請用此 Handle URI 來引用此文件：
http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/53870完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 陳俊顯(Chun-hsien Chen) | |
| dc.contributor.author | Ta-Cheng Ting | en |
| dc.contributor.author | 丁大成 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-16T02:31:56Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-31 | |
| dc.date.copyright | 2015-07-31 | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.date.submitted | 2015-07-29 | |
| dc.identifier.citation | (1) Moore, G. E. Electronics 1965, 38, 114.
(2) Moore, G. E. IEEE IEDM Tech. Dig. 1975, 11. (3) Kanellos, M. Moore's Law to roll on for another decade CNET News Feb. 10, 2003. http://news.cnet.com/2100-1001-984051.html (accessed May, 20, 2015). (4) International Technology Roadmap for Semiconductors Home Page. http://www.itrs.net/ (accessed May, 11, 2015) (5) Aviram, A.; Ratner, M. A. Chem. Phys. Lett. 1974, 29, 277. (6) Lin, S.-Y.; Chen, I.-W. P.; Chen, C.-h.; Hsieh, M.-H.; Yeh, C.-Y.; Lin, T.-W.; Chen, Y.-H.; Peng, S.-M. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 959. (7) Chen, I.-W. P.; Fu, M. D.; Tseng, W. H.; Yu, J. Y.; Wu, S. H.; Ku, C. J.; Chen, C. h.; Peng, S. M. Angew. Chem. Int. Ed. 2006, 45, 5814. (8) Chae, D.-H.; Berry, J. F.; Jung, S.; Cotton, F. A.; Murillo, C. A.; Yao, Z. Nano Lett. 2006, 6, 165. (9) Liu, I. P. C.; Bénard, M.; Hasanov, H.; Chen, I.-W. P.; Tseng, W. H.; Fu, M. D.; Rohmer, M. M.; Chen, C.-h.; Lee, G. H. Chem.-Eur. J. 2007, 13, 8667. (10) Yin, C.; Huang, G.-C.; Kuo, C.-K.; Fu, M.-D.; Lu, H.-C.; Ke, J.-H.; Shih, K.-N.; Huang, Y.-L.; Lee, G.-H.; Yeh, C.-Y. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 10090. (11) Blum, A. S.; Kushmerick, J. G.; Long, D. P.; Patterson, C. H.; Yang, J. C.; Henderson, J. C.; Yao, Y.; Tour, J. M.; Shashidhar, R.; Ratna, B. R. Nat. Mater. 2005, 4, 167. (12) Choi, B.-Y.; Kahng, S.-J.; Kim, S.; Kim, H.; Kim, H. W.; Song, Y. J.; Ihm, J.; Kuk, Y. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 156106. (13) Lörtscher, E.; Ciszek, J. W.; Tour, J.; Riel, H. Small 2006, 2, 973. (14) Quek, S. Y.; Kamenetska, M.; Steigerwald, M. L.; Choi, H. J.; Louie, S. G.; Hybertsen, M. S.; Neaton, J. B.; Venkataraman, L. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 230. (15) van der Molen, S. J.; Liljeroth, P. J. Phys.: Condens. Matter 2010, 22, 133001. (16) Tam, E. S.; Parks, J. J.; Shum, W. W.; Zhong, Y.-W.; Santiago-Berríos, M. E. B.; Zheng, X.; Yang, W.; Chan, G. K.-L.; Abruna, H. D.; Ralph, D. C. ACS Nano 2011, 5, 5115. (17) Metzger, R. M.; Chen, B.; Höpfner, U.; Lakshmikantham, M. V.; Vuillaume, D.; Kawai, T.; Wu, X.; Tachibana, H.; Hughes, T. V.; Sakurai, H.; Baldwin, J. W.; Hosch, C.; Cava, M. P.; Brehmer, L.; Ashwell, G. