搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
第 1 到 1 筆結果,共 1 筆。
- 上一個
- 1
- 下一個
符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2015 | 利用原子層沉積技術成長氮化鈦金屬閘極之金屬氧化物半導體電容元件之研究 Atomic layer deposition of titanium nitride as the metal gate in metal-oxide-semiconductor capacitors | Chi-Lun Huang; 黃紀倫 | 材料科學與工程學研究所 |