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電子工程學研究所
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第 1 到 10 筆結果,共 34 筆。
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符合的文件:
出版年
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作者
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2011
超薄氧化層金氧半電容元件之製程開發與特性分析
Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide
Tzu-Yu Chen; 陳姿妤
電子工程學研究所
2010
以高頻電容及溫度電壓施壓法檢測超薄氧化層特性
Characterization of Ultrathin Oxides by High-Frequency C-V Analysis and Temperature-Voltage Stress Method
Hao-Peng Lin; 林豪鵬
電子工程學研究所
2012
深空乏現象對超薄閘極氧化層金氧半電容元件光反應之影響
Deep Depletion Behavior in the Photoresponse of MOS Capacitors with Ultrathin Oxides
Li Lin; 林立
電子工程學研究所
2019
不對稱之電場耦合效應對超薄氧化層金氧半元件之電特性影響與其相關應用
The Asymmetric Coupling Effect on the I-V Characteristic of Ultrathin-Oxide MIS Devices and Its Applications
Yu-Hsuan Chen; 陳昱諠
電子工程學研究所
2018
具環繞閘金氧半穿隧二極體結構之研究
Study of MIS(p) Tunneling Diode Structures with Surrounding MIS(P) Gate
Hung-Yu Chen; 陳虹宇
電子工程學研究所
2019
鋁金屬-絕緣層-矽基半導體穿隧二極體暫態電流峰值特性與其應用
Study of the Transient Current Peak Characteristics in Al/SiO2/Si Tunnel Diode Structure and Its Applications
Yu-Heng Liu; 劉宇恒
電子工程學研究所
2013
超薄金氧半結構電容-電壓與電流-電壓特性之量子力學模型與驗證
A Comprehensive Quantum-Mechanical Model for C-V and I-V Characteristics in Ultrathin MOS Structure and Experiment Verification
Chien-Wei Lee; 李建緯
電子工程學研究所
2014
側向擴散電流對超薄氧化層金氧半元件之反轉區電流特性影響與其相關應用
Effect of Lateral Diffusion Current in Inversion I-V Characteristic of MOS Devices with Ultrathin Oxide and Its Applications
Yen-Kai Lin; 林彥愷
電子工程學研究所
2013
p 與n 基板超薄閘極氧化層金氧半結構元件之深空乏現象與氧化層不均勻現象探討
Investigation of the Deep Depletion Behavior and Oxide Charge Non-Uniformity Effect in MOS (p) and MOS (n) Devices with Ultra-Thin Oxides
Yu-Ching Liao; 廖禹晴
電子工程學研究所
2014
超薄高介電係數介電層金氧半元件之特性分析及可靠度與靈敏度改善
Characterization and Improvement in Reliability and Sensitivity of Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Ultrathin High-k Dielectrics
Chien-Chih Lin; 林建智
電子工程學研究所
探索
系所
34
電子工程學研究所
學位
26
碩士
8
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-ju chou
1
chia-ming hsu
1
chia-te lin
1
chieh-fang cheng
1
chien-chih lin
.
下一頁 >
關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
金氧半電容元件
4
mis tunnel diode
4
mos
3
超薄氧化層
2
mis
2
mis tunnel diode,memory
2
mis tunnel diode,memory,two-state...
2
mis tunnel diodes
2
mos capacitor
.
下一頁 >
出版年
4
2019
4
2018
6
2017
3
2016
5
2014
5
2013
4
2012
1
2011
2
2010
全文授權
31
有償授權
2
同意授權(全球公開)
1
未授權
全文
34
true