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| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 郭光宇(Guang-Yu Guo) | |
| dc.contributor.author | Yu-Hsuan Chen | en |
| dc.contributor.author | 陳俞亘 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-15T12:29:00Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-31 | |
| dc.date.copyright | 2016-08-31 | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.date.submitted | 2016-08-06 | |
| dc.identifier.citation | [1]黃昭仁，挑戰常溫熱溫差發電技術，CTIMES，2013/5/16
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| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/50069 | - |
| dc.description.abstract | 近來硒化錫(Tin selenide, SnSe)被報導在中溫區具有一熱電優值係數為2.6的極佳熱電表現，引發相當的關注。其具有非常低的熱傳導率以及適當的載子傳輸性質。硒與錫元素皆是地球殼中豐富的元素，且硒化錫是對人無毒且對環境無害的化合物，相較於其他高性能熱電材料(一般由稀少元素/貴金屬組成)，具有非常大商業化的潛力。硒化錫本身為非常穩定的層狀結構，表現出極低的熱傳導率以及良好的導電性。為了更深入探討其本質特性，本論文以垂直式布裡茲曼法（Vertical Bridgman method）成長硒化錫單晶SnSe1+x (x=0~0.01)。利用X-ray繞射(XRD)與電子探針顯微分析儀(EPMA)來分析材料的晶體結構與鑑定材料的組成;利用掃描穿隧式顯微鏡(STM)來分析原子表面排列與樣貌與其態密度的分佈;利用差式掃描儀(DSC)觀察到硒化錫在800 K有一結構相變，其晶格對稱性由Pnma相轉變成Cmcm。將晶體的三個軸向利用三環繞射儀確認之後，將樣品沿著三個軸向切出，接著量測300 K至930 K之間的席貝克係數、電阻率和熱傳導率，並計算其功率因數與熱電優值係數。我們發現硒化錫(x=0)沿著b與c方向在850 K附近皆具有一個功率因數極值為0.8 mW/mK2;而沿著b方向在850 K具有一熱電優值極值為1.0。接著我們利用增加單晶中硒的比例來產生錫空缺(改變費米能階位置)，藉此調控並增加其載子濃度，並增加導電度。我們發現的當硒的比例增加，300~900 K的功率因數整體變大，尤其在室溫部分功率因數增加超過兩倍。這主要是因為費米能階接近價帶或進入價帶的結果。功率因數的提升對熱電優質造成顯著的貢獻，x=0.005(c軸)在800 K附近，熱電優值約為1.15。 | zh_TW |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-15T12:29:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-105-R03245002-1.pdf: 3464422 bytes, checksum: 47edbdbf1bbc352819a96e96c78c3ca2 (MD5) Previous issue date: 2016 | en |
| dc.description.tableofcontents | 口試委員會審定書 i
誌謝 ii 中文摘要 iii 英文摘要 iv 第一章 緒論 1 1.1 研究背景與動機 1 第二章 介紹 3 2.1 熱電效應 3 2.1.1 席貝克效應 3 2.1.2 帕爾帖效應 5 2.1.3湯瑪森效應 6 2.2 熱電優值 7 2.3熱電材料的分類與應用 8 2.4 硒化錫材料介紹 10 第三章 實驗原理 12 3.1樣品製作與量測流程圖 12 3.2樣品製作 13 3.2.1 配粉與封管 13 3.2.2 初步燒結 13 3.2.3 垂直式布裡茲曼長晶法 14 3.3 材料分析 16 3.3.1 XRD（X-Ray Diffraction）量測 16 3.4 熱電性質量測 18 3.4.1熱擴散係數（Thermal Diffusivity）的量測 18 3.4.2席貝克係數與電阻率的量測 20 第四章 實驗結果與討論 22 4.1 硒化錫單晶晶體的物理與熱電性質分析 22 4.1.1 晶體結構與性質分析 22 4.1.2 相變化 28 4.1.3表面原子結構與態密度 29 4.1.4 熱電性質 31 4.2 不同比例的硒化錫單晶晶體的熱電性質分析 38 4.2.1晶體結構與性質分析 38 4.2.1熱電性質 39 第五章 結論 45 參考文獻 47 | |
| dc.language.iso | zh-TW | |
| dc.subject | 熱電優值 | zh_TW |
| dc.subject | 熱電材料 | zh_TW |
| dc.subject | 硒化錫 | zh_TW |
| dc.subject | 單晶材料 | zh_TW |
| dc.subject | 熱電材料 | zh_TW |
| dc.subject | 硒化錫 | zh_TW |
| dc.subject | 單晶材料 | zh_TW |
| dc.subject | 熱電優值 | zh_TW |
| dc.subject | Tin selenide | en |
| dc.subject | figure of merit (ZT) | en |
| dc.subject | single crystal | en |
| dc.subject | Tin selenide | en |
| dc.subject | thermoelectric material | en |
| dc.subject | figure of merit (ZT) | en |
| dc.subject | single crystal | en |
| dc.subject | thermoelectric material | en |
| dc.title | 單晶硒化錫的熱電性質之探討 | zh_TW |
| dc.title | Thermoelectric Properties of SnSe1+x (x=0~0.01) Single Crystals | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 104-2 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.coadvisor | 陳洋元(Yang-Yuan Chen) | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 吳欣潔(Hsin-Jay Wu) | |
| dc.subject.keyword | 熱電材料,硒化錫,單晶材料,熱電優值, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | thermoelectric material,Tin selenide,single crystal,figure of merit (ZT), | en |
| dc.relation.page | 49 | |
| dc.identifier.doi | 10.6342/NTU201602047 | |
| dc.rights.note | 有償授權 | |
| dc.date.accepted | 2016-08-08 | |
| dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 應用物理研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 應用物理研究所 | |
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|---|---|---|---|
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