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 10455. (18) Díez-Pérez, I.; Hihath, J.; Lee, Y.; Yu, L.; Adamska, L.; Kozhushner, M. A.; Oleynik, I. I.; Tao, N. Nat. Chem. 2009, 1, 635. (19) Reed, M. A.; Zhou, C.; Muller, C. J.; Burgin, T. P.; Tour, J. M. Science 1997, 278, 252. (20) Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49. (21) Park, H.; Park, J.; Lim, A. K. L.; Anderson, E. H.; Alivisatos, A. P.; McEuen, P. L. Nature 2000, 407, 57. (22) Park, J.; Pasupathy, A. N.; Goldsmith, J. I.; Chang, C.; Yaish, Y.; Petta, J. R.; Rinkoski, M.; Sethna, J. P.; Abruña, H. D.; McEuen, P. L. Nature 2002, 417, 722. (23) Song, H.; Kim, Y.; Jang, Y. H.; Jeong, H.; Reed, M. A.; Lee, T. Nature 2009, 462, 1039. (24) Green, J. E.; Choi, J. W.; Boukai, A.; Bunimovich, Y.; Johnston-Halperin, E.; DeIonno, E.; Luo, Y.; Sheriff, B. A.; Xu, K.; Shin, Y. S. Nature 2007, 445, 414. (25) Lee, J.; Chang, H.; Kim, S.; Bang, G. S.; Lee, H. Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 121, 8653. (26) Chen, F.; Hihath, J.; Huang, Z.; Li, X.; Tao, N. J. Annu. Rev. Phys. Chem. 2007, 58, 535. (27) Park, H.; Lim, A. K. L.; Alivisatos, A. P.; Park, J.; McEuen, P. L. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 301. (28) Xiang, C.; Kim, J. Y.; Penner, R. M. Nano Lett. 2009, 9, 2133. (29) Moreland, J.; Ekin, J. W. J. Appl. Phys. 1985, 58, 3888. (30) Muller, C. J.; van Ruitenbeek, J. M.; de Jongh, L. J. Physica C 1992, 191, 485. (31) Zhou, C.; Muller, C. J.; Deshpande, M. R.; Sleight, J. W.; Reed, M. A. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1160. (32) van Ruitenbeek, J. M.; Alvarez, A.; Pineyro, I.; Grahmann, C.; Joyez, P.; Devoret, M. H.; Esteve, D.; Urbina, C. Rev. Sci. Instrum. 1996, 67, 108. (33) Ohnishi, H.; Kondo, Y.; Takayanagi, K. Nature 1998, 395, 780. (34) Xu, B.; Tao, N. J. Science 2003, 301, 1221. (35) Xu, B.; Xiao, X.; Tao, N. J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 16164. (36) Frei, M.; Aradhya, S. V.; Koentopp, M.; Hybertsen, M. S.; Venkataraman, L. Nano Lett. 2011, 11, 1518. (37) Wold, D. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549. (38) Cui, X. D.; Primak, A.; Zarate, X.; Tomfohr, J.; Sankey, O. F.; Moore, A. L.; Moore, T. A.; Gust, D.; Harris, G.; Lindsay, S. M. Science 2001, 294, 571. (39) Andres, R. P.; Bein, T.; Dorogi, M.; Feng, S.; Henderson, J. I.; Kubiak, C. P.; Mahoney, W.; Osifchin, R. G.; Reifenberger, R. Science 1996, 272, 1323. (40) Morita, T.; Lindsay, S. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 7262. (41) Rubio-Bollinger, G.; Bahn, S. R.; Agrait, N.; Jacobsen, K. W.; Vieira, S. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 026101. (42) Haiss, W.; van Zalinge, H.; Higgins, S. J.; Bethell, D.; Höbenreich, H.; Schiffrin, D. J.; Nichols, R. J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 15294. (43) Nichols, R. J.; Haiss, W.; Higgins, S. J.; Leary, E.; Martin, S.; Bethell, D. Phys. Chem. Chem. Phys. 2010, 12, 2801. (44) Haiss, W.; Nichols, R. J.; van Zalinge, H.; Higgins, S. J.; Bethell, D.; Schiffrin, D. J. Phys. Chem. Chem. Phys. 2004, 6, 4330. (45) Salomon, A.; Cahen, D.; Lindsay, S.; Tomfohr, J.; Engelkes, V. B.; Frisbie, C. D. Adv. Mater. 