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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/52952
標題: | 4H-SiC 接面位障蕭基二極體製作 Fabrication of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode |
作者: | Yuan-Heng Liu 劉原亨 |
指導教授: | 李坤彥(Kung-Yen Lee) |
關鍵字: | 4H-SiC,接面位障蕭基二極體(JBS),蕭基二極體(SBD),P+離子佈植圖形,蕭基位障, 4H-SiC,JBS,SBD,P+ implant patterns and Schottky barrier, |
出版年 : | 2015 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本論文是使用碳化矽基板4H-SiC製作改良圖形後的高電壓接面位障蕭基二極體元件(Junction barrier Schottky diode, JBS)。JBS元件在順向操作時,其導通的時候有蕭基二極體(SBD)的低導通電壓及切換速度高的優點;而在逆向偏壓時,能利用PN接面形成的空乏區夾住通道,使逆向漏電流很小,因此有如PN二極體低漏電、高崩潰電壓的優點。
為了將元件有更好的順逆向電流、電壓特性表現,本論文設計了多種不同的P+離子佈植圖形以及比例:同心圓、片段式同心圓、長條形、片段式長條形、方形陣列等,並改良之前學長的圖形,將方形點的邊緣修改得更為圓滑,以減少尖端電荷容易造成電場崩潰,除了圖形的不同,還有加上不同的P+佈植間距,而創造出不同面積比例的蕭基接面,並比較不同設計對其順向導通電壓、電流密度、逆向元件漏電流、崩潰電壓的影響。 製作完成後,依量測結果判斷,相較於同心圓,片段式的同心圓會有比較高的蕭基接面面積比例,因而有比較好的順向電流、電壓特性表現,並且在高溫順向操作時有較小的順向導通電壓偏移量;而經過量測發現,當元件P+佈植間距小於8 ,逆向偏壓操作時PN接面形成的空乏區能將通道夾住,會有較好的漏電流與崩潰電壓表現。 |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/52952 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 工程科學及海洋工程學系 |
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