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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/88029
標題: | 透過Fresnel 光學模擬來找出先進節點7奈米製程的最佳焦距製程參數範圍 Optimal focal length search of advanced process nodes in 7nm lithography process based on numerical calculation of the Fresnel method |
作者: | 曾彥紳 Yen-Shen Tseng |
指導教授: | 曾雪峰 Snow H. Tseng |
關鍵字: | Fresnel, Fresnel, |
出版年 : | 2023 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 近年來,由於疫情COVID-19影響和供應鏈短缺,並且伴隨著各種大量物聯網、車用半導體、雲端伺服器和深度學習伴隨著大量應用,因而造成半導體[2,3]需求大增,各國積極建設自己國家的半導體廠。其中,在中美貿易情況的惡劣環境下,中國大陸使用DUV可見光光刻機(193 nm波長光源),即使在良率極低的情況下,依然曝出7 nm製程節點,這結果更是令人興奮。在這份研究中,我們使用Fresnel 所提出的光學繞射理論[1,4,5],並搭配開發電腦MATLAB程式做數值計算,來計算並模擬分析DUV可見光光刻機在曝光7 nm製程電路設計圖案在光阻裡的模擬結果。希望能更進一步找出並了解DUV可見光光刻機曝光時候的7 nm製程下良率的最佳製程參數配置。 In this research, we used Matlab to simulate numerical calculation for the 7-nanometer deep ultraviolet (DUV) lithography process by the Fresnel diffraction theory. We used a 193-nanometer wavelength to etch the wafer pattern which was a simple vertical parallel arrangement of plural lines. As a result, we found the basic requirement for the 7-nanometer lithography process. It represented that the Fresnel propagation distance parameter had to meet 200-micrometer to 500-micrometer. We hoped it could be the suggestion for researchers or engineers to apply the DUV lithography process. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/88029 |
DOI: | 10.6342/NTU202301175 |
全文授權: | 同意授權(限校園內公開) |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
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