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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.advisor | 吳肇欣(Chao-Hsin Wu) | |
dc.contributor.author | Yun-Chen Wu | en |
dc.contributor.author | 吳允琛 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2021-06-15T16:30:58Z | - |
dc.date.available | 2020-08-20 | |
dc.date.copyright | 2015-08-20 | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.date.submitted | 2015-08-13 | |
dc.identifier.citation | [1] International Technology Roadmap for Semiconductors, “Executive Summary,” (2011).
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dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/52858 | - |
dc.description.abstract | 本論文探討短波長850奈米紅外光垂直共振腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)特性,包含磊晶結構設計、製程步驟、變溫光電直流特性分析、變溫高頻特性量測、小訊號模型分析、高頻特性磊晶結構和製程上優化。
第一章我們會先介紹光通訊的優勢及面射型雷射的發展背景和未來展望,探討850奈米短波常在光通訊上的應用和研究動機。 第二章我們會介紹面射型雷射基本原理和探討磊晶結構、製程步驟、變溫直流特性。磊晶結構我們針對量子井設計和共振腔設計這兩個方向做討論,接下來將介紹如何利用半導體的製程技術製作面射型雷射,最後針對製作出來的元件做變溫量測,探討5 μm、7 μm、9 μm、11 μm光孔徑大小元件在25 ℃、45 ℃、65 ℃、85 ℃下的直流特性,包含L-I-V曲線、L-J-V曲線、光頻譜分析,並深入了解元件直流特性對溫度的穩定性。 第三章我們將建立面射型雷射小訊號模型,由寄生電路模型和雷射本質物理模型組成。我們會先介紹電路模型中電路參數及和萃取方法,再由速率方程式 推導出雷射本質轉移函數,並了解本質函數中物理參數的意義及萃取方法。 第四章我們將分析5 μm、7 μm、9 μm、11 μm光孔徑大小元件在25 ℃、45 ℃、65 ℃、85 ℃下的高頻特性,針對其調變速度和能源效率做分析,再作眼圖和誤碼率的量測。最後萃取7 μm、9 μm、11 μm光孔徑大小元件在25 ℃、45 ℃、65 ℃、85 ℃下注入電流3,6,9 mA下的小訊號參數並分析電路及雷射本質高頻限制,由熱效應、阻尼效應、電路寄生效應三個面向作討論,最後探討如何優化磊晶結構及製程才能達到更快的調變速度。 | zh_TW |
dc.description.abstract | The thesis focus on discussion of the characterization of the infrared 850 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser, including the layer structure design, process flow design, high temperature optical and electrical DC characterization, high temperature optical modulation characterization, small-signal model establishment and analysis, and modulation speed improvement form layer structure and process design.
In Chapter one, the advantages of the optical communication and the background of the VCSEL will be introduced, then we discuss the application of the 850 nm VCSEL and the research motivation. In the Chapter two, first we will discuss the fundamental physics of the laser. Then, we research the layer structure, process flow, and high temperature DC characterization. We focus on the quantum well