成長硒化鎘量子點於砷化鎵(100)基板上之研究

Abstract

本文主是要是討論以MOCVD技術成長Ⅱ-Ⅵ族半導體CdSe/ZnSe量子點，並利用光致激發光譜(PL)研究其光學性質。根據實驗結果再次證明，只要能找到適當的參數即可成長出具有高發光效率的量子點，其峰值位置相對CdSe塊材藍移了約620 meV，顯示出很強的量子侷限效應 。 籍由長晶的時間可以控制量子點的尺寸大小，並由光致激發光譜得知，越小的量子點具有較高的峰值位置與較強的激子束縛能，其束縛能相較於CdSe塊材增加達六倍之多。 在尋找適當的成長參數時，我們發現包覆層厚度的增加將使量子點的峰值位置略為藍移。以10秒和15秒中斷時間製做出的量子點(其他條件相同)，其PL光譜差異極大，顯然對量子點的成長有重大的影響，這是個很有趣的現象，值得進一步的研究。 在變溫PL光譜實驗中，半高寬的變化先減小後上升，變化幅度不小，此乃量子點系統迥異於量子井系統的一大特徵。 最後，我們以原子力顯微鏡觀察量子點系統的表面形態。