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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/72434
標題: | 應用於5G行動通訊之互補式金氧半功率放大器設計 Design and Research of CMOS Power Amplifier for 5G Communications |
作者: | Tsung-Ching Tsai 蔡宗瑾 |
指導教授: | 黃天偉 |
關鍵字: | 功率放大器,變壓器耦合之功率放大器,推挽式功率放大器,峰值對平均功率比,毫米波,5G NR, power amplifier,transformer-based power amplifier,push-pull power amplifier,PAPR,mm-wave,5G NR, |
出版年 : | 2018 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本論文呈現一顆以28奈米低功耗互補式金屬氧化物半導體製程製作的功率放大器。
此功率放大器設計在28 GHz,連續正弦波量測結果顯示,隨著不同偏壓條件,小訊號增益為21.8-25.2 dB,大訊號飽和輸出功率為18.9-19.1 dBm,功率附加效率則皆高於35%。本功率放大器通過以下的訊號測試:64-QAM, 正交頻分多工的調變訊號,訊號之峰值對平均功率比值有9.5 dB。結果顯示本功率放大器在EVM為-25 dBc的條件下能有10 dBm的輸出功率,並有10.6%的功率附加效率。此外,在本論文的最終章呈現了最新的5G NR調變訊號測試結果。 In this thesis, a transformer-based class-AB power amplifier (PA) fabricated in 28-nm CMOS LP process is presented. The proposed PA is aimed at 28 GHz. The measured small-signal gain at 28 GHz is 21.8-25.2 dB, saturated power is 18.9-19.1 dBm, and maximum PAE achieves above 35%. Tested with 64-QAM OFDM/ 9.5-dB PAPR modulated signal, the proposed PA can achieve linear output power up to 10 dBm at EVM of -25 dBc and maintains a high PAE of 10.6%. In addition, tests for the state-of-the-art 5G NR signals are also presented in the last chapter. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/72434 |
DOI: | 10.6342/NTU201803595 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 電信工程學研究所 |
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