and cavity design of the layer structure, then introduce the fabrication of the VCSEL. In the last, we measure the DC characterization of the fabricated VCSELs with aperture diameter 5 μm、7 μm、9 μm、11 μm temperature ranging from 25 ℃ to 85 ℃ at 20 ℃ interval, and analyze the L-I-V curve, L-J-V cure, optical spectrum, and the temperature stability of the DC characterization. In Chapter there, we establish the small-signal model, including the parasitic electrical circuit model and physical intrinsic laser model. The electrical parameters in the circuit and the extraction method will be introduced. Then we derivate the laser intrinsic transfer function by rate equation, and recognize the meaning of the physical parameters and extraction method. In the Chapter four, we will analyze the modulation ability of the VCSELs with aperture diameter 7 μm、9 μm、11 μm temperature ranging from 25℃ to 85℃ at 20℃ interval, and put emphasis on the discussion of the modulation speed and energy-efficient ability. Then, we put the devices on the eye diagram and bit error rate test. At last, the small-signal parameters of the devices with aperture diameter 7 μm、9 μm、11 μm bias at 3, 6, 9 mA temperature ranging from 25 ℃ to 85 ℃ at 20 ℃ interval are extracted. Then, we analyze the modulation speed limitation by three aspects including thermal effect, damping effect, parasitic effect. At last but not least, we discuss how to improve the modulation speed by optimization of the layer structure and process flow. | en |
dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-15T16:30:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-104-R02941027-1.pdf: 4639241 bytes, checksum: d2465ee2cf15b67ee7bc5fac00be2ae4 (MD5) Previous issue date: 2015 | en |
dc.description.tableofcontents | 目錄
口試委員審訂書 I 致謝 II 中文摘要 III ABSTRACT IV 目錄 VI 圖目錄 VIII 表目錄 XII 第1章 簡介 1 1.1 背景介紹 1 1.2 研究動機 3 第2章 高速垂直共振腔面射型雷射(VCSEL) 磊晶結構、製程及變溫直流特性分析 5 2.1 波長850 nm-垂直共振腔面射型雷射磊晶結構 5 2.1.1 面射型雷射基本原理介紹 5 2.1.2 磊晶結構設計及分析 7 2.2 面射型雷射製程步驟 16 2.3 元件變溫直流特性分析 21 2.3.1 直流光電變溫量測系統架設 22 2.3.2 變溫光功率-電流-電壓特性曲線(L-I-V curve)分析 23 2.3.3 變溫光功率-電流密度-電壓特性曲線(L-J-V Curve)分析 31 2.3.4 元件特性溫度穩定性探討 36 2.3.5 變溫光頻譜(Spectrum)分析 37 第3章 850 nm垂直共振腔面射型雷射小訊號模型及參數萃取方法建立 41 3.1 面射型雷射小訊號模型建立及分析 41 3.1.1 面射型雷射寄生電路模型建立及電路轉移函數推導 41 3.1.2 面射型雷射本質轉移函數推導 