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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/41120
Title: | 1.55微米電流注入式量子井微碟雷射 1.55 μm Current-injected Quantum-well Microdisk Lasers |
Authors: | Chung-Min Kao 高崇閔 |
Advisor: | 毛明華 |
Keyword: | 量子井,電注入,微碟雷射, quantum well,current-injected,microdisk laser, |
Publication Year : | 2011 |
Degree: | 碩士 |
Abstract: | 我們成功的使用磷砷化銦鎵量子井作為主動層材料,製作出直徑為12μm大小的電注入微碟雷射,並量測到模態間距約16μm至18μm,與微碟的尺寸符合來證實為迴音廊模態。此外,我們也進行變溫量測,以觀察並討論到量子井和模態紅移的現象。
在本篇論文中,我們主要對於兩種樣品製程作比較。一為過去所使用的乾式及濕式蝕刻製程,另一樣品則在兩者之間多加入一次濕式蝕刻,對於主動層側向暴露的表面做處理,嘗試去減少外圍的缺陷原子層。 對於未經濕蝕刻表面處理的量子井微碟雷射其78K 的臨界電流為53.7μA,Q 值約為4400,可操作到最高溫度為250K,該溫度臨界電流為765.9μA,其特徵溫度為49K。而經濕蝕刻表面處理的量子井微碟雷射78K 的臨界電流為83μA,Q 值為3650,能操作到最高溫度為225K,臨界電流為618.5μA,其特徵溫度為68K。 最後,探討了由於蝕刻支柱寬度對臨界溫度的影響。 |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/41120 |
Fulltext Rights: | 有償授權 |
Appears in Collections: | 光電工程學研究所 |
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