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2008
伸張應力對超薄閘極氧化層金氧半電容元件之影響
Effect of Tensile Stress on MOS Capacitors with Ultra-thin Gate Oxide
Hsing-Lin Chen; 陳星霖
電子工程學研究所
2005
利用交直流陽極氧化補償技術改善超薄閘極氧化層品質
Quality Improvement in Ultra-Thin Gate Oxides by Direct-Current Superimposed With Alternating-Current Anodization (DAC-ANO) Compensation Technique
Yen-Ting Lin; 林彥廷
電子工程學研究所
2005
應力對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應
Effects of Stress on MOS Devices with Ultra Thin Gate Oxides
Chien-Jui Hung; 洪劍睿
電子工程學研究所
2005
應用硝酸氧化及陽極氧化補償技術製作金氧半元件之奈米尺度高介電係數氧化鉿閘極介電層
Application of Chemical Oxidation in Nitric Acid and Anodic Oxidation Compensation Techniques on Preparing Nano-Scale High-k HfO2 Gate Dielectrics in MOS Devices
Chia-Hua Chang; 張嘉華
電子工程學研究所
2008
金氧半元件中高介電係數閘極介電層之反轉穿隧電流特性分析
Characterization of Inversion Tunneling Current for MOS Devices with High-k Gate Dielectrics
Chih-Hao Chen; 陳志豪
電子工程學研究所
2009
以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術低溫製備高介電係數氧化鋁閘極介電層
Al2O3 High-k Gate Dielectrics Fabricated by Shadow Evaporation and Nitric Acid Oxidation under Low Temperature Process for MOS Devices
Ching-Hang Chen; 陳慶航
電子工程學研究所
2012
缺陷捕捉與照光對具氧化鉿/二氧化矽介電層 金氧半結構電容-電壓特性之影響
Trapping and Illumination Effects on the C-V Characteristics of MOS Structures with HfO2/SiO2 Dielectrics
Ching-Kai Tseng; 曾敬凱
電子工程學研究所
2018
具環繞閘金氧半穿隧二極體結構之研究
Study of MIS(p) Tunneling Diode Structures with Surrounding MIS(P) Gate
Hung-Yu Chen; 陳虹宇
電子工程學研究所
2014
側向擴散電流對超薄氧化層金氧半元件之反轉區電流特性影響與其相關應用
Effect of Lateral Diffusion Current in Inversion I-V Characteristic of MOS Devices with Ultrathin Oxide and Its Applications
Yen-Kai Lin; 林彥愷
電子工程學研究所
2020
耦合金屬-超薄絕緣層-半導體穿隧二極體之延遲暫態行為
Prolonged Transient Behavior in Coupled Ultra-Thin Oxide MIS-Tunnel Diodes
Ting-Hao Hsu; 許庭昊
電子工程學研究所
探索
作者
1
bo-jyun chen
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-hua chang
1
chia-ju chou
1
chia-jui lee
1
chia-nan lin
1
chia-te lin
1
chia-wei tung
1
chieh-fang cheng
.
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關鍵字
5
金氧半穿隧二極體
5
金氧半電容元件
5
陽極氧化
4
mos
4
金氧半電容
3
mis tunnel diode
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
3
超薄氧化層
2
anodization
.
下一頁 >
出版年
29
2010 - 2020
18
2005 - 2009
全文授權
43
有償授權
2
同意授權(全球公開)
2
未授權
全文
47
true