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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.advisor | 彭隆瀚 | |
dc.contributor.author | Pei-Chen Huang | en |
dc.contributor.author | 黃培誠 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2021-06-13T03:46:05Z | - |
dc.date.issued | 2006 | |
dc.date.submitted | 2006-07-26 | |
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dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/32382 | - |
dc.description.abstract | 氮化鎵材料因其在藍紫外光發光元件上的應用而廣受各界注意。隨著製程需求的提高,我們需要一個能簡便地在氮化鎵上製作次微米級結構的方法。本論文詳細介紹了微米小球顯影術及光致化學蝕法,並利用兩者及濕式蝕刻於氮化鎵上製作了次微米級的三角柱結構。且討論了氮化鎵被蝕刻後的晶格特性並將之與三角柱的晶格面比較。另外,我們以微光激發光系統對結構進行光學量測,並在論文中記載了這些量測的結果。 | zh_TW |
dc.description.abstract | Because of the applications in UV-Blue light emitting devices, gallium nitride materials have drawn much attention. In order to reach more advanced processes, a simple and effective method to fabricate sub-micro triangular structures on GaN is needed. This thesis introduces microsphere lithography (MSL) and photoelectrochemical (PEC) etching, and describes how to fabricate sub-micro triangular rods by these methods. Crystallographic etching properties are inspected and compared with triangular rod’s facets. In addition, the rods are analyzed with optically pumped experiment apparatus and the results are discussed in this theis. | en |
dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-13T03:46:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-95-R93941005-1.pdf: 14273202 bytes, checksum: 62252f6d6bf8295032e73a38840370da (MD5) Previous issue date: 2006 | en |
dc.description.tableofcontents | 第一章 序論 1
1.1 氮化鎵材料簡介 1 1.2 研究動機及論文簡介 2 第二章 微米小球顯影術 3 2.1 簡介 3 2.2 微米小球微影術製程 6 2.3 過程,結果與討論 10 第三章 光致化學蝕刻及濕示蝕刻的鏡面特性 18 3.1 光致化學蝕刻的原理及儀器架設 18 3.2 濕式蝕刻與晶格面 21 第四章 次微米三角柱製程、結果與討論 23 4.1 樣品結構 23 4.2 製程經過 24 4.3 PEC製程在次微米尺度的討論 27 4.4 三角柱結果與討論 32 第五章 光學量測與討論 37 5.1 耳語廊模式 37 5.2量測系統架設 40 5.3 頻譜討論 41 第六章 結論與未來展望 45 6.1 結論 45 6.2 更多樣化的製程 45 6.3 結語 47 參考資料 48 | |
dc.language.iso | zh-TW | |
dc.title | 以微米小球顯影術及光致化學蝕刻法製作氮化鎵次微米三角柱結構 | zh_TW |
dc.title | Fabrication and Characterization of Gallium Nitride Triangular Sub-mirco Rods | en |
dc.type | Thesis | |
dc.date.schoolyear | 94-2 | |
dc.description.degree | 碩士 | |
dc.contributor.oralexamcommittee | 孔慶昌,黃建璋,?志明 | |
dc.subject.keyword | 氮化鎵,小球顯影術,光致化學蝕刻, | zh_TW |
dc.subject.keyword | GaN,Nanosphere Lithography,photoelectrochemical etching, | en |
dc.relation.page | 50 | |
dc.rights.note | 有償授權 | |
dc.date.accepted | 2006-07-26 | |
dc.contributor.author-college | 電機資訊學院 | zh_TW |
dc.contributor.author-dept | 光電工程學研究所 | zh_TW |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
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檔案 | 大小 | 格式 | |
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