43 3.2 小訊號模型參數萃取方法建立 47 3.2.1 元件寄生電路模型參數萃取方法 48 3.2.2 元件本質轉移函數參數萃取方法 51 第4章 850nm垂直共振腔面射型雷射之變溫高頻特性量測及小訊號模型分析 52 4.1 元件高頻特性變溫量測及分析 52 4.1.1 變溫高頻量測設備架設 52 4.1.2 元件變溫高頻量測及分析 54 4.1.3 元件大訊號眼圖及誤碼率量測 58 4.2 變溫小訊號模型參數萃取及分析 60 4.2.1 元件寄生電路模型參數萃取 61 4.2.2 元件本質轉移函數參數萃取 69 4.2.3 元件調變速度限制分析-外部寄生電路(Parasitic)、元件阻尼(Damping)、熱效應(Thermal) 77 4.2.4 高頻元件磊晶結構及製程優化 79 第5章 論文總結 81 參考資料 82 圖目錄 圖1 1、思科(Cisco)公司在2015年時所發布之全球移動數據流量預測圖 [2] 1 圖2 1、80 nm GaAs/80 nm Al0.3Ga0.7As,4個量子井能帶圖 10 圖2 2、30 nm In0.15Ga0.85As/80 nm Al0.37Ga0.67As,4個量子井能帶圖 10 圖2 3、上方19對DBR在不同波長的反射率模擬 13 圖2 4、下方37對DBR在不同波長的反射率模擬 14 圖2 5、共振腔在不同波長的整體反射率模擬 14 圖2 6、共振腔共振波長和QW發光波長隨溫度紅移變化圖 15 圖2 7、光場在1.5 λ共振腔的侷限與不同位置折射率模擬 15 圖2 8、光場在λ共振腔的侷限與不同位置折射率模擬 16 圖2 9、元件剖面及立體示意圖 17 圖2 10、元件P-type金屬蒸鍍 17 圖2 11、元件P-type圓台乾蝕刻至N-type DBR 18 圖2 12、元件光孔徑水氧化定義 19 圖2 13、元件N-type金屬蒸鍍 19 圖2 14、元件polyimide旋塗和接觸孔乾蝕刻 20 圖2 15、元件完成示意圖 21 圖2 16、直流光電變溫量測系統 23 圖2 17、同溫度下不同光孔徑的L-I-V特性曲線 26 圖2 18、同光孔徑下不同溫度的L-I-V特性曲線 27 圖2 19、操作在2 V下不同溫度不同光孔徑下的Rd比較圖 27 圖2 20、不同溫度不同光孔徑下Ith的比較圖 28 圖2 21、不同溫度不同光孔徑下Vth的比較圖 28 圖2 22、不同溫度不同光孔徑下Pth的比較圖 29 圖2 23、不同溫度不同光孔徑下SEmax的比較圖 29 圖2 24、不同溫度不同光孔徑下Pmax的比較圖 30 圖2 25、不同溫度不同光孔徑下IRO的比較圖 30 圖2 26、不同溫度不同光孔徑下WPEmax的比較圖 31 圖2 27、同溫度下不同光孔徑的L-J-V特性曲線 33 圖2 28、同光孔徑下不同溫度的L-J-V特性曲線 33 圖2 29、同溫度下不同光孔徑電功率消耗對電流密度作圖 34 圖2 30、同光孔徑下不同溫度電功率消耗對電流密度作圖 34 圖2 31、不同溫度不同光孔徑下Jth的比較圖 35 圖2 32、不同溫度不同光孔徑下JRO的比較圖 35 圖2 33、光孔徑5 μm的元件,25℃、45℃、65℃、85℃下的頻譜 38 圖2 34、光孔徑7 μm的元件,25℃、45℃、65℃、85℃下的頻譜 38 圖2 35、光孔徑9 μm的元件,25℃、45℃、65℃、85℃下的頻譜 39 圖2 36、光孔徑11 μm的元件,25℃、45℃、65℃、85℃下的頻譜 39 圖2 37、不同光孔徑下主模態波長隨溫度變化圖 40 圖3 1、氧化侷限面射型雷射的剖面結構外部寄生電路圖 43 圖3 2、加上驅動電流源的小訊號電路模型,z0為訊號源輸入阻抗, 43 圖3 3、元件和下針金屬、介電層之間的等效電路示意圖 50 圖3 4、OPEN下針金屬層俯視圖和等效電路圖 50 圖3 5、SHORT下針金屬層俯視圖和等效電路圖 50 圖3 6、元件氧化及空乏本質區域示意圖 51 圖4 1、變溫頻率響應量測系統 53 圖4 2、光孔直徑5 μm在25℃、45℃、65℃、85℃下不同注入電流的頻率應圖 55 圖4 3、光孔直徑7 μm在25℃、45℃、65℃、85℃下不同注入電流的頻率應圖 55 圖4 4、光孔直徑9 μm在25℃、45℃、65℃、85℃下不同注入電流的頻率應圖 56 圖4 5、光孔直徑11 μm在25℃、45℃、65℃、85℃下不同注入電流的頻率應圖 56 圖4 6、不同溫度下不同光孔徑,將f3dB頻寬對注入電流密度作圖 57 圖4 7、不同溫度下不同光孔徑,將f3dB/Pelectric對注入電流密度作圖 57 圖4 8、11.5 Gbit/s 誤碼率偵測圖 59 圖4 9、11.5 Gbit/s實測眼圖,元件操作在13 mA 59 圖4 10、22 Gbit/s實測眼圖,元件操作在13 mA 59 圖4 11、30 Gbit/s實測眼圖,元件操作在13 mA 60 圖4 12、VCSEL調變速度限制示意圖 60 圖4 13、(a)OPEN下針金屬層S11史密斯圖 (b) OPEN下針金屬層S11強度對頻 率作圖(紅線代表量測,藍線代表模擬) 62 圖4 14、SHORT下針金屬層俯視圖和等效電路圖 62 圖4 15、OPEN下針金屬層S11史密斯圖(紅線代表量測,藍線代表模擬) 62 圖4 