2003, 15, 1881. (46) Karthäuser, S. J. Phys.: Condens. Matter 2011, 23, 013001. (47) McCreery, R. L. Chem. Mater. 2004, 16, 4477. (48) Simmons, J. G. J. Appl. Phys. 1963, 34, 1793. (49) Selzer, Y.; Cabassi, M. A.; Mayer, T. S.; Allara, D. L. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 4052. (50) Beebe, J. M.; Kim, B.; Gadzuk, J. W.; Frisbie, C. D.; Kushmerick, J. G. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 026801. (51) Choi, S. H.; Kim, B.; Frisbie, C. D. Science 2008, 320, 1482. (52) Beebe, J. M.; Kim, B.; Frisbie, C. D.; Kushmerick, J. G. ACS Nano 2008, 2, 827. (53) Huisman, E. H.; Guédon, C. M.; van Wees, B. J.; van der Molen, S. J. Nano Lett. 2009, 9, 3909. (54) Huang, C.; Rudnev, A. V.; Hong, W.; Wandlowski, T. Chem. Soc. Rev. 2015, 44, 889. (55) Tao, N. J. Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 4066. (56) Albrecht, T.; Guckian, A.; Ulstrup, J.; Vos, J. G. Nano Lett. 2005, 5, 1451. (57) Albrecht, T.; Guckian, A.; Kuznetsov, A. M.; Vos, J. G.; Ulstrup, J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 17132. (58) Li, Z.; Han, B.; Meszaros, G.; Pobelov, I.; Wandlowski, T.; Błaszczyk, A.; Mayor, M. Faraday Discuss. 2006, 131, 121. (59) Pobelov, I. V.; Li, Z.; Wandlowski, T. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 16045. (60) Tsoi, S.; Griva, I.; Trammell, S. A.; Blum, A. S.; Schnur, J. M.; Lebedev, N. ACS Nano 2008, 2, 1289. (61) Ricci, A. M.; Calvo, E. J.; Martin, S.; Nichols, R. J. J. Am. Chem. Soc. 2009, 132, 2494. (62) Della Pia, E. A.; Chi, Q.; Jones, D. D.; Macdonald, J. E.; Ulstrup, J.; Elliott, M. Nano Lett. 2010, 11, 176. (63) Zhang, J.; Kuznetsov, A. M.; Medvedev, I. G.; Chi, Q.; Albrecht, T.; Jensen, P. S.; Ulstrup, J. Chem. Rev. 2008, 108, 2737. (64) Della Pia, E. A.; Chi, Q.; Macdonald, J. E.; Ulstrup, J.; Jones, D. D.; Elliott, M. Nanoscale 2012, 4, 7106. (65) Morita, T.; Lindsay, S. J. Phys. Chem. B 2008, 112, 10563. (66) Artés, J. M.; López‐Martínez, M.; Díez‐Pérez, I.; Sanz, F.; Gorostiza, P. Small 2014, 10, 2537. (67) Artés, J. M.; López-Martínez, M.; Díez-Pérez, I.; Sanz, F.; Gorostiza, P. Electrochim. Acta 2014, 140, 83. (68) Hines, T.; Díez-Pérez, I.; Nakamura, H.; Shimazaki, T.; Asai, Y.; Tao, N. J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 3319. (69) Hansen, A. G.; Salvatore, P.; Karlsen, K. K.; Nichols, R. J.; Wengel, J.; Ulstrup, J. Phys. Chem. Chem. Phys. 2013, 15, 776. (70) Brooke, R. J.; Jin, C.; Szumski, D.; Nichols, R. J.; Mao, B.-W.; Thygesen, K. S.; Schwarzacher, W. Nano Lett. 2015, 15, 275. (71) Li, X.; Hihath, J.; Chen, F.; Masuda, T.; Zang, L.; Tao, N. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 11535. (72) Díez-Pérez, I.; Li, Z.; Guo, S.; Madden, C.; Huang, H.; Che, Y.; Yang, X.; Zang, L.; Tao, N. ACS Nano 2012, 6, 7044. (73) Xu, B. Q.; Li, X. L.; Xiao, X. Y.; Sakaguchi, H.; Tao, N. J. Nano Lett. 2005, 5, 1491. (74) Chen, F.; He, J.; Nuckolls, C.; Roberts, T.; Klare, J. E.; Lindsay, S. Nano Lett. 2005, 5, 503. (75) He, J.; Fu, Q.; Lindsay, S.; Ciszek, J. W.; Tour, J. M. