NTU Theses and Dissertations Repository: 光電工程學研究所

光電工程學研究所 : [1936] 系所單位首頁

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系所單位內的文件 (依標題由升冪排序排序)：從 1241 到 1260 筆，總共 1936 筆

出版年	標題	作者	系所
2012	氧化鎘鋅/氧化鋅量子井生長、特性分析及發光二極體應用 Growth, Characterization, and Light-emitting Diode Application of CdZnO/ZnO Quantum Wells	Shao-Ying Ting; 丁紹瀅	光電工程學研究所
2025	氧化鎳擴散與高電場製作週期性極化反轉鈮酸鋰 Study of Periodically Poled Bulk Lithium Niobate Fabricated by Nickel Oxide Diffusion and High Electrical Field Poling	紀智文; Chih-Wen Chi	光電工程學研究所
2012	氧化鎵/氮化鎵奈米線金氧半場效電晶體之製作與特性研究 Fabrication and Characterization of Ga2O3/GaN single Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistors	Jeng-Wei Yu; 游政衛	光電工程學研究所
2010	氧氣吸附於鉛/矽(111)表面上鉛島之低溫研究 Oxygen adsorption in the low-temperature on Pb islands on the Pb/Si (111) surface	Chih-An Huang; 黃至安	光電工程學研究所
2024	氫氧化四甲基銨側壁處理之微米級氮化銦鎵/氮化鋁鎵紫外光發光二極體研究 Investigation of micron-sized InGaN/AlGaN ultraviolet light emitting diode with tetramethylazanium hydroxide sidewall treatment	張皓任; Hao-Jen Chang	光電工程學研究所
2013	氮化物奈米結構的穿透式電子顯微研究 Transmission Electron Microscopy Study of Nitride Nanostructures	Wen-Ming Chang; 張文明	光電工程學研究所
2021	氮化物量子井合金(鋁/銦)成分隨機擾動下載子橫向擴散之機制以及在紫外光波段下TM/TE偏振光比例之影響 Analysis of carrier lateral diffusion in nitride based InGaN/AlGaN quantum well under random alloy condition and the influence of TM/TE polarization ratio in UVC-LEDs	Huan-Ting Shen; 沈萑莛	光電工程學研究所
2024	氮化矽微碟共振腔之濕度感測應用 Silicon Nitride Microdisk Resonators and Their Humidity Sensing Applications	馬旭憫; Shiu-Min Ma	光電工程學研究所
2006	氮化銦奈米線的成長及其傳輸特性 Growth and Transport Properties of Indium Nitride Nanowires	Chia-Te Chien; 簡嘉德	光電工程學研究所
2006	氮化銦奈米線的成長及其光學特性 Growth and optical properties of Indium Nitride nanowires	Chih-Hsiang Lin; 林之翔	光電工程學研究所
2009	氮化銦薄膜之分子束磊晶成長及其光學和電特性 InN Thin Film Grown by MBE and It’s Optical and Electrical Properties	Ying-Chieh Liao; 廖盈傑	光電工程學研究所
2010	氮化銦超快速載子釋能機制研究 Ultrafast Carrier Relaxation Study in Indium Nitride	Yi-En Su; 蘇倚恩	光電工程學研究所
2010	氮化銦鎵,氮化鋁鎵,碳化矽及氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井之布里淵散射光譜與材料研究 Brillouin Scattering Spectroscopy and Material Studies of InGaN, AlGaN, SiC and InGaN/GaN Multi-Quantum Wells Light Emitting Diodes	Tsung-Han Wu; 吳宗翰	光電工程學研究所
2010	氮化銦鎵/氮化鋁銦量子井在拉伸應變下各向異性光極化特性之數值模擬分析 Numerical Analysis Optical Polarization Anisotropy of Tensile Strained InGaN/AlInN Quantum Wells	Po-Yuan Dang; 鄧博元	光電工程學研究所
2011	氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井之光伏物理性質分析 Photovoltaic Physics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells	Guan-Jhong Lin; 林冠中	光電工程學研究所
2008	氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井之光電特性之數值分析 Numerical Analysis of Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well	Han-Wei Yang; 楊漢威	光電工程學研究所
2007	氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結構於不同預施應力條件之穿透式電子顯微術硏究 Transmission Electron Microscopy Studies on InGaN/GaN Multiple Quantum-well Structures with Different Presrain Conditions	Chia-Feng Cheng; 鄭家峰	光電工程學研究所
2008	氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結構發光二極體在高電流密度下其發光效率衰減之研究 Study of luminous efficiency droop behavior at high current density for InGaN/GaN multiple-quantum wells light emitting diodes	Yu-Hung Lai; 賴育弘	光電工程學研究所
2008	氮化銦鎵/氮化鎵奈米結構之穿透式電子顯微術硏究 Transmission Electron Microscopy Studies on InGaN/GaN Nanostructures	Jyun-Kai Wang; 王俊凱	光電工程學研究所
2005	氮化銦鎵/氮化鎵量子井結構發光二極體之光學與材料特性研究 Optical and Material Studies of InGaN/GaN Quantum Well Light Emitting Diode Wafers	Jeng-Hung Chen; 陳政鴻	光電工程學研究所

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