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電子工程學研究所
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2005
應用硝酸氧化及陽極氧化補償技術製作金氧半元件之奈米尺度高介電係數氧化鉿閘極介電層
Application of Chemical Oxidation in Nitric Acid and Anodic Oxidation Compensation Techniques on Preparing Nano-Scale High-k HfO2 Gate Dielectrics in MOS Devices
Chia-Hua Chang; 張嘉華
電子工程學研究所
2009
低溫製程高介電係數閘極介電層之金氧半元件特性研究
Characterizations of Metal-Oxide-Semiconductor Devices with High-k Gate Dielectrics Formed by Low Temperature Processes
Chia-Hua Chang; 張嘉華
電子工程學研究所
探索
系所
2
電子工程學研究所
學位
1
博士
1
碩士
指導教授
1
胡振國
1
胡振國(jenn-gwo hwu)
作者
2
張嘉華
關鍵字
1
低溫絕緣層
1
低溫絕緣層,陽極氧化
1
低溫絕緣層,陽極氧化,氧化鉿
1
低溫絕緣層,陽極氧化,氧化鉿,氧化鋁
1
低溫絕緣層,陽極氧化,氧化鉿,氧化鋁,二氧化矽
1
低溫絕緣層,陽極氧化,氧化鉿,氧化鋁,二氧化矽,堆疊式介電層
1
高介電係數閘極介電層
1
高介電係數閘極介電層,氧化鉿
1
高介電係數閘極介電層,氧化鉿,金氧半電容元件
1
高介電係數閘極介電層,氧化鉿,金氧半電容元件,陽極氧化補償技術
.
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出版年
1
2009
1
2005
全文
2
true