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| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 王立民 | |
| dc.contributor.author | Yen-Ru Chen | en |
| dc.contributor.author | 陳衍儒 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-15T13:41:56Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-15 | |
| dc.date.copyright | 2016-02-15 | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.date.submitted | 2015-12-31 | |
| dc.identifier.citation | [1] B. D. Josephson . PHYS.Lett.,1(1952),251
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| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/51629 | - |
| dc.description.abstract | 本研究探討雙晶式結構的超導量子干涉儀(SQUID)元件的製作方式，主要目的有兩個部分，第一部分為自行研磨拋光回收雙晶鈦酸鍶(SrTiO3)基板，第二部分是設計SQUID光罩圖案，利用雷射濺鍍系統將超導體釔鋇銅氧(YBa2Cu3O7-δ)成長於自行拋光回收的雙晶鈦酸鍶基板上，結合自行設計SQUID圖案，藉以製作出降低成本且品質良好的SQUID 元件。
由測量結果得知，自行研磨拋光的基板表面平整且無破壞晶格結構，可成長高品質的高溫超導薄膜於拋光基板上，配合SQUID圖案設計，量測出SQUID的特性曲線與雜訊頻譜分析，提供一個低成本製作SQUID元件的方法。 | zh_TW |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-15T13:41:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-105-R02222049-1.pdf: 3486681 bytes, checksum: c1034fcb94223d6c33193e4f021354c1 (MD5) Previous issue date: 2016 | en |
| dc.description.tableofcontents | 致謝 I
中文摘要 II Abstract III 圖目錄 VII 表目錄 XII Chapter1 緒論 1 1.1研究背景 1 1.1.1高溫超導量子干涉元件(High Temperature Superconducting 1 Quantum Interference Device)之發展與應用 1 1.1.2人造晶界之製作 2 1.1.3雙晶基板結構與介紹 4 1.2 研究動機 5 Chapter2 理論背景與原理介紹 6 2.1 高溫超導體概述 6 2.1.1 超導體之發展背景 6 2.1.2 超導體特性 7 2.2 約瑟芬接面(Josephson junction )[25][26] 9 2.2.1 約瑟芬方程(Josephson function) 9 2.2.2 RCSJ(電阻電容短路接面)模型與RSJ(電阻短路接面)模型[25][26] 11 2.2.3 直流超導量子干涉元件(DC SQUID)[25][26] 14 2.2.4 SQUID圖形設計[24][30] 18 Chapter3 實驗步驟與方法 23 3.1 研究流程 23 3.2 化學研磨拋光(CMP) 23 3.3 基板選擇與清洗 25 3.4.1脈衝雷射沉積法(Pulsed Laser Deposition) 原理 26 3.4.2雷射鍍膜系統與釔鋇銅氧薄膜沉積 28 3.5光學微影製程與蝕刻製成 30 3.5.1 黃光微影製程 30 3.5.2 蝕刻 32 3.6 量測儀器與系統 35 3.6.1 原子力顯微鏡(AFM) 35 3.6.2 X-ray晶格繞射儀(XRD) 36 3.6.3 電阻-溫度量測系統 36 3.6.4 低溫量測系統 38 3.6.5 超導量子干涉元件低溫量測系統 38 Chapter4 實驗結果與討論 41 4.1 化學研磨拋光 41 4.2 STO雙晶基板之雙晶線平整度與晶格檢測 43 4.3 YBa2Cu3O7-δ 薄膜特性分析 45 4.3.1 薄膜電阻與溫度測量 45 4.3.2 薄膜表面與晶格測量 48 4.4 SQUID 圖形設計 50 4.5 SQUID之I-V、V-Φ與雜訊測量 53 4.5.1 Direct coupled拋光基板(Sample A) 53 4.5.2 Direct coupled新基板(Sample B) 54 4.5.3 Washer-type拋光基板(Sample C) 55 4.5.4 Washer- type新基板(Sample D) 57 4.5.5 Direct coupled拋光基板重新量測(Sample A Re-measurement) 58 4.5.6 Direct couple新基板重新量測(Sample B Re-measurement) 59 4.5.7 Washer-type拋光基板重新量測(Sample C Re-measurement) 61 4.5.8 Washer-type新基板重新量測(Sample D Re-measurement) 63 4.5.9 雜訊頻譜比較與探討 66 4.5.10 Direct-coupled有效面積量測 67 Chapter5 結論 69 REFERENCE 70 | |
| dc.language.iso | zh-TW | |
| dc.subject | 約瑟芬結 | zh_TW |
| dc.subject | 高溫超導 | zh_TW |
| dc.subject | 釔鋇銅氧 | zh_TW |
| dc.subject | 量子穿隧元件 | zh_TW |
| dc.subject | YBCO | en |
| dc.subject | High temperature superconductor | en |
| dc.subject | Quantum tunneling device | en |
| dc.subject | Josephson Junction | en |
| dc.title | 高溫超導量子干涉元件之製程與特性研究-使用回收雙晶基板 | zh_TW |
| dc.title | Fabrication and Characteristics of high-Tc Superconducting Quantum Interference Devices Using Recycled Bi-crystal Substrates | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 104-1 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 陳坤麟,陳昭翰 | |
| dc.subject.keyword | 高溫超導,釔鋇銅氧,約瑟芬結,量子穿隧元件, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | High temperature superconductor,YBCO,Josephson Junction,Quantum tunneling device, | en |
| dc.relation.page | 72 | |
| dc.rights.note | 有償授權 | |
| dc.date.accepted | 2015-12-31 | |
| dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 物理研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 物理學系 | |
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|---|---|---|---|
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