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符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2020 | 1200V 4H-SiC 超接面金氧半場效電晶體設計與製作 Design and Fabrication of 1200V 4H-SiC Superjunction MOSFET | Chen-Dong Tzou; 鄒振東 | 工程科學及海洋工程學研究所 |
2022 | 3300伏特碳化矽分離閘極金氧半場效電晶體設計 Design of 3300 V 4H-SiC Split Gate MOSFET | Hsien-Yi Wu; 吳顯逸 | 工程科學及海洋工程學研究所 |
2020 | 3.3 kV 4H-SiC 準超接面金氧半場效電晶體與終端區結構設計 Design of 3.3 kV 4H-SiC Quasi-Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and Edge Termination Structure | Yun-Kai Lai; 賴云凱 | 工程科學及海洋工程學研究所 |
2018 | 新穎碳化矽金氧半場效電晶體結構設計與模擬 The Design and Simulation of Novel SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Structure | Yi-Che Su; 蘇奕哲 | 工程科學及海洋工程學研究所 |
2015 | 4H-SiC 接面位障蕭基二極體製作 Fabrication of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode | Yuan-Heng Liu; 劉原亨 | 工程科學及海洋工程學研究所 |
2014 | 高電壓4H-SiC接面位障蕭基二極體設計與製作 The Design and Fabrication of High Voltage 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode | Le-Shan Chan; 詹樂山 | 工程科學及海洋工程學研究所 |
2022 | 1700伏特碳化矽平面式金氧半場效電晶體設計與模擬 Design & Simulation of 1700 V 4H-SiC Planar DMOSFETs | Yi-Hsuan Li; 李宜軒 | 工程科學及海洋工程學研究所 |