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2023
表面下氮化鎵孔隙結構造成的應力釋放對上層量子井發光行為之影響
Strain Relaxation Effects Caused by Subsurface GaN Porous Structures on the Emission Behaviors of Overgrown Quantum Wells
林育聖; Yu-Sheng Lin
光電工程學研究所
2020
透過閘極掘入技術之應用以改善HEMTs之操作特性與穩定度
Improvement of the electricity and operation properties of HEMTs through the application of gate recess technique
Chia-Wei Pai; 白家瑋
光電工程學研究所
2023
具雙閘極結構之空乏型及增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之電性分析
Electrical characteristics of depletion-mode and enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with a dual-gate structure
林岱頡; Dai-Jie Lin
光電工程學研究所
2020
應用奈米結構釋放氮化鎵磊晶層應力以提升元件性能
Improvement of Device Performance by Relaxing Stress in GaN Epilayers with Nanostructures
Cheng-Yen Chien; 簡丞彥
電子工程學研究所
2022
高頻氮化鋁銦鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之模擬分析與優化
Simulation analysis and optimization of high-frequency AlInGaN/GaN HEMTs
Yun-Hao Liu; 劉昀皓
光電工程學研究所
2023
氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之可靠度分析與閘極氧化製程優化
Reliability Analysis and Gate Oxidation Process Optimization of AlGaN/GaN HEMTs
蕭凱文; Kai-Wen Hsiao
電子工程學研究所
2023
免用微影技術製作的氮化鎵奈米光柵結構內量子點發光、福斯特共振能量轉移與表面電漿子耦合隨偏振變化的行為
Polarization-dependent Behaviors of Quantum-dot Emission, Förster Resonance Energy Transfer, Surface Plasmon Coupling in Lithography-free GaN Nano-grating Structures
馮璽宇; Hsi-Yu Feng
光電工程學研究所
探索
系所
5
光電工程學研究所
2
電子工程學研究所
學位
5
碩士
2
博士
指導教授
2
chih-chung yang
2
楊志忠
2
管傑雄(chieh-hsiung kuan)
1
chao-hsin wu
1
jian-jang huang
1
吳肇欣
1
吳育任(yuh-renn wu | yrwu@ntu.edu.tw...
1
吳育任(yuh-renn wu)
1
黃建璋
作者
1
cheng-yen chien
1
chia-wei pai
1
dai-jie lin
1
hsi-yu feng
1
kai-wen hsiao
1
yu-sheng lin
1
yun-hao liu
1
劉昀皓
1
林岱頡
1
林育聖
.
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關鍵字
5
gan
3
氮化鎵,高電子遷移率電晶體
2
gan,hemt
1
gallium nitride
1
gallium nitride,high electron mob...
1
gallium nitride,high electron mob...
1
gallium nitride,high electron mob...
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure...
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure...
.
下一頁 >
出版年
4
2023
1
2022
2
2020
全文授權
4
同意授權(全球公開)
1
同意授權(限校園內公開)
1
有償授權
1
未授權
全文
7
true