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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2015 | 利用原子層沉積技術成長氮化鈦金屬閘極之金屬氧化物半導體電容元件之研究 Atomic layer deposition of titanium nitride as the metal gate in metal-oxide-semiconductor capacitors | Chi-Lun Huang; 黃紀倫 | 材料科學與工程學研究所 |
2015 | 使用原子層沉積技術成長氮化鋁與氮化鎵薄膜之研究 Study of the AlN and GaN Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition | Yung-Chuan Chuang; 莊詠荃 | 材料科學與工程學研究所 |
2015 | 利用原子層沉積技術成長金氧半電容元件之二氧化鋯閘極介電層於矽基(100)及(110)晶面之研究 Study of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Zirconium Oxide Gate Dielectrics on Si(100) and Si(110) Substrates Grown by Atomic Layer Deposition | Yi-Jen Tsai; 蔡伊甄 | 材料科學與工程學研究所 |