16、重新設計的OPEN (a)、SHORT (b)下針金屬層 63 圖4 17、光孔徑14 μm元件在不同溫度下注入電流的模擬和量測S11史密斯曲線 66 圖4 18、光孔徑16 μm元件在不同溫度下注入電流的模擬和量測S11史密斯曲線 66 圖4 19、光孔徑18 μm元件在不同溫度下注入電流的模擬和量測S11史密斯曲線 67 圖4 20、7 μm 光孔徑元件不同溫度下,3 mA、6 mA、9 mA注入電流的模擬(fitting line)和量測的頻率響應圖 70 圖4 21、9 μm 光孔徑元件不同溫度下,3 mA、6 mA、9 mA注入電流的模擬(fitting line)和量測的頻率響應圖 70 圖4 22、11 μm 光孔徑元件不同溫度下,3 mA、6 mA、9 mA注入電流的模擬(fitting line)和量測的頻率響應圖 71 圖4 23、在溫度25℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的γ對fr2作圖 72 圖4 24、在溫度45℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的γ對fr2作圖 72 圖4 25、在溫度65℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的γ對fr2作圖 73 圖4 26、在溫度85℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的γ對fr2作圖 73 圖4 27、在不同溫度下,不同光孔徑K係數比較圖 74 圖4 28、在溫度25℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的fr對I-Ith作圖 75 圖4 29、在溫度45℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的fr對I-Ith作圖 75 圖4 30、在溫度65℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的fr對I-Ith作圖 76 圖4 31、在溫度85℃下將不同光孔徑在3, 6, 9mA注入電流下的fr對I-Ith作圖 76 圖4 32、在不同溫度下,不同光孔徑D係數比較圖 77 圖4 33、光孔直徑7 μm元件的模擬及量測頻率響應圖 78 圖4 34、製程上改用BCB介電層,光孔直徑7 μm元件的電路模擬頻率響圖、總體轉移函數頻率響應圖與量測的響應圖比較圖。 80 圖4 35、製程上改用BCB介電層且假設有更好的晶圓,光孔直徑7 μm元件的電路模擬頻率響圖、總體轉移函數頻率響應圖與量測的響應圖比較圖 80 表目錄 表格 2 1、850 nm面射型雷射完整磊晶結構資料 8 表格 2 2、以25℃為基準隨溫度上升到85℃直流參數的最大變化率 36 表格 2 3、不同光孔徑下隨溫度上升的紅移率 40 表格 4 1、不同溫度不同注入電流下,不同光孔徑Cm和Rm萃取數值 64 表格 4 2、在不同溫度下注入電流3, 6, 9 mA經由fitting獲得的 Rj、Cj 65 表格 4 3、不同溫度下不同光孔徑,在3, 6, 9 mA注入電流下模擬出的電路頻率響應f_(elec,3dB) 68 | |
dc.language.iso | zh-TW | |
dc.title | 850nm高速垂直共振腔面射型雷射之變溫特性研究 | zh_TW |
dc.title | Temperature-Dependent Characterization of 850 nm High-Speed Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers | en |
dc.type | Thesis | |
dc.date.schoolyear | 103-2 | |
dc.description.degree | 碩士 | |
dc.contributor.oralexamcommittee | 楊英杰(Ying-Jay Yang),林浩雄(Hao-Hsiung Lin),陳敏璋(Miin-Jang Chen),張書維(Shu-Wei Chang) | |
dc.subject.keyword | 共振腔,調變,發光元件,小訊號模型,轉移函數, | zh_TW |
dc.subject.keyword | Cavity,Modulation,Optical Device,Small Signal Model,Transfer Function, | en |
dc.relation.page | 85 | |
dc.rights.note | 有償授權 | |
dc.date.accepted | 2015-08-13 | |
dc.contributor.author-college | 電機資訊學院 | zh_TW |
dc.contributor.author-dept | 光電工程學研究所 | zh_TW |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
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