熱電優值 ZT 量測方法之研究與實作

Abstract

本論文為了辨別熱電材料的好壞以選用最佳的熱電材料(thermoelectric material)和進一步量測實驗室所做出熱電元件的效率積極探討如何量測熱電優值ZT值，ZT值與席貝克係數(Seebeck coefficient)、導電率(electric conductivity)、熱傳導係數(thermal conductivity)、溫度(temperature)等等參數相關，為評斷熱電材料好壞的一個重要依據，目前實驗室已經可以使用直流電源供應器(DC power supply)與Agilent 34972A 機台量測出席貝克係數(Seebeck coefficient)等等重要參數，所缺少的熱傳導率k 值正參考Maciej Haras 等人[90]的量測手法積極量測中，使用實驗室目前所擁有的真空濺鍍機(sputter)、曝光機(exposing machine)、顯微鏡(microscope)、光阻塗佈機(photoresist spinner)、光罩(mask)、烤盤(hot plate)、E-gun等等半導體先進設備以及新竹國家奈米實驗室(NAR Labs)的先進技術設備支援利用先進半導體製程製作出量測所需的懸空樑結構元件，在合適的環境條件下進行精密量測，預計不久後能夠讓實驗室擁有獨立自主量測熱電優值ZT值的能力與方法。