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第 51 到 57 筆結果,共 57 筆。
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2016
外圍環繞超薄金屬閘極之金氧半穿隧二極體雙態電流行為
Two-State Current Behavior in MIS Tunnel Diode with Ultra-thin Surrounding Gate Metal Electrode
Kuan-Hao Tseng; 曾冠豪
電子工程學研究所
2014
氧化鉿/二氧化矽介電層金氧半結構之製程開發及穿隧電流特性分析
Process Development and Tunneling Current Characteristics of MOS Structure with HfO2/SiO2 Dielectrics
Chin-Sheng Pang; 逄錦昇
電子工程學研究所
2009
超薄氧化層純水補償技術及氫對ONO介電層可靠度之影響
Compensation Technique of Ultra-Thin Oxide in D.I. Water and the Effect of Hydrogen on the Reliability of Oxide-Nitride-Oxide (ONO) Dielectrics
Yi-Lin Yang; 楊宜霖
電子工程學研究所
2014
碳化矽金氧半電容之閘極氧化層與碳積聚研究
Investigation of Gate Dielectrics and Carbon Interstitials on 4H-SiC MOS Capacitors
Chia-Ming Hsu; 許家銘
電子工程學研究所
2012
金氧半光與溫度感測元件結構及製程之研究
Study on the Structure and Process of MOS Photo and Temperature Sensitive Devices
Chih-Yao Wang; 王志耀
電子工程學研究所
2019
氧化層厚度對邊緣環繞超薄金屬閘極金氧半穿隧二極體雙態特性之影響
Effect of Oxide Thickness on The Two-State haracteristics in MIS(p) Tunnel Diode with Ultra-thin Metal Surrounded Gate
Chieh-Fang Cheng; 鄭捷方
電子工程學研究所
2019
鄰近元件耦合造成之金氧半穿隧二極體雙態電流特性分析
Study of Two-State Current Phenomenon due to Neighboring-Device Coupling Effect in MIS(p) Tunnel Diode
Yu-Cheng Chiang; 江育誠
電子工程學研究所
探索
關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
5
金氧半電容元件
5
陽極氧化
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
anodization
.
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出版年
37
2010 - 2020
20
2005 - 2009
全文授權
52
有償授權
3
未授權
2
同意授權(全球公開)
學位
47
碩士
10
博士