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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2005 | 雙閘式絕緣體上矽金氧半元件當上閘極為N+/
下閘極為P+多晶矽時的分析 Analysis of Double-Gate SOI CMOS Devices Using Top N+/Bottom P+ Poly Gate Structure. | Chia-Hao Hsu; 許家豪 | 電子工程學研究所 |
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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2005 | 雙閘式絕緣體上矽金氧半元件當上閘極為N+/
下閘極為P+多晶矽時的分析 Analysis of Double-Gate SOI CMOS Devices Using Top N+/Bottom P+ Poly Gate Structure. | Chia-Hao Hsu; 許家豪 | 電子工程學研究所 |