雖然在量測結果方面沒有很理想，但是阻抗偏移效應也提供了將來設計方面的一些方向，最後希望利用可調整式匹配電路架構用以解決阻抗偏移效應。

In this thesis, we will introduce several isolation technologies for dual power amplifiers, then we will introduce the mobility increase effect by applying external biaxial mechanical strained HBT power amplifier circuit and the strain mechanism and setup. Finally we use the tunable matching network to solve the impedance shift effect due to the increase dc current. For the isolation of dual power amplifiers, the amount of equivalent coupling effect at 2.45GHz before laser cut is -24.7dB, first laser cut is -27.2dB and second laser cut is -29.25dB. The EVM at 3% criterion after first laser cut of standalone condition is 11.4 dBm, equal power is 8.9 dBm and 10dB interference from down-PA is 7.8 dBm. After second laser cut of standalone is 15 dBm, equal power is 13.9 dBm and 10dB interference from down-PA is 9.8 dBm. The small signal gain, P1dB, and PAE at P1dB are 18.6dB, 25.3dBm and 16.7%, respectively.