直通矽晶穿孔與靜態隨機存取記憶體

Abstract

本文以直通矽晶穿孔(TSV)、靜態隨機存取記憶體、以及製程漂移三個部份進行研究。第一個部份主要著重於三維電路垂直連接訊號之穿孔，就其架構、尺寸、可能之漂移以及與導線連接之堆疊架構以電磁模擬軟體來進行剖析。第二個部份進行隨機存取記憶體之電路介紹和操作原理，並分析其記憶體單元之靜態雜訊容限以及放電能力。第三個部份則涵括前一、二部份進來，將TSV製作時可能發生的製程漂移進行電性的粹取，以及將靜態隨機存取記憶體之記憶體單元做Monte Carlo的模擬以得到SNM-Icell的分布圖，藉以了解製程漂移對穿孔或記憶體單元的影響。最後結合記憶體電路與粹取的3D導線模型來模仿雙層堆疊的記憶體，並以製程漂移模擬軟體驗證其資料的輸出正確性，能夠比較2D/3D的電路表現以及對於製程漂移的抵禦能力。