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第 1 到 10 筆結果,共 57 筆。
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2011
超薄氧化層金氧半電容元件之製程開發與特性分析
Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide
Tzu-Yu Chen; 陳姿妤
電子工程學研究所
2006
形變溫度施壓對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應
Effects of Strain-Temperature Stress on MOS Capacitors with Ultra-thin Gate Oxides
Chia-Nan Lin; 林佳男
電子工程學研究所
2008
伸張應力對快速熱成長超薄閘極氧化層金氧半電容元件之效應
Effect of Tensile-stress on MOS Capacitors with Rapid Thermal Ultra-Thin Gate Oxides
Chien-Yu Liu; 劉建語
電子工程學研究所
2005
利用交直流陽極氧化補償技術改善超薄閘極氧化層品質
Quality Improvement in Ultra-Thin Gate Oxides by Direct-Current Superimposed With Alternating-Current Anodization (DAC-ANO) Compensation Technique
Yen-Ting Lin; 林彥廷
電子工程學研究所
2005
應用硝酸氧化及陽極氧化補償技術製作金氧半元件之奈米尺度高介電係數氧化鉿閘極介電層
Application of Chemical Oxidation in Nitric Acid and Anodic Oxidation Compensation Techniques on Preparing Nano-Scale High-k HfO2 Gate Dielectrics in MOS Devices
Chia-Hua Chang; 張嘉華
電子工程學研究所
2005
應力對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應
Effects of Stress on MOS Devices with Ultra Thin Gate Oxides
Chien-Jui Hung; 洪劍睿
電子工程學研究所
2008
金氧半元件中高介電係數閘極介電層之反轉穿隧電流特性分析
Characterization of Inversion Tunneling Current for MOS Devices with High-k Gate Dielectrics
Chih-Hao Chen; 陳志豪
電子工程學研究所
2009
以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術低溫製備高介電係數氧化鋁閘極介電層
Al2O3 High-k Gate Dielectrics Fabricated by Shadow Evaporation and Nitric Acid Oxidation under Low Temperature Process for MOS Devices
Ching-Hang Chen; 陳慶航
電子工程學研究所
2016
嵌入式補償性金屬對超薄氧化層金氧半穿隧二極體之電特性影響
Effect of Compensatory Embedded Aluminum on the Electrical Characteristics of MIS Tunnel Diode with Ultrathin Oxide
Jun-Yao Chen; 陳俊堯
電子工程學研究所
2014
以硝酸氧化備製中堆疊高介電常數氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件特性研究
Investigation of HfO2 High-k Gate Dielectrics in Tandem Structure Fabricated by Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Xing-You Lin; 林星佑
電子工程學研究所
探索
關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
5
金氧半電容元件
5
陽極氧化
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
anodization
.
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出版年
37
2010 - 2020
20
2005 - 2009
全文授權
52
有償授權
3
未授權
2
同意授權(全球公開)
學位
47
碩士
10
博士