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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/26503
標題: | 直通矽晶穿孔與靜態隨機存取記憶體 Through Silicon Via and Static Random Access Memory |
作者: | Chun-Yen Lin 林俊彥 |
指導教授: | 盧奕璋(Yi-Chang Lu) |
關鍵字: | 三維電路,直通矽晶穿孔,堆疊,靜態隨機存取記憶體, 3D Circuit,TSV,SRAM,Chip Stacking, |
出版年 : | 2008 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本文以直通矽晶穿孔(TSV)、靜態隨機存取記憶體、以及製程漂移三個部份進行研究。第一個部份主要著重於三維電路垂直連接訊號之穿孔,就其架構、尺寸、可能之漂移以及與導線連接之堆疊架構以電磁模擬軟體來進行剖析。第二個部份進行隨機存取記憶體之電路介紹和操作原理,並分析其記憶體單元之靜態雜訊容限以及放電能力。第三個部份則涵括前一、二部份進來,將TSV製作時可能發生的製程漂移進行電性的粹取,以及將靜態隨機存取記憶體之記憶體單元做Monte Carlo的模擬以得到SNM-Icell的分布圖,藉以了解製程漂移對穿孔或記憶體單元的影響。最後結合記憶體電路與粹取的3D導線模型來模仿雙層堆疊的記憶體,並以製程漂移模擬軟體驗證其資料的輸出正確性,能夠比較2D/3D的電路表現以及對於製程漂移的抵禦能力。 |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/26503 |
全文授權: | 未授權 |
顯示於系所單位: | 電子工程學研究所 |
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