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 14828. (76) Visoly-Fisher, I.; Daie, K.; Terazono, Y.; Herrero, C.; Fungo, F.; Otero, L.; Durantini, E.; Silber, J. J.; Sereno, L.; Gust, D. Proc. Natl. Acad. Sci. 2006, 103, 8686. (77) Leary, E.; Higgins, S. J.; van Zalinge, H.; Haiss, W.; Nichols, R. J.; Nygaard, S.; Jeppesen, J. O.; Ulstrup, J. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12204. (78) Kay, N. J.; Higgins, S. J.; Jeppesen, J. O.; Leary, E.; Lycoops, J.; Ulstrup, J.; Nichols, R. J. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 16817. (79) Haiss, W.; Albrecht, T.; van Zalinge, H.; Higgins, S. J.; Bethell, D.; Höbenreich, H.; Schiffrin, D. J.; Nichols, R. J.; Kuznetsov, A. M.; Zhang, J. J. Phys. Chem. B 2007, 111, 6703. (80) Darwish, N.; Díez‐Pérez, I.; Da Silva, P.; Tao, N.; Gooding, J. J.; Paddon‐Row, M. N. Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 124, 3257. (81) Darwish, N.; Díez-Pérez, I.; Guo, S.; Tao, N.; Gooding, J. J.; Paddon-Row, M. N. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 21093. (82) Baghernejad, M.; Zhao, X.; Baruël Ørns?, K.; Füeg, M.; Moreno-García, P.; Rudnev, A. V.; Kaliginedi, V.; Vesztergom, S.; Huang, C.; Hong, W. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 17922. (83) Zhou, X.-S.; Liu, L.; Fortgang, P.; Lefevre, A.-S.; Serra-Muns, A.; Raouafi, N.; Amatore, C.; Mao, B.-W.; Maisonhaute, E.; Schöllhorn, B. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 7509. (84) Xiao, X.; Brune, D.; He, J.; Lindsay, S.; Gorman, C. B.; Tao, N. Chem. Phys. 2006, 326, 138. (85) Davis, W. B.; Svec, W. A.; Ratner, M. A.; Wasielewski, M. R. Nature 1998, 396, 60. (86) Tour, J. M. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 791. (87) Tsuda, A.; Osuka, A. Science 2001, 293, 79. (88) Bildstein, B.; Loza, O.; Chizhov, Y. Organometallics 2004, 23, 1825. (89) Murahashi, T.; Mochizuki, E.; Kai, Y.; Kurosawa, H. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 10660. (90) Tejel, C.; Ciriano, M. A.; Villarroya, B. E.; López, J. A.; Lahoz, F. J.; Oro, L. A. Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 115, 547. (91) Hurley, T. J.; Robinson, M. A. Inorg. Chem. 1968, 7, 33. (92) Aduldecha, S.; Hathaway, B. J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1991, 993. (93) Yang, E.-C.; Cheng, M.-C.; Tsai, M.-S.; Peng, S.-M. J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1994, 2377. (94) Lai, S.-Y.; Lin, T.-W.; Chen, Y.-H.; Wang, C.-C.; Lee, G.-H.; Yang, M.-h.; Leung, M.-k.; Peng, S.-M. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 250. (95) Chien, C.-H.; Chang, J.-C.; Yeh, C.-Y.; Lee, G.-H.; Fang, J.-M.; Song, Y.; Peng, S.-M. Dalton Trans. 2006, 3249. (96) Chien, C.-H.; Chang, J.-C.; Yeh, C.-Y.; Lee, G.-H.; Fang, J.-M.; Peng, S.-M. Dalton Trans. 2006, 2106. (97) Tsao, T.-B.; Lo, S.-S.; Yeh, C.-Y.; Lee, G.-H.; Peng, S.-M. Polyhedron 2007, 26, 3833. (98) Ismayilov, R. H.; Wang, W.-Z.; Lee, G.-H.; Wang, R.-R.; Liu, I. P.-C.; Yeh, C.-Y.; Peng, S.