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  1. NTU Theses and Dissertations Repository
  2. 電機資訊學院
  3. 光電工程學研究所
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dc.contributor.advisor彭隆瀚(Lung-Han Peng)
dc.contributor.authorTi-JU Hsiehen
dc.contributor.author謝䔶如zh_TW
dc.date.accessioned2022-11-24T03:11:47Z-
dc.date.available2022-02-16
dc.date.available2022-11-24T03:11:47Z-
dc.date.copyright2022-02-16
dc.date.issued2022
dc.date.submitted2022-02-08
dc.identifier.citation1. https://tw.stock.yahoo.com/news/%E7%A7%91%E6%8A%80-%E7%A0%94%E8%AA%BF-2021%E8%BB%8A%E7%94%A8led%E7%94%A2%E5%80%BC%E4%BC%B035-1%E5%84%84%E7%BE%8E%E5%85%83-%E5%B9%B4%E5%A2%9E31-055847643.html 2. Huang-Yu Lin, Chin-Wei Sher, Dan-Hua Hsieh, Xin-Yin Chen, Huang-Ming Philip Chen, Teng-Ming Chen, Kei-May Lau, Chyong-Hua Chen, Chien-Chung Lin, and Hao-Chung Kuo, 'Optical cross-talk reduction in a quantum-dot-based full-color micro-light-emitting-diode display by a lithographic-fabricated photoresist mold,' Photon. Res. 5, 411-416 (2017). 3. Liang, K-L., Kuo, W-H., Shen, H-T., Yu, P-W., Fang, Y-H., Lin, C-C. (2021). Advances in color-converted micro-LED arrays. Japanese journal of applied physics, 60(SA0802). (2021). 4. Wu, T.; Sher, C.-W.; Lin, Y.; Lee, C.-F.; Liang, S.; Lu, Y.; Huang Chen, S.-W.; Guo, W.; Kuo, H.-C.; Chen, Z. Mini-LED and Micro-LED: Promising Candidates for the Next Generation Display Technology. Appl. Sci. (2018). 5. Ryan T. Ley, Jordan M. Smith, Matthew S. Wong, Tal Margalith, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars, and Michael J. Gordon , 'Revealing the importance of light extraction efficiency in InGaN/GaN microLEDs via chemical treatment and dielectric passivation', Appl. Phys. Lett. 116, 251104 (2020). 6. M. Wong et al., Optics Express 20, 5787 (2020). 7. P. C. Wang et al., Bias tuning charge-releasing leading to negative differential resistance in amorphous gallium oxide/Nb:SrTiO3 heterostructure, Appl. Phys. Lett. 107, 262110 (2015). 8. Audrius Alkauskas, Matthew D. McCluskey, and Chris G. Van de Walle , 'Tutorial: Defects in semiconductors—Combining experiment and theory', Journal of Applied Physics 119, 181101 (2016) https://doi.org/10.1063/1.4948245; 9. B.E. Kananen, N.C. Giles, L.E. Halliburton, G.K. Foundos, K.B. Chang, and K.T. Stevens, J. Appl. Phys. 122, 215703 (2017). 10. Takahiro Shiga, Hisayoshi Fujikawa, and Yasunori Taga , 'Design of multiwavelength resonant cavities for white organic light-emitting diodes', Journal of Applied Physics 93, 19-22 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1527708. 11. 楊明輝,”透明導電膜材料與成膜技術的新發展”,工業材料,第189期, 2000,pp.161~174。 12. J Mater Sci: Mater Electron (2016) 27:11064–11071. 13. Mazur, Michal Kaczmarek, Danuta Domaradzki, Jaroslaw Wojcieszak, Damian Song, S. Placido, Frank. (2010). Influence of thickness on transparency and sheet resistance of ITO thin films. Conference Proceedings - The 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010. 10.1109/ASDAM.2010.5666348. 14. H. Guo, K. Brown, D. Korakakis, and X. A. Cao , 'Low-resistance, highly transparent, and thermally stable Ti/ITO Ohmic contacts to -GaN', Journal of Vacuum Science Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 27, 1161-1164 (2009) 15. https://www.lockinc.com.tw/zh-tw/product-619616/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E7%89%87%E9%9B%BB%E9%98%BB%E8%88%87%E6%8E%A5%E8%A7%B8%E9%9B%BB%E9%98%BB%E6%B8%AC%E8%A9%A6%E8%A7%A3%E6%B1%BA%E6%96%B9%E6%A1%88-Customized-Solution-3.html 16. 侯秉宏,“於多晶矽基板上生長GaOx之發光二極體特性研究”,國立台灣大學光電工程學研究所碩士論文(2021). 