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NTU Theses and Dissertations Repository
瀏覽 的方式: 作者 林浩雄(Hao-Hsiung Lin)
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2020
InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光電二極體之TCAD模擬、護環效應與暗電流分析
TCAD simulation, guard ring effect and dark current analysis of InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiode
Ying-Lun Kao; 高英倫
電子工程學研究所
2006
以k.p法研究砷化銦/砷化鎵之奈米結構
Studies of the Electronic Properties of InAs/GaAs Nanostructure using k.p Method
Chien-Ming Wu; 吳建民
光電工程學研究所
2016
以TCAD模擬n型砷化銦及高介電係數氧化層之金氧半電容元件特性
TCAD Simulation of n-type InAs MOSCAPs with High-κ Dielectric Layer
Chen-Lun Ting; 丁振倫
電子工程學研究所
2014
以X光吸收光譜研究銻氮砷化鎵材料短距離結構變化
Short-range structure of dilute nitride GaAsSbN studied by X-ray absorption spectroscopy
Bo-Wei Wang; 汪柏維
光電工程學研究所
2015
以X光吸收近緣結構分析矽在重度矽摻雜砷化銦中的短距離結構
Short-range structure of Si in heavily Si doped InAs studied by X-ray Absorption Near Edge Structure
Mu-Chi Liu; 劉牧奇
光電工程學研究所
2014
以x光繞射儀研究(111)銻砷化鎵內的相分離與雙晶缺陷
Study of phase separation and twin defect in (111) GaAsSb by X-ray diffraction
Yi-Heng Lin; 林奕亨
電子工程學研究所
2015
以X射線光電子能譜儀研究生長於銻磷砷化銦上 之原生氧化層特性
Properties of native oxide on InAsPSb studied by X-ray photoelectron spectroscopy
Chih-Ling Huang; 黃芷琳
電子工程學研究所
2010
以分子束磊晶法成長氮銻砷化鎵材料及應用
Molecular Beam Epitaxy of GaAsSbN and Its Applications
Ta-Chun Ma; 馬大鈞
電子工程學研究所
2017
以分子束磊晶法成長砷化銦奈米線及其材料特性研究
Study on the InAs nanowire characteristics grown by a molecular beam epitaxy system
Wei-Chieh Chen; 陳偉傑
光電工程學研究所
2016
以拉曼頻譜探悉砷化銦之光學特性
The Study on the Optical Properties of InAs by Raman Spectroscopy
Yu-Yin Wang; 王昱尹
光電工程學研究所
2009
以氣態源分子束磊晶成長銻磷砷化銦材料
Growth of InAsPSb Quaternary Alloy by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Gene Tsai; 蔡濟印
電子工程學研究所
2014
以顯微拉曼光譜探悉砷化銦奈米線之晶格動力學
Lattice Dynamics Investigation of InAs Nanowires by Micro Raman Spectroscopy
Chia-Hao Hsu; 許家豪
電子工程學研究所
2011
侷域性雙偏極化光外差干涉動態光散射量測系統之建立
Localized Dual-Polarization Differential Heterodyne Dynamic Light Scattering System
Li-Dek Chou; 周立德
電子工程學研究所
2020
光掃描式SWIR雷射雷達偵檢元件研製
Manufacture Process and Electrical Analysis of SWIR Lidar
Liang-Hsuan Nieh; 聶良軒
電子工程學研究所
2010
具有砷化銦量子點鄰近層的銻砷化鎵/砷化鎵第二型量子井及其在雷射的應用
Studies on GaAsSb/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum dot layer and its application to laser diodes
Jang-Hsuan Chu; 朱讓宣
電子工程學研究所
2020
分子束磊晶成長鉍薄膜的電性觀察與分析:半導體態、表面態和反弱局域
Electrical properties observation and analysis of Bismuth thin film grown by MBE: bulk state, surface state and weak antilocalization
Chien-Cheng Lu; 盧建成
光電工程學研究所
2020
分子束磊晶成長鉍薄膜的電特性與熱退火效應
Electrical properties and thermal annealing effect of Bismuth thin film grown by MBE
Yu Xiao; 蕭渝
電子工程學研究所
2005
分離式閘極非揮發性記憶體之研究
The Study of Split-Gate Non-Volatile Memory Technology
Wen-Ting Chu; 朱文定
電機工程學研究所
2015
利用X光繞射研究(111)B銻砷化鎵內雙晶缺陷生成的機制
Growth mechanism of twin defects in (111)B GaAsSb studied by X-ray diffraction spectroscopy
Shih-Chang Chen; 陳世昌
光電工程學研究所
2014
利用分子束磊晶搭配氧氣電漿成長二氧化鉿於矽/砷化銦基板
HfO2 on Si/ InAs Grown by Oxygen Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
Chang- Ying Chen; 陳昶穎
電子工程學研究所