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2009
高頻應用之氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半 高電子遷移率電晶體之製作與特性研究
Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN MOS High Electron Mobility Transistors for High Frequency Applications
"Ming-Dung, Hsu"; 許旻棟
光電工程學研究所
2020
透過閘極掘入技術之應用以改善HEMTs之操作特性與穩定度
Improvement of the electricity and operation properties of HEMTs through the application of gate recess technique
Chia-Wei Pai; 白家瑋
光電工程學研究所
2023
具雙閘極結構之空乏型及增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之電性分析
Electrical characteristics of depletion-mode and enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with a dual-gate structure
林岱頡; Dai-Jie Lin
光電工程學研究所
探索
系所
3
光電工程學研究所
學位
2
碩士
1
博士
指導教授
1
jian-jang huang
1
彭隆瀚
1
管傑雄(chieh-hsiung kuan)
1
黃建璋
作者
1
"ming-dung, hsu"
1
chia-wei pai
1
dai-jie lin
1
林岱頡
1
白家瑋
1
許旻棟
關鍵字
3
gan
2
氮化鎵,高電子遷移率電晶體
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure...
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure...
1
gan,hemt,threshold voltage
1
gan,hemt,threshold voltage,enhanc...
1
氮化鎵,高載子遷移率電晶體
1
氮化鎵,高載子遷移率電晶體,雙閘極結構
1
氮化鎵,高載子遷移率電晶體,雙閘極結構,電流坍塌現象
.
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出版年
2
2020 - 2023
1
2009 - 2009
全文授權
1
同意授權(全球公開)
1
有償授權
1
未授權