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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/25009| 標題: | 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之製作與特性研究 Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN High Electron Mobility Field Effect Transistor |
| 作者: | Yin-Shuan Chin 金胤軒 |
| 指導教授: | 彭隆瀚 |
| 關鍵字: | 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體,歐姆接觸,歐姆掘入, AlGaN/GaN HEMT,Ohmic contact,Ohmic digging, |
| 出版年 : | 2007 |
| 學位: | 碩士 |
| 摘要: | 中文摘要
本研究參考傳統歐姆接觸製程，設計元件的歐姆接觸，並利用環形傳輸線模型(Circular transmission line model，CTLM)，蒸鍍金屬鈦/鋁/鈦/金(30 nm/120 nm/30 nm/150 nm)，在800度30秒的熱退火條件下，製作出0.47 Ω-mm的歐姆接觸電阻值；並發展歐姆掘入製程，即在歐姆接觸金屬之製作前，先使用蝕刻法，移去淺層歐姆接觸區域之氮化鋁鎵，期望得到增強的歐姆接觸特性。我們使用原子力顯微鏡(Atomic force microscope, AFM)與X射線光電子能譜儀(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)，分析歐姆掘入製程完成的樣品表面狀態，並量測得其歐姆接觸電阻值為從0.47 Ω-mm降低至0.31 Ω-mm，然而片電阻的變化也從385 Ω/sq增加到489 Ω/sq。 本研究繼而將歐姆掘入製程整合進入氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體製程中，並針對整合前後的差異，以閘極長度與寬度為2 Abstract We investigate methods of improving the electric properties of AlGaN/GaN field effect transistor (FET). An ohmic contact resistance of 0.47 |
| URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/25009 |
| 全文授權: | 未授權 |
| 顯示於系所單位： | 光電工程學研究所 |
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| 檔案 | 大小 | 格式 | |
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| ntu-96-1.pdf 目前未授權公開取用 | 3.99 MB | Adobe PDF |
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