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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/81238| 標題: | 大面積二維氮化硼薄膜成長與其滲透能發電之應用 Large-Area Growth Of 2D Hexagonal Boron Nitride Thin Film And Its Application For Osmotic Power Conversion |
| 作者: | Ting-Ran Liu 劉庭綸 |
| 指導教授: | 陳俊維(Chun-Wei Chen) |
| 關鍵字: | 滲透能發電,逆向電滲析,單層六方氮化硼薄膜,化學氣相沉積法,二維奈米孔洞, osmotic power conversion,reverse electrodialysis,monolayer hexagonal boron nitride thin film,chemical vapor deposition,2D nanopore, |
| 出版年 : | 2022 |
| 學位: | 碩士 |
| 摘要: | 藍色能源維近年來眾所矚目的,新興可再生能源之一。藉由溶液間的濃度梯度,當堆疊具離子選擇性半透膜,即可釋放電化學位能,進而發電。 六方氮化硼於溶液中液化學吸附氫氧根離子,因此表面具高表面電荷密度。而帶高表面電荷材料會具高離子選擇性,使得其有良好的滲透能源發電功率。而二維材料的原子層厚度,使其有較低的電阻,亦可有更好的功率輸出。 本實驗利用化學氣相沉積法,製備大面積的單層氮化硼薄膜,藉由調控成長氣氛將六方氮化硼晶域尺寸提升三倍,從邊長3微米至邊長11微米。我們利用原子力顯微鏡、拉曼光譜儀、歐傑電子能普及穿透式電子顯微鏡,確保成長的六方氮化硼具高覆蓋率且為單原子層。進而利用高覆蓋率之單層六方氮化硼薄膜,於氮化矽視窗支撐膜上,結合氦離子束顯微鏡與穿透式電子顯微鏡,製備單一懸空二維奈米孔洞,作為滲透能發電裝置。而單一懸空六方氮化硼奈米孔洞裝置的滲透發電功率可達388 pW,與其他單孔結構相比,其輸出功率極高。 除此之外,本實驗所建立之懸空奈米孔洞製備方法,對於其他二維材料有高度相容性,可製備多種二維奈米孔洞。我們亦嘗試將具半導體特性之二維材料-二硫化鉬薄膜,整合至氮化矽視窗支撐膜。未來可進一步探討二維半導體材料中,自主閘控性質與電解液中離子傳輸行為。 |
| URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/81238 |
| DOI: | 10.6342/NTU202200165 |
| 全文授權: | 同意授權(限校園內公開) |
| 顯示於系所單位: | 材料科學與工程學系 |
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