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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2011 | 氣態源分子束磊晶成長銻砷化鎵/砷化鎵量子井之模型 Growth Model of GaAsSb/GaAs Quantum Well by Using Gas Source Molecular Beam Epitaxy | Jian-Ming Lin; 林健銘 | 電子工程學研究所 |
2012 | 以分子束磊晶法成長(100)與(111)方向砷銻化鎵/砷化鎵材料之結構與特性研究 Study of structural properties and characterization of (100) and (111) GaAsSb/GaAs grown by molecular beam epitaxy | Yi-Ren Chen; 陳奕任 | 電子工程學研究所 |
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系所
- 2 電子工程學研究所
關鍵字
- 2 分子束磊晶
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