請用此 Handle URI 來引用此文件:
http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/16183
標題: | 基於波茲曼-帕松方程之半導體電子傳輸數值模擬 Direct Simulation of Electron Transport in Semiconductors Based on Boltzmann-Poisson Equation |
作者: | Kuan-Ho Lao 勞冠豪 |
指導教授: | 楊照彥 |
關鍵字: | 電子傳輸,半古典Boltzmann-BGK方程,離散座標法,全變量消逝法,加權型基本不振盪算則, electron transport,semiclassical Boltzmann-BGK equation,discrete ordinate method,TVD method,WENO method, |
出版年 : | 2012 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本文利用直接數值方法求解半古典的Boltzmann-BGK(Bhatnagar-Gross-Krook)方程與Poisson方程組成的系統以模擬電子在半導體裝置中的傳輸行為。數值方法方面,使用離散座標法(Discrete Ordinate Method)以及高解析算則如全變量消逝法(Total Variation Diminishing, TVD)和加權型基本不振盪(Weighted Essentially Non-Oscillatory, WENO)算則。算則將電子當作遵守Maxwell-Boltzmann統計以及Fermi-Dirac統計的粒子來模擬一維電子流動行為。本文使用不同的電子移動率(Mobility)假設來得到不同的鬆弛時間近似。最後再比較施加不同偏壓下的電子流動行為。 The electron transport in semiconductor devices is simulated by using direct algorithm for solving the semiclassical Boltzmann-BGK equation coupled with Poisson equation. The numerical method is based on the discrete ordinate method and high-resolution methods such as TVD (Total Variation Diminishing) method and WENO (Weighted Essentially Non-Oscillatory) method. The algorithm is implemented for solving one-dimensional electron flow that treats electron as particles obey the Maxwell-Boltzmann and Fermi-Dirac statistics. In this paper, using different mobility model to obtain different relaxation time approximation. Finally, simulating the electron flow under different voltage bias for comparison. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/16183 |
全文授權: | 未授權 |
顯示於系所單位: | 應用力學研究所 |
文件中的檔案:
檔案 | 大小 | 格式 | |
---|---|---|---|
ntu-101-1.pdf 目前未授權公開取用 | 3.76 MB | Adobe PDF |
系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。