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| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 李佳翰 | |
| dc.contributor.author | Wei-Hao Chen | en |
| dc.contributor.author | 陳偉豪 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-15T02:52:26Z | - |
| dc.date.available | 2014-08-06 | |
| dc.date.copyright | 2009-08-06 | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.date.submitted | 2009-08-04 | |
| dc.identifier.citation | [1] M. Tonouchi, Cutting-edge terahertz technology,' Nature Photonics, vol. 1, pp. 97-105, Feb. 2007.
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| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/44348 | - |
| dc.description.abstract | 由於兆赫波可以被激發出來，近年來，許多有關兆赫波之研究和重要應用也孕育而生。我們研究摻雜半導體波導結構對兆赫波電磁場增益之影響，使用電磁模擬針對不同結構做探討，並分析連續波和脈衝波之電磁場變化，設計具有強場增益之摻雜半導體的矽狹縫和矽狹縫鏈之結構，並探討其物理機制。未來可藉由製作和實驗量測本研究設計之元件，並應用至生物影像、顯微鏡、感應、偵測、保全和高速電路等等。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | After the terahertz wave generation was found, many research and important applications in terahertz waves have been published and proposed. We study the field enhancements in the waveguide structures by doped semiconductor material, and analyze their electromagnetic fields for different structures under the plane wave
illumination or the short pulse. We design several doped silicon slots cavity and slot chains with large field enhancement, and describe their physical mechanism. Our designed structures can be investigated by the fabrication and experiment setup in the future, and used for the devices in the applications of bio-image, microscopy, sensor, detector, security, and high-speed electronics. | en |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-15T02:52:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-98-R96525021-1.pdf: 11995562 bytes, checksum: 4367f443cc5aa35ec14cc2d50ef5ec2f (MD5) Previous issue date: 2009 | en |
| dc.description.tableofcontents | 中文摘要: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : ii
ABSTRACT : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : iii STATEMENT OF CONTRIBUTIONS : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : iv LIST OF TABLES : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : vii LIST OF FIGURES : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : viii 1 Introduction : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 1 1.1 THz research and application : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 1 1.1.1 Radiation : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 2 1.1.2 Detection : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 2 1.1.3 Waveguide : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 2 1.1.4 Surface plasmon : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 3 1.1.5 Switch : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 3 1.1.6 Spectroscopy : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 4 1.2 Objectives : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 4 1.3 Thesis organization : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 5 2 Fundamental Concepts : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 6 2.1 Finite-di®erence time-domain method : : : : : : : : : : : : : : : : : : 6 2.2 Drude model : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 9 2.3 Simulation Conditions : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 11 3 Field enhancement in indium arsenide slot and hole cavities at terahertz fre- quencies : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 17 3.1 Verification finite-difference time-domain simulation results by comparing with finite element simulations for an InAs two-dimensional rectangular slot cavity under plane wave illumination : : : : : : : : : : : : : 18 3.2 InAs two-dimensional triangle and trapezoid slots under plane wave illumination : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 19 3.3 InAs three-dimensional square holes and rectangular slots under plane wave illumination : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 20 3.4 THz pulse radiated to InAs slot cavity in time domain : : : : : : : : 20 3.5 Summary : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 22 4 Field enhancement in doped silicon slot cavities at terahertz frequencies : : 36 4.1 Two-dimensional doped silicon rectangular slot cavity under TM polarization plane wave illumination : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 36 4.2 Two-dimensional doped silicon rectangular slot cavity bonded with a LiNbO3 layer under TM polarization plane wave illumination : : : : : 37 4.3 Two-dimensional doped silicon rectangular slot cavity bonded with a LiNbO3 layer in cosideration of a TM polarization current point source in LiNbO3 : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 38 4.4 Summary : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 39 5 Field guiding properties in doped silicon slot chains at terahertz frequencies 57 5.1 Two-dimensional doped silicon rectangular slot chains bonded with a LiNbO3 layer under TM polarization plane wave illumination : : : : : 57 5.2 Guiding properties in the LiNbO3 layer bonded with the doped silicon slab in consideration of a TM polarization current point source in LiNbO3 58 5.3 Guiding properties in the LiNbO3 layer bonded with the doped silicon slot chains in consideration of a TM polarization current point source in LiNbO3 : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 58 5.4 Summary : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 59 6 Conclusions and Future Work : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 76 A Fabrication Procedures for Doped Silicon Slot Cavities and Chain Waveguide : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 79 LIST OF REFERENCES : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 85 VITA : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 89 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.subject | 兆赫波 | zh_TW |
| dc.subject | 場增益 | zh_TW |
| dc.subject | 共振腔 | zh_TW |
| dc.subject | 矽 | zh_TW |
| dc.subject | 砷化銦 | zh_TW |
| dc.subject | cavity | en |
| dc.subject | teraherz | en |
| dc.subject | field enhancement | en |
| dc.subject | silicon | en |
| dc.subject | indium arsenide | en |
| dc.subject | Drude model | en |
| dc.title | 摻雜半導體結構於兆赫頻率下之場增益 | zh_TW |
| dc.title | Field Enhancement in Doped Semiconductor Structures at Terahertz Frequencies | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 97-2 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 許文翰,楊尚達,吳俊德 | |
| dc.subject.keyword | 兆赫波,共振腔,砷化銦,矽,場增益, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | teraherz,cavity,Drude model,indium arsenide,silicon,field enhancement, | en |
| dc.relation.page | 89 | |
| dc.rights.note | 有償授權 | |
| dc.date.accepted | 2009-08-04 | |
| dc.contributor.author-college | 工學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 工程科學及海洋工程學研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 工程科學及海洋工程學系 | |
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|---|---|---|---|
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