-M. Dalton Trans. 2007, 2898. (99) Wang, W.-Z.; Ismayilov, R. H.; Lee, G.-H.; Liu, I. P.-C.; Yeh, C.-Y.; Peng, S.-M. Dalton Trans. 2007, 830. (100) Wang, W.-Z.; Ismayilov, R. H.; Wang, R.-R.; Huang, Y.-L.; Yeh, C.-Y.; Lee, G.-H.; Peng, S.-M. Dalton Trans. 2008, 6808. (101) Ismayilov, R. H.; Wang, W. Z.; Wang, R. R.; Huang, Y. L.; Yeh, C. Y.; Lee, G. H.; Peng, S. M. Eur. J. Inorg. Chem. 2008, 2008, 4290. (102) Shih, K.-N.; Huang, M.-J.; Lu, H.-C.; Fu, M.-D.; Kuo, C.-K.; Huang, G.-C.; Lee, G.-H.; Chen, C.-h.; Peng, S.-M. Chem. Commun. 2010, 46, 1338. (103) Huang, Y.-M.; Lai, S.-H.; Lee, S. J.; Chen, I.-C.; Huang, C. L.; Peng, S.-M.; Wang, W.-Z. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 2454. (104) Ismayilov, R. H.; Wang, W. Z.; Lee, G. H.; Yeh, C. Y.; Hua, S. A.; Song, Y.; Rohmer, M. M.; Bénard, M.; Peng, S. M. Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 2045. (105) Cotton, F. A.; Daniels, L. M.; Jordan IV, G. T. Chem. Commun. 1997, 421. (106) Cotton, F. A.; Daniels, L. M.; Lei, P.; Murillo, C. A.; Wang, X. Inorg. Chem. 2001, 40, 2778. (107) Berry, J. F.; Cotton, F. A.; Murillo, C. A. Dalton Trans. 2003, 3015. (108) Berry, J. F.; Cotton, F. A.; Lu, T.; Murillo, C. A.; Wang, X. Inorg. Chem. 2003, 42, 3595. (109) Liu, P.-C. New Generations of Metal Strings: Synthesis, Structure, Magnetism, Spectroscopy and Theoretical Analysis of the Mixed-Valence [Ni5]8+ Compound and Two Mixed-Metal (Cu-Pd-Cu and Cu-Pt-Cu) Complexes. Ph.D. Dissertation, National Taiwan University, Taipei, 2008. (110) Sheu, J.-T.; Lin, C.-C.; Chao, I.; Wang, C.-C.; Peng, S.-M. Chem. Commun. 1996, 315. (111) Shieh, S. J.; Chou, C. C.; Lee, G. H.; Wang, C. C.; Peng, S. M. Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1997, 36, 56. (112) Wang, C.-C.; Lo, W.-C.; Chou, C.-C.; Lee, G.-H.; Chen, J.-M.; Peng, S.-M. Inorg. Chem. 1998, 37, 4059. (113) Chang, H. C.; Li, J. T.; Wang, C. C.; Lin, T. W.; Lee, H. C.; Lee, G. H.; Peng, S. M. Eur. J. Inorg. Chem. 1999, 1999, 1243. (114) Yeh, C.-Y.; Chou, C.-H.; Pan, K.-C.; Wang, C.-C.; Lee, G.-H.; Su, Y. O.; Peng, S.-M. J. Chem. Soc. Dalton Trans. 2002, 2670. (115) Yeh, C.-Y.; Chiang, Y.-L.; Lee, G.-H.; Peng, S.-M. Inorg. Chem. 2002, 41, 4096. (116) Chen, Y.-H.; Lee, C.-C.; Wang, C.-C.; Lee, G.-H.; Lai, S.-Y.; Li, F.-Y.; Mou, C.-Y.; Peng, S.-M. Chem. Commun. 1999, 1667. (117) Lai, S. Y.; Wang, C. C.; Chen, Y. H.; Lee, C. C.; Liu, Y. H.; Peng, S. M. J. Chin. Chem. Soc. 1999, 46, 477. (118) Peng, S.-M.; Wang, C.-C.; Jang, Y.-L.; Chen, Y.-H.; Li, F.-Y.; Mou, C.-Y.; Leung, M.-K. J. Magn. Magn. Reson. 2000, 209, 80. (119) Cotton, F. A.; Curtis, N. F.; Harris, C. B.; Johnson, B. F. G.; Lippard, S. J.; Mague, J. T.; Robinson, W. R.; Wood, J. S. Science 1964, 145, 1305. (120) Cotton, F. A.; Curtis, N. F.; Johnson, B. F. G.; Robinson, W. R. Inorg. Chem. 1965, 4, 326. (121) Cotton, F. A.; Wilkinson, G.; Murillo, C. A.; Bochmann, M. In Advanced Inorganic Chemistry 6th Edh.; Jhon Wiley & Sons: New York, 1999. (122) Berry, J. F.; Cotton, F. A.; Daniels, L. M.; Murillo, C. A.; Wang, X. Inorg. Chem. 2003, 42, 2418. (123) Berry, J. F.; Cotton, F. A.; Lei, P.; Lu, T.; Murillo, C. A. Inorg. Chem. 2003, 42, 3534. (124) Noviandri, I.; Brown, K. N.; Fleming, D. S.; Gulyas, P. T.; Lay, P. A.; Masters, A. F.; Phillips, L. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 6713. (125) Makk, P.; Tomaszewski, D.; Martinek, J.; Balogh, Z.; Csonka, S.; Wawrzyniak, M.; Frei, M.; Venkataraman, L.; Halbritter, A. ACS Nano 2012, 6, 3411. (126) Jang, S.-Y.; Reddy, P.; Majumdar, A.; Segalman, R. A. Nano Lett. 2006, 6, 2362. (127) Yeh, C.-Y.; Wang, C.-C.; Chen, C.-h.; Peng, S.-M. In Redox Systems Under Nano-Space Control; Hirao, T., Ed.; Springer-Verlag: Berlin, 2006, 85-116. (128) Hsiao, C.-J.; Lai, S.-H.; Chen, I.-C.; Wang, W.-Z.; Peng, S.-M. J. Phys. Chem. A 2008, 112, 13528. (129) Berry, J. F.; Cotton, F. A.; Lu, T.; Murillo, C. A.; Roberts, B. K.; Wang, X. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 7082. (130) Hua, S. A.; Tsai, Y. C.; Peng, S. M. J. Chin. Chem. Soc. 2014, 61, 9. (131) Salerno, M. Rev. Sci. Instrum. 2010, 81, 093703. (132) Snyder, L. R. J. Chromatogr. A 1974, 92, 223. (133) Meloan, C. E. In Chemical Separations: Principles, Techniques, and Experiments; Wiley: New York, 1999. | |
| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/53870 | - |
| dc.description.abstract | 單一分子的導電值會受到電極–分子–電極接合點中電子傳遞方式的影響，其中一個重要的因素是電極費米能階(Fermi level)與分子前緣分子軌域能階(frontier molecular orbitals)之間的能量差，即能階匹配(energy-level alignment)的程度。電化學是一種調控工作電極費米能階位置的方法，藉此可以輕易控制該能階接近或遠離分子軌域能階，即控制能階匹配的程度。本研究的量測對象為具有直線型金屬鏈的一系列五核金屬串分子(金屬核分別為鎳、鈷和鉻)，該分子們有明確的第一氧化態與相較於飽和烷碳鏈較小的 HOMO-LUMO 能量差，適合作為電化學系統探討的對象。ECSTM BJ (electrochemical scanning tunneling spectroscopy break junction)用於量測五核金屬串分子於中性態與第一氧化態時的單分子導電值，結果顯示導電值趨勢與中心金屬間的作用力有關。固定探針與表面間的偏壓進行的電化學電位掃描，可以在電化學電位連續變化的同時監控分子的導電值，結果發現當電化學電位掃描至分子氧化還原電位時具有較高的導電值，遠離該電位時導電值便跟著下降，顯示能階匹配程度上升時，電子較容易在接合點中傳遞。而在不同電化學電位下進行的偏壓掃描，經由轉換電壓能譜(transition voltage spectroscopy, TVS)可以獲得和能障高度(energy barrier height)呈正相關的轉換電壓，實驗觀察到當轉換電壓於電化學電位恰為氧化還原電位時具有最小值，即當能階匹配程度高的時候具有最小的能障高度，同時證明電化學電位掃描時觀察到的導電值變化是能階匹配效應。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | The single-molecule conductance is affected by the electron transport through the electrode–molecule–electrode junctions. One of the most important factors is the energy-level difference between the electrode Fermi level and the frontier
molecular orbitals. This energy difference can be controlled by electrochemical gating, which means pushing the potential of the working electrode toward the redox potential of the molecule. The compounds here are extended metal-atom chains (EMACs), which have well-defined one-electron oxidation reactions, to study the effect of energy-level alignment on the single-molecule conductance. For the scans of electrochemical potential, the single-molecule conductance is measured at a fixed bias and monitored as a function of electrochemical potential. On the other hand, single-molecule