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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.advisor | 張顏暉 | |
dc.contributor.author | Ming-Wei Chen | en |
dc.contributor.author | 陳名偉 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2021-06-13T07:51:28Z | - |
dc.date.available | 2005-08-01 | |
dc.date.copyright | 2005-08-01 | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.date.submitted | 2005-07-25 | |
dc.identifier.citation | [1] Quantum heterostructures : microelectronics and optoelectronics, Vladimir V. Mitin, Viatcheslav A. Kochelap, Michael A. Stroscio.
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dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/36105 | - |
dc.description.abstract | 本文主是要是討論以MOCVD技術成長Ⅱ-Ⅵ族半導體CdSe/ZnSe量子點,並利用光致激發光譜(PL)研究其光學性質。根據實驗結果再次證明,只要能找到適當的參數即可成長出具有高發光效率的量子點,其峰值位置相對CdSe塊材藍移了約620 meV,顯示出很強的量子侷限效應 。
籍由長晶的時間可以控制量子點的尺寸大小,並由光致激發光譜得知,越小的量子點具有較高的峰值位置與較強的激子束縛能,其束縛能相較於CdSe塊材增加達六倍之多。 在尋找適當的成長參數時,我們發現包覆層厚度的增加將使量子點的峰值位置略為藍移。以10秒和15秒中斷時間製做出的量子點(其他條件相同),其PL光譜差異極大,顯然對量子點的成長有重大的影響,這是個很有趣的現象,值得進一步的研究。 在變溫PL光譜實驗中,半高寬的變化先減小後上升,變化幅度不小,此乃量子點系統迥異於量子井系統的一大特徵。 最後,我們以原子力顯微鏡觀察量子點系統的表面形態。 | zh_TW |
dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-13T07:51:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-94-R92222057-1.pdf: 1553547 bytes, checksum: 52eeaffc4588acef3cf8fe1681a349aa (MD5) Previous issue date: 2005 | en |
dc.description.tableofcontents | 致謝 Ⅰ
摘要 Ⅱ 目錄 Ⅲ 圖表索引 Ⅴ 第一章 導論 1 1.1 低維度半導體 1 1.2 量子侷限 5 1.3 激子 6 1.4 CdSe、ZnSe材料特性 9 第二章 MOCVD概論與磊晶成長概論 13 2.1 MOCVD 系統介紹 13 2.2 磊晶參數計算 17 2.3 磊晶機制 20 2.3.1 磊晶的熱力平衡 20 2.3.2 反應分子在基材表面擴散傳輸過程 21 2.3.3 磊晶模式 24 第三章 實驗方法 27 3.1 磊晶參數設定 27 3.2 樣品設計 28 3.2.1 ZnSe 塊材(bulk) 28 3.2.2 CdSe 塊材 30 3.2.3 CdSe/ZnS 量子點 32 3.2.4 交互擴散 3.3 光致激發光譜量測 33 3.4 原子力顯微鏡量測 37 第四章 實驗結果與討論 40 4.1 塊材分析 40 4.1.1 ZnSe塊材分析 40 4.1.2 CdSe塊材分析 43 4.2 中斷時間(Interruption time)成長影響之分析 44 4.3 不同CdSe成長時間之發光峰值 46 4.4 不同ZnSe包覆層厚度之影響 47 4.5 隨溫度變化的PL光譜圖 48 4.6 峰值能量(Peak Energy)隨溫度變化之關係 52 4.7半高寬隨溫度變化的關係 54 4.8 熱滅寂現象(thermal quaneching) 56 4.9 以AFM觀察量子點之表面形態 58 第五章 結論 60 參考文獻 61 | |
dc.language.iso | zh-TW | |
dc.title | 成長硒化鎘量子點於砷化鎵(100)基板上之研究 | zh_TW |
dc.title | A Study on the Growth of CdSe Quantum Dots on GaAs Substrates | en |
dc.type | Thesis | |
dc.date.schoolyear | 93-2 | |
dc.description.degree | 碩士 | |
dc.contributor.oralexamcommittee | 陳永芳,梁啟德 | |
dc.subject.keyword | 硒化鎘,硒化鋅,量子點,有機金屬化學氣相沉積,光致激發光譜, | zh_TW |
dc.subject.keyword | CdSe,ZnSe,Quantum Dots,MOCVD,Photoluminiscence, | en |
dc.relation.page | 63 | |
dc.rights.note | 有償授權 | |
dc.date.accepted | 2005-07-25 | |
dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
dc.contributor.author-dept | 物理研究所 | zh_TW |
顯示於系所單位: | 物理學系 |
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