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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2009 | 高頻應用之氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半
高電子遷移率電晶體之製作與特性研究 Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN MOS High Electron Mobility Transistors for High Frequency Applications | "Ming-Dung, Hsu"; 許旻棟 | 光電工程學研究所 |
2020 | 透過閘極掘入技術之應用以改善HEMTs之操作特性與穩定度 Improvement of the electricity and operation properties of HEMTs through the application of gate recess technique | Chia-Wei Pai; 白家瑋 | 光電工程學研究所 |
2022 | 高頻氮化鋁銦鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之模擬分析與優化 Simulation analysis and optimization of high-frequency AlInGaN/GaN HEMTs | Yun-Hao Liu; 劉昀皓 | 光電工程學研究所 |