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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/81979| 標題: | 電晶體雷射設計與製作之研究探討 Investigation of the design and fabrication of transistor lasers |
| 作者: | Hsin-Yu Lin 林欣瑜 |
| 指導教授: | 吳肇欣(Chao-Hsin Wu) |
| 關鍵字: | 電晶體雷射,法蘭茲-凱爾迪西效應,異質雙極性接面電晶體,雙異質雙極性接面電晶體,發光電晶體, Transistor lasers,Franz-Keldysh effect,heterojunction bipolar transistor,double heterojunction bipolar transistor,light emitting transistor, |
| 出版年 : | 2021 |
| 學位: | 碩士 |
| 摘要: | "本篇論文的主要研究為電晶體雷射(Transistor Laser, TL)的磊晶結構設計、元件製作以及其量測特性結果分析。電晶體雷射是一同時具備光與電輸出的新穎元件，在順向主動區的操作下，基極-集極接面的電場會形成法蘭茲-凱爾迪西效應 (Franz-Keldysh effect)，並對光造成吸收。因此在結構設計上，以如何在電晶體操作下達到雷射條件為出發，延續異質雙極性接面電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT) 磊晶結構設計上的特點，分別探討主動區的設計、光學侷限因子的提升、漸變的基極設計、和雙異質雙極性接面對載子的侷限及其相對應的電性考量，並以模擬軟體為輔助完成上述磊晶設計的需求。將成長後的磊晶結構進行發光電晶體元件的製作，並量測其光和電的輸出，確認光強度、電流增益、膝節電壓、崩潰電壓的基本元件特性，探討設計結果在實驗與實際元件上的體現，以及比較其與過去發光電晶體元件的差異。 最後部分為電晶體雷射的製作，與發光電晶體除了幾何結構的不同，還需參與後端的切割與鍍膜流程。並將完成後的元件進行量測，包含室溫以及低溫的量測，分析和探討其雷射的特性、電晶體雷射的光學損失、和低溫下材料自身的特性變化與其相應的電與光特性變化。 " |
| URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/81979 |
| DOI: | 10.6342/NTU202103053 |
| 全文授權: | 同意授權(限校園內公開) |
| 電子全文公開日期: | 2026-09-06 |
| 顯示於系所單位： | 光電工程學研究所 |
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