17. https://technews.tw/2021/10/21/ma-tek-ga2o3-4th-semiconductor/ 18. Jiaye Zhang, Jueli Shi, Dong-Chen Qi, Lang Chen, and Kelvin H. L. Zhang , 'Recent progress on the electronic structure, defect, and doping properties of Ga2O3', APL Materials 8, 020906 (2020) 19. Guo Dao-You, Li Pei-Gang, Chen Zheng-Wei, Wu Zhen-Ping, Tang Wei-Hua. Ultra-wide bandgap semiconductor of β-Ga2O3 and its research progress of deep ultraviolet transparent electrode and solar-blind photodetector. Acta Phys. Sin., 2019, 68(7): 078501. 20. https://www.gushiciku.cn/dc_tw/105943476 21. 黃柏詠,“射頻濺鍍氧化鎵在多晶矽基板上之發光二極體特性研究”, 國立台灣大學光電工程學研究所碩士論文(2021). 22. https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/knowledge/e-learning/discrete/chap5/chap5-2.html 23. Jiaye Zhang et al, Fabrication and Interfacial Electronic Structure of Wide Bandgap NiO and Ga2O3 p–n Heterojunction, ACS Appl. Electron. Mater. 2020, 2, 2, 456–463 24. http://mnm.physics.mcgill.ca/content/lor-5b-lift-process 25. http://mnm.physics.mcgill.ca/content/s1813-spin-coating 26. Non-Destructive Contact ResistivityMeasurements on Industrial Solar Cells University of Central Florida (UCF). 27. https://en.wikipedia.org/wiki/Total_internal_reflection 28. Young-Gu Ju (2011). Micro-cavity in organic light-emitting diode, Organic Light Emitting Diode - Material,Process and Devices, Prof. Seung Hwan Ko (Ed.). 29. 李柏廷,“電漿輔助型原子層沉積之發光二極體特性研究”, 國立台灣大學光電工程學研究所碩士論文(2014). 30. https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%B8%83%E6%8B%89%E6%A0%BC%E5%AE%9A%E5%BE%8B 31. R.Werner,M.Reinhardt,M. Emmerling,A. Forchel, V.Harle, and A.Bazhenov,Physica E,7,915(2000)
dc.identifier.urihttp://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/80650-
dc.description.abstract  本論文內容主要探討利用剝離成形法,在多晶矽基板上製作以氧化鎵為主動層的發光二極體元件,進行氧化銦錫(ITO)波導層折射率與厚度調整、元件側面發光研磨、布拉格光柵多層反射鏡、電性量測與光譜量測等實驗,我們先以軟體模擬分析製成參數後,再以實驗加以驗證,量測元件各種物理特性及發光參數來進行比較,製作出能調整發光頻寬與波長的色心自發光二極體。 內容首先介紹氧化銦錫(ITO)、氧化鎵(GaOx)等材料的特性與用途,並探討在不同厚度與氣體通量下作為發光二極體材料的優缺。再以剝離成形法在元件側面製作出垂直型分散式布拉格光柵多層反射鏡(Distributed Bragg Reflector DBR),以調整色心自發光二極體的發光光譜的波長範圍,並進行電性量測與發光角度量測分析,與Matlab模擬的元件光電場分析進行比較。 相較於一般市面上 LED使用彩色濾玻片或螢光粉來改變發光的光譜波段,吾人製作的自發光二極體以微型的光柵設計使顏色波段能更簡單並有效率的調整,讓色心自發光二極體未來能有更多邁向雷射、AR、VR等領域的應用層面。 關鍵字: 發光二極體、剝離成形法、分佈式布拉格反射鏡、氧化銦錫、矽基氧化鎵zh_TW
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2022-11-24T03:11:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2022
en
dc.description.tableofcontents目錄 口試委員會審定書 I 摘要 II Abstract III 目錄 V Chapter 1 緒論 1 1.1 簡介 1 1.2 研究動機與目的 2 1.3 論文內容概述 4 Chapter 2 色心自發光二極體及多層膜波導之特性 5 2.1 色心自發光二極體的發光原理 5 2.2 多層膜共振腔之結構與特性 7 Chapter 3 實驗材料介紹及材料特性分析 10 3.1 氧化銦錫(ITO)材料介紹與特性分析 10 3.1.1 透明導電薄膜(Transparent Conductive Films TCF) 10 3.1.2 電性與穿透率 12 3.2 氧化鎵(GaOx)材料介紹與特性分析 15 3.2.1 氧化鎵晶格結構與物理性質 16 3.2.2 氧化鎵組成與氧元素比例 18 Chapter 4 發光二極體研製及製程參數制定 20 4.1 發光二極體設計概念 20 4.2 發光二極體元件製作 23 Chapter 5 發光二極體透光率與共振腔長 30 5.1 鍍膜材料參數與光譜透光率模擬 31 5.2 LED元件電性量測與電激發光譜量測 35 5.3 矽基氧化鎵發光二極體電性分析 37 5.4 ITO加厚與共振腔理論印證 48 Chapter 6 分佈式布拉格光柵反射鏡 50 6.1 DBR結構週期模擬 53 6.2 DBR光柵製程與光罩設計 56 6.3 DBR光柵結構與側發光量測結果 59 Chapter 7 結論與未來展望 62 參考文獻 64 附錄 66
dc.language.isozh-TW
dc.subject矽基氧化鎵zh_TW
dc.subject發光二極體zh_TW
dc.subject剝離成形法zh_TW
dc.subject分佈式布拉格反射鏡zh_TW
dc.subject氧化銦錫zh_TW
dc.subjectGaOx light emitter on Poly-Sien
dc.subjectITOen
dc.subjectLEDen
dc.subjectlift-off methoden
dc.subjectDistributed Bragg Reflectorsen
dc.title在多晶矽基板上以剝離成形法製成具分佈式布拉格反射鏡之矽基氧化鎵發光元件zh_TW
dc.titleGaOx light emitter with distributed Bragg reflectors on Poly-Si substrates by a lift-off methoden
dc.date.schoolyear110-1
dc.description.degree碩士
dc.contributor.oralexamcommittee毛明華,李君浩,吳忠幟
dc.subject.keyword發光二極體,剝離成形法,分佈式布拉格反射鏡,氧化銦錫,矽基氧化鎵,zh_TW
dc.subject.keywordLED,lift-off method,Distributed Bragg Reflectors,ITO,GaOx light emitter on Poly-Si,en
dc.relation.page68
dc.identifier.doi10.6342/NTU202200368
dc.rights.note同意授權(限校園內公開)
dc.date.accepted2022-02-08
dc.contributor.author-college電機資訊學院zh_TW
dc.contributor.author-dept光電工程學研究所zh_TW
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