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電子工程學研究所
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第 31 到 40 筆結果,共 57 筆。
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2013
超薄金氧半結構電容-電壓與電流-電壓特性之量子力學模型與驗證
A Comprehensive Quantum-Mechanical Model for C-V and I-V Characteristics in Ultrathin MOS Structure and Experiment Verification
Chien-Wei Lee; 李建緯
電子工程學研究所
2005
超薄閘極氧化層形變溫度施壓效應之研究
Investigation of Strain-Temperature Stress on Rapid Thermal Ultra-thin Gate Oxides
Chia-Wei Tung; 董佳衛
電子工程學研究所
2005
以陽極氧化補償技術改善快速熱氧化層品質
Improvement of Rapid Thermal Oxide Quality by Anodization Compensation Technology
Man-Wen Cheng; 鄭曼雯
電子工程學研究所
2007
以伸張應力陽極氧化技術成長高品質超薄氧化層
High Quality Ultra-thin Gate Oxides Prepared by Tensile-Stress Anodization Technique
Chih-Ching Wang; 王志慶
電子工程學研究所
2005
以陽極氧化及硝酸氧化技術備製金氧半元件中氧化鋁高介電常數閘極介電層及其特性之研究
Process Development and Characterization of Al2O3 High-k Gate Dielectrics Prepared by Anodization and Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Szu-Wei Huang; 黃思維
電子工程學研究所
2006
形變溫度施壓效應對八吋消費性產品晶圓之超薄閘極氧化層金氧半元件研究
Investigation of Strain-Temperature Stress on Ultra-thin Gate Oxide on 8 Inch Wafer of Consumer Products
Shang-Chih Lin; 林尚志
電子工程學研究所
2006
於傾斜陰極之陽極氧化系統中外加機械張力成長超薄閘極氧化層技術研究
Investigation of Ultra-thin Gate Oxides Prepared by Anodization with Tensile Stress in Tilted Cathode Anodization System
Tsung-Hung Li; 李宗鴻
電子工程學研究所
2008
以純水陽極氧化法製備金氧半太陽能電池 之效率及穩定度研究
Efficiency and Stability of MOS Solar Cells prepared by Anodization in DI water
Ting-Chang Chuang; 莊庭彰
電子工程學研究所
2012
金氧半光與溫度感測元件結構及製程之研究
Study on the Structure and Process of MOS Photo and Temperature Sensitive Devices
Chih-Yao Wang; 王志耀
電子工程學研究所
2012
於不平坦基板生長閘極氧化層之金氧半電容元件電特性探討
Electrical Characterization of Al-SiO2-Si Capacitors with Thin Gate Oxides Grown on Non-planar Substrates
Chao-Shun Yang; 楊朝舜
電子工程學研究所
探索
學位
47
碩士
10
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
bo-jyun chen
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-hua chang
1
chia-ju chou
1
chia-jui lee
1
chia-ming hsu
.
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關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
5
金氧半電容元件
5
陽極氧化
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
anodization
.
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出版年
37
2010 - 2020
20
2005 - 2009
全文授權
52
有償授權
3
未授權
2
同意授權(全球公開)
全文
57
true