i–V curves are obtained at fixed electrochemical potentials. Transition voltages derived from the corresponding Fowler-Nordheim plots are well correlated with the energy barrier heights. Larger conductance and smaller energy barrier heights were found when electrochemical potential was just about the redox potential, indicating the effect of energy-level alignment. | en |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-16T02:31:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-104-R02223115-1.pdf: 4970984 bytes, checksum: 9eccd37f1d740305bfb2179fd410b184 (MD5) Previous issue date: 2015 | en |
| dc.description.tableofcontents | 謝誌 i
摘要 iii ABSTRACT iv 總目錄 v 圖目錄 viii 表目錄 x 第一章 緒論 1 1.1 前言 1 1.2 單分子電性量測方法 2 1.2.1 單分子電晶體 2 1.2.2 機械式可控破裂接合法 3 1.2.3 掃描式探針顯微術 4 1.3 導電機制 9 1.3.1 電子傳遞機制 10 1.3.2 轉換電壓能譜 11 1.4 電化學調控分子電性 14 1.5 金屬串分子簡介 16 1.5.1 一維線型金屬串分子結構 16 1.5.2 金屬–金屬鍵結理論 18 1.5.3 金屬串分子電性量測 19 1.6 研究動機 22 第二章 實驗 23 2.1 藥品與耗材 23 2.2 儀器與設備 24 2.3 方法與操作 26 2.3.1 測定氧化還原電位 26 2.3.2 蒸鍍製備金表面電極與絕緣 27 2.3.3 製備金探針電極與絕緣 28 2.3.4 ECSTM樣品槽之組裝 28 2.3.5 ECSTM BJ之操作 29 2.3.6 ECSTM i–Ewk掃描之操作 30 2.3.7 ECSTM i–Ebias掃描之操作 31 2.4 數據處理 31 2.4.1 統計單分子導電值 31 2.4.2 篩選i–Ewk、i–Ebias軌跡圖 33 2.4.3 由i–Ebias軌跡圖獲得轉換電壓 34 第三章 結果與討論 35 3.1 五核金屬串分子中性態、第一氧化態單分子導電值 35 3.1.1 [Ni5(tpda)4(NCS)2]與[Ni5(tpda)4(NCS)2]+ 35 3.1.2 [Co5(tpda)4(NCS)2]與[Co5(tpda)4(NCS)2]+ 37 3.1.3 [Cr5(tpda)4(NCS)2]與[Cr5(tpda)4(NCS)2]+ 38 3.2 G–Ewk軌跡圖的能階匹配效應 41 3.3 i–Ebias軌跡圖的轉換電壓 43 第四章 結論 46 參考文獻 47 附錄 54 附錄一、ECSTM實驗的溶劑與探針絕緣材料的選擇 54 附錄二、i–Ewk來回掃描軌跡圖 56 附錄三、i–Ewk電流大小與掃描速率的相關性 57 附錄四、i–Ebias軌跡圖原始數據 58 | |
| dc.language.iso | zh-TW | |
| dc.subject | 金屬串分子 | zh_TW |
| dc.subject | 轉換電壓能譜 | zh_TW |
| dc.subject | 能階匹配 | zh_TW |
| dc.subject | 單分子導電值 | zh_TW |
| dc.subject | 電化學掃描式穿隧電子顯微術 | zh_TW |
| dc.subject | transition voltage spectroscopy | en |
| dc.subject | electrochemical scanning tunneling spectroscopy | en |
| dc.subject | single-molecule conductance | en |
| dc.subject | extended metal-atom chains | en |
| dc.subject | energy-level alignment | en |
| dc.title | 以電化學方法調控單分子電性：五核金屬串分子與電極之能階匹配 | zh_TW |
| dc.title | Tuning the Single-molecule Conductance of Metal String Complexes by Electrochemical Gating | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 103-2 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 彭旭明(Shie-Ming Peng),金必耀(Bih-Yaw Jin) | |
| dc.subject.keyword | 電化學掃描式穿隧電子顯微術,單分子導電值,金屬串分子,能階匹配,轉換電壓能譜, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | electrochemical scanning tunneling spectroscopy,single-molecule conductance,extended metal-atom chains,energy-level alignment,transition voltage spectroscopy, | en |
| dc.relation.page | 58 | |
| dc.rights.note | 有償授權 | |
| dc.date.accepted | 2015-07-29 | |
| dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 物理研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 物理學系 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
| ntu-104-1.pdf 未授權公開取用 | 4.85 MB | Adobe PDF |
系統中的文件，除了特別指名其著作權條款之外，均受到著作權保護，並且保留所有的權利。