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電子工程學研究所
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第 11 到 20 筆結果,共 52 筆。
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符合的文件:
出版年
標題
作者
系所
2020
耦合金屬-超薄絕緣層-半導體穿隧二極體之延遲暫態行為
Prolonged Transient Behavior in Coupled Ultra-Thin Oxide MIS-Tunnel Diodes
Ting-Hao Hsu; 許庭昊
電子工程學研究所
2013
超薄閘極氧化層金氧半結構元件在反轉區下受邊緣影響之電流行為
Edge-Dependent I-V Behavior of MOS Structures with Ultrathin Oxides under Inversion Region
Pei-Lun Hsu; 徐培倫
電子工程學研究所
2013
氧化鋁/二氧化矽/碳化矽堆疊元件中兩態缺陷輔助穿隧電流現象
Two-State Trap-Assisted Tunneling Current Phenomenon in Al2O3/SiO2/4H-SiC Stacked Device
Jung-Chin Chiang; 江榮進
電子工程學研究所
2017
鄰近元件耦合對超薄氧化層穿隧二極體反轉區電流特性之影響分析
Effect of Neighboring Device Coupling in Inversion I-V Characteristic of MIS(p) Tunnel Diode with Ultrathin Oxide
Wei-Chih Kao; 高偉智
電子工程學研究所
2006
P型與N型金氧半電容元件於超薄氧化層之電特性比較及應用
Comparison of the Electrical Characteristics of MOS Capacitors with Ultra-thin Oxides Grown on P- and N-type Si Substrates
Shu-Jau Chang; 張書照
電子工程學研究所
2008
伸張應力對快速熱成長超薄閘極氧化層金氧半電容元件之效應
Effect of Tensile-stress on MOS Capacitors with Rapid Thermal Ultra-Thin Gate Oxides
Chien-Yu Liu; 劉建語
電子工程學研究所
2014
以硝酸氧化備製中堆疊高介電常數氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件特性研究
Investigation of HfO2 High-k Gate Dielectrics in Tandem Structure Fabricated by Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Xing-You Lin; 林星佑
電子工程學研究所
2013
p 與n 基板超薄閘極氧化層金氧半結構元件之深空乏現象與氧化層不均勻現象探討
Investigation of the Deep Depletion Behavior and Oxide Charge Non-Uniformity Effect in MOS (p) and MOS (n) Devices with Ultra-Thin Oxides
Yu-Ching Liao; 廖禹晴
電子工程學研究所
2017
側壁鈍化金屬閘極對金氧半穿隧二極體邊際場效之影響與其相關應用
Effect of Sidewall Passivated Metal Gate on Fringing Field of MIS Tunnel Diode and Its Application
Chia-Ju Chou; 周佳儒
電子工程學研究所
2020
邊緣蝕刻氧化鋁介電層在感應耦合金氧半穿隧二極體多位階電荷儲存之研究
Study of Edge-Etched Al2O3 Dielectric as Multi-Level Charge Storage Region in an Edge-Sensing Coupled MIS(p) TD
Bo-Jyun Chen; 陳柏均
電子工程學研究所
探索
系所
52
電子工程學研究所
學位
43
碩士
9
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
bo-jyun chen
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-hua chang
1
chia-ju chou
1
chia-jui lee
1
chia-ming hsu
.
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關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
4
金氧半電容元件
4
陽極氧化
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
mis
.
下一頁 >
出版年
34
2010 - 2020
18
2005 - 2009
全文
52
true