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電子工程學研究所
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第 1 到 10 筆結果,共 34 筆。
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系所
2010
以高頻電容及溫度電壓施壓法檢測超薄氧化層特性
Characterization of Ultrathin Oxides by High-Frequency C-V Analysis and Temperature-Voltage Stress Method
Hao-Peng Lin; 林豪鵬
電子工程學研究所
2011
超薄氧化層金氧半電容元件之製程開發與特性分析
Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide
Tzu-Yu Chen; 陳姿妤
電子工程學研究所
2012
缺陷捕捉與照光對具氧化鉿/二氧化矽介電層 金氧半結構電容-電壓特性之影響
Trapping and Illumination Effects on the C-V Characteristics of MOS Structures with HfO2/SiO2 Dielectrics
Ching-Kai Tseng; 曾敬凱
電子工程學研究所
2017
鄰近元件耦合對超薄氧化層穿隧二極體反轉區電流特性之影響分析
Effect of Neighboring Device Coupling in Inversion I-V Characteristic of MIS(p) Tunnel Diode with Ultrathin Oxide
Wei-Chih Kao; 高偉智
電子工程學研究所
2013
p 與n 基板超薄閘極氧化層金氧半結構元件之深空乏現象與氧化層不均勻現象探討
Investigation of the Deep Depletion Behavior and Oxide Charge Non-Uniformity Effect in MOS (p) and MOS (n) Devices with Ultra-Thin Oxides
Yu-Ching Liao; 廖禹晴
電子工程學研究所
2017
鄰近耦合效應對超薄金氧半電容深空乏穿隧電流之影響
Impact on Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Deep-Depletion Tunneling Current by Neighboring Coupling Effect
Ming-Han Yang; 楊明翰
電子工程學研究所
2017
側壁鈍化金屬閘極對金氧半穿隧二極體邊際場效之影響與其相關應用
Effect of Sidewall Passivated Metal Gate on Fringing Field of MIS Tunnel Diode and Its Application
Chia-Ju Chou; 周佳儒
電子工程學研究所
2013
氧化鋁/二氧化矽/碳化矽堆疊元件中兩態缺陷輔助穿隧電流現象
Two-State Trap-Assisted Tunneling Current Phenomenon in Al2O3/SiO2/4H-SiC Stacked Device
Jung-Chin Chiang; 江榮進
電子工程學研究所
2013
超薄閘極氧化層金氧半結構元件在反轉區下受邊緣影響之電流行為
Edge-Dependent I-V Behavior of MOS Structures with Ultrathin Oxides under Inversion Region
Pei-Lun Hsu; 徐培倫
電子工程學研究所
2014
以硝酸氧化備製中堆疊高介電常數氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件特性研究
Investigation of HfO2 High-k Gate Dielectrics in Tandem Structure Fabricated by Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Xing-You Lin; 林星佑
電子工程學研究所
探索
系所
34
電子工程學研究所
學位
26
碩士
8
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-ju chou
1
chia-ming hsu
1
chia-te lin
1
chieh-fang cheng
1
chien-chih lin
.
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關鍵字
2
mos devices
2
ultrathin oxide
2
ultrathin oxide,mos devices
2
ultrathin oxide,mos devices,later...
2
ultrathin oxide,mos devices,later...
2
超薄氧化層,金氧半元件
2
超薄氧化層,金氧半元件,側邊擴散電流
2
超薄氧化層,金氧半元件,側邊擴散電流,蕭基位障調變
2
金氧半
2
金氧半元件
.
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下一頁 >
出版年
4
2019
4
2018
6
2017
3
2016
5
2014
5
2013
4
2012
1
2011
2
2010
全文授權
31
有償授權
2
同意授權(全球公開)
1
未